Исследование переноса заряда в низкоразмерной двумерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов
Рассмотрение способов теоретического исследования транспортных свойств двухмерных систем. Особенности переноса заряда в низкоразмерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Анализ теории квантоворазмерных полупроводниковых структур.
Подобные документы
Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Исследование нелинейной задачи о возбуждении гиперзвука в нормально намагниченной структуре, состоящей из двух сложенных вместе бесконечно протяженных пластин из упругого магнитодиэлектрика. Численное решение полученной системы методом Рунге-Кутта.
статья, добавлен 05.11.2018Физические основы полупроводниковой электроники. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды и резисторы, фотоэлектрические полупроводниковые приборы. Биполярные и полевые транзисторы. Аналоговые интегральные микросхемы.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Разработка структуры и принципов построения системы моделирования сетей и автоматизированного поиска проектных решений. Исследование способов представления математических моделей СКС. Разработка алгоритмов для задач анализа, синтеза и исследования СКС.
автореферат, добавлен 28.04.2018Рассмотрение распространения волн прямого и обратного направлений в структуре ограниченной длины с периодической неоднородностью меандрового вида. Особенности распространения одномерных волн, связанные с периодичностью структуры и "вторичной модуляцией".
статья, добавлен 05.11.2018Выбор метода разработки конструкции микросхемы и технологического маршрута ее производства. Определение размеров кристалла полупроводниковой схемы, количество контактных площадок платы. Принципы проектирования резисторов, расчет пленочного конденсатора.
курсовая работа, добавлен 25.05.2015Исследование эффекта кросскорреляции между спутниковыми радионавигационными системами GPS и Galileo в пакете MATLAB. Особенности применения генератора псевдослучайных последовательностей. Основные преимущества Memory-кодов по сравнению с кодами Голда.
статья, добавлен 19.12.2017- 58. P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Изучение основных способов определения количественных характеристик устройств, обеспечивающих коррекцию динамических свойств проектируемых систем управления. Характеристика наиболее часто используемых в практике структур систем автоматического управления.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2020Понятие информационных систем (ИС), способы передачи информации. ИС для стендовых наземных испытаний винто-воздушных систем вертолета. Типовые методы обработки информации в ИС. Виды модуляции и переноса информации. Помехи в информационных сигналах.
шпаргалка, добавлен 09.01.2012Этапы разработки схемы топологии полупроводниковой ИМС. Конструктивно-технологические ограничения при разработке на биполярных транзисторах. Минимально допустимые размеры. Правила проектирования изолированных областей, учет их количества и размеров.
реферат, добавлен 13.06.2009Обоснование выбора схемы выпрямления. Определение параметров нагрузки. Анализ свойств силовых условий эксплуатации. Расчет трансформатора с учетом коэффициента запаса. Вычисление надежности трехфазной мостовой системы тиристорного преобразователя.
контрольная работа, добавлен 08.11.2015Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Характеристика эскизов диффузионных резисторов на основе базовой и эмиттерной областей, которые сформированы по планарно-эпитаксиальной технологии. Контактная площадка интегральной полупроводниковой микросхемы – металлизированный участок на кристалле.
курсовая работа, добавлен 18.03.2020Рассмотрение приборов, входящих в мультимедийную систему. Особенности формирования изображений в проекционном оборудовании. Способы преобразования звука и их предназначение. Аппаратная реализация звуковых эффектов в цифровых сигнальных процессорах.
контрольная работа, добавлен 12.11.2019Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
статья, добавлен 23.01.2018Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Принцип взаимности и регистрация фазы в волоконно-оптическом гироскопе. Характеристики источников излучения и фотодетекторов. Особенности прямых динамических эффектов. Методы компенсации погрешностей. Расчет сметной калькуляции научного исследования.
дипломная работа, добавлен 24.05.2010Оценка стойкости библиотечных компонентов комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник интегральных схем. Расчет компонентов в структуре систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Анализ результатов расчета вентиля.
статья, добавлен 28.04.2017Суть закона Мура, его использование, темпы развития полупроводниковой индустрии. Метод производства микропроцессоров в Intel. Спиновые волны, многократное использование электронов, углеродные и кремниевые нанотрубки, трехмерные многослойные микросхемы.
реферат, добавлен 17.04.2016Определение формулы импульсных свойств с учетом нулевых начальных условий. Проведение исследования комплексно-сопряженных полюсов в показательной форме. Качественный анализ амплитудно-частотной и фазо-частотной характеристик по карте нулей и полюсов.
контрольная работа, добавлен 14.01.2018Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Влияние периодического изменения сигнально-помеховой обстановки на эффективность функционирования протоколов канального и сетевого уровней в системе связи. Протокол маршрутизации информационных потоков. Обоснование способов помехозащиты сетей связи.
статья, добавлен 30.10.2018Особенность исследования уровня надежности микроэлектронных систем. Анализ отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изучение устойчивости компонентов электронных схем. Основные составляющие исправности программного обеспечения.
лекция, добавлен 22.03.2018Рассмотрение результатов экспериментального исследования частотных характеристик реактивных электрических фильтров нижних и верхних частот. Изучение и анализ особенностей электрической схемы фильтра с учетом активных сопротивлений катушек индуктивности.
контрольная работа, добавлен 20.09.2017