Получение наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений и исследование их свойств
Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
Подобные документы
Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
статья, добавлен 23.01.2018Выбор принципа конструирования. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений. Технологический процесс изготовления платы комбинированным позитивным методом, гальваническая металлизация. Анализ технологичности конструкции изделия.
курсовая работа, добавлен 28.10.2011Описание процесса получения импульсного сигнала и фрагмента шума. Измерение параметров синусоидального сигнала. Получение абсолютных величин сигнала. Осциллограмма абсолютных значений. Определение энергии сигнала. Мгновенная и максимальная мощность.
лабораторная работа, добавлен 29.10.2018Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 05.06.2015Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Решение проблемы создания СВЧ модулей высокой степени интеграции для систем космической связи. Определение требований к микроэлектромеханическим элементам, изготовленных на основе аморфных алмазоподобных пленок, для использования в СВЧ диапазоне частот.
автореферат, добавлен 13.02.2018Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015- 37. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Определение места пленочных нанофаз среди фаз, стабилизированных подложкой. Возможные применения пленочных нанофаз в кремниевых наносхемах, в безрезистной нанолитографии, в кремниевой нанофотонике и наноспинтронике. Условия образования пленочных нанофаз.
статья, добавлен 13.11.2018Анализ частотных свойств шлейфных структур на основе теоремы о каскадном включении реактивных симметричных четырехполюсников. Каскадные структуры с широкополосными короткозамкнутыми шлейфами. Полосы заграждения математической полосы пропускания.
статья, добавлен 30.10.2018Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015Характеристика конструкции межконтактных электрических соединений. Использование печатного монтажа модуля индикации в конструкции радиоэлектронных средств. Особенности моделирования реализации доксициклина гидрохлорида аналитическим выравниванием.
реферат, добавлен 19.05.2009Получение значения вероятностей наблюдения суммы мешающих сигналов с заданным уровнем ее интенсивности в конкретной точке измерительной безэховой камеры методом отношения правдоподобия. Получение функции правдоподобия параметров, зависящих от длин путей.
статья, добавлен 29.06.2016Применение тонких проводящих пленок в радиотехнике и электронике. Экспериментальное исследование отражения, прохождения и резонансного поглощения электромагнитных волн в тонких нанометровых пленках меди, алюминия и нихрома в диапазоне длин волн 2–10 см.
статья, добавлен 19.06.2018Проектирование в электротехнических комплексах информационных систем на основе локальной вычислительной сети. Подробный анализ электрических параметров кабелей и кабельных соединений. Назначение проводимого теста и порядок проведения тестирования.
статья, добавлен 22.12.2020Получение ряда квантованных действительных значений, характеризующих измеряемую величину при регистрации внешних аналоговых сигналов на выходе аналого-цифрового преобразователя. Определение способа перехода от действительного сигнала к комплексному.
статья, добавлен 19.02.2021Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.
контрольная работа, добавлен 21.01.2017Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
реферат, добавлен 22.02.2009Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016