Получение наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений и исследование их свойств
Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
Подобные документы
- 76. Железо
Железо, область определений. Побочная подгруппа восьмой группы. Химические свойства металла. Биологическая роль железа, применение его соединений в медицине. Диаграмма состояния системы железо-углерод. Задача на определение количества железа в руде.
курсовая работа, добавлен 17.05.2015 Классификация методов формирования электрических соединений и их характеристика. Физико-технологические основы электромонтажной пайки и сварки, выполнение швов. Методы формирования рисунка печатных плат: сеткографический, офсетной и трафаретной печати.
реферат, добавлен 26.02.2015Характеристика получения передаточной функции объекта управления. Основной расчет границы устойчивости замкнутой системы. Определение настроек ПИ- и ПИД-регуляторов методом незатухающих колебаний. Особенность использования формулы Циглера-Никольса.
контрольная работа, добавлен 15.11.2016Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.
курс лекций, добавлен 21.03.2011Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Поверочный расчет пленочных резисторов и пленочных конденсаторов. Определение оптимального значения удельного сопротивления резистивной пасты для каждой группы. Расчет толстопленочных резисторов и их разбивка на группы, выбор резистивного материала.
контрольная работа, добавлен 09.12.2013Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Расчет параметров случайного процесса. Вычисление математического ожидания, дисперсии и корреляционной матрицы случайной функции. Определение нормированной корреляционной функции. Структура согласованного фильтра и параметров квазиоптимального фильтра.
реферат, добавлен 13.10.2017Рассмотрение способов теоретического исследования транспортных свойств двухмерных систем. Особенности переноса заряда в низкоразмерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Анализ теории квантоворазмерных полупроводниковых структур.
статья, добавлен 19.06.2018Теоретический анализ свойств кольцевого тракта измерителя параметров невзаимных четырехполюсников по правилу некасающегося контура. Определение погрешности измерения модуля коэффициента передачи ферритовых вентилей в прямом и обратном направлениях.
статья, добавлен 12.07.2013Изучение универсального электронно-лучевого осциллографа (ЭЛО); получение навыков работы с осциллографом; овладение методикой осциллографирования и измерение параметров непрерывных сигналов с помощью ЭЛО. Проверка градуировки генератора по частоте.
лабораторная работа, добавлен 06.03.2021Исследование динамических свойств методом фазовой плоскости (для системы второго порядка). Исследование динамических свойств методом гармонической линеаризации. Расчет переходных процессов при постоянном воздействии и определении его параметров.
курсовая работа, добавлен 26.02.2021Определение параметров случайного процесса и построение корреляционной матрицы. Проверка стационарности случайного процесса. Определение структуры согласованного фильтра и его параметров. Параметры квазиоптимального фильтра. Характеристики обнаружителя.
контрольная работа, добавлен 05.11.2012Маршруты формирования пленок на поверхности сапфира для газочувствительных датчиков с использованием лазерного излучения длиной волны 1064 нм. Экспериментальная оценка применения лазерного излучения для получения тонких пленок на поверхности подложки.
статья, добавлен 29.07.2017Обобщенная схема соединений логических элементов в вычислительных устройствах. Электрические схемы измерения статических характеристик: входной, передаточной и выходной. Определение параметров логических элементов. Методика определения рабочих точек.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2011Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Телеметрия как получение информации о значениях измеряемых параметров контролируемых и управляемых методами и средствами телемеханики. Структурная схема передачи данных от контролируемого объекта на диспетчерский центр. Локальные системы телеметрии.
диссертация, добавлен 14.12.2015Расчет параметров нагрузки на резонансной частоте. Вывод операторных выражений входной функции и их проверка. Исследование транзистора с обобщённой нагрузкой. Получение нормированных выражений входной и передаточной функции и построение их графиков.
курсовая работа, добавлен 16.11.2016Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Характеристика кремниевой объёмной микрообработки. Рассмотрение маскирования полимерами и тонкими плёнками. Изучение прохождения химического осаждения из паровой фазы при пониженном давлении поликристаллического кремния или фосфорокварцевого стекла.
лекция, добавлен 26.10.2013Свойства диэлектриков; определение относительной диэлектрической проницаемости материалов. Измерение коэффициента термического расширения электровакуумных стёкол. Электрические свойства проводниковых материалов. Исследование параметров сегнетоэлектриков.
лабораторная работа, добавлен 25.09.2017Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013- 99. Методика измерения параметров объектов телекоммуникаций на основе технологии виртуальных приборов
Анализ методики измерения параметров объектов телекоммуникаций ОТК на основе технологии виртуальных приборов которая опирается на методику выполнения прямых измерений с многократными независимыми наблюдениями и основные положения обработки результатов.
статья, добавлен 15.08.2020 Особенности микроволнового диапазона и динамического принципа управления преобразованием энергии. Электрофизические свойства однородных и неоднородных полупроводников. Свойства p-n перехода в микроволновом диапазоне. Лавинно-пролетный диод, Диод Шоттки.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014