Получение наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений и исследование их свойств
Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
Подобные документы
Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
реферат, добавлен 03.06.2014Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016- 53. Исследование резонансного усилителя и генератора гармонических колебаний с низкочастотным гиратором
Структура гиратора как электронного устройства, имитирующего свойства катушки индуктивности. Получение усилителя с резонансной частотной характеристикой или генератора колебаний. Определение значения генерируемой частоты, используя фигуры Лиссажу.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015 Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Проектирование параметров сетей передачи данных. Выбор топологии сетевых соединений. Расчет и планирование среднего трафика сети. Планировка разводки и размещения рабочих станций и сетевых серверов. Определение полезной пропускной способности сети.
курсовая работа, добавлен 14.11.2017Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Разработка функциональной схемы вокодера. Получение выходного синтезированного речевого сигнала. Расчёт параметров и характеристик набора цифровых полосовых фильтров. Разработка структурной схемы и алгоритма работы вокодера. Моделирование в среде Matlab.
курсовая работа, добавлен 31.10.2011- 58. Монтаж проводки
Монтаж контактных соединений. Способы выполнения контактных соединений и области их применения. Соединение и оконцевание проводов опрессовкой, пайкой, сваркой. Узлы соединения и разветвления. Особенности монтажа электропроводки к подвижным частям станка.
реферат, добавлен 04.04.2013 Изучение полного комплекта технического и программного обеспечения MPS 516-FMS систем. Распределение на уровни выбранного технологического процесса - станции обработки. Использование индуктивных датчиков и логических контроллеров для решения задач АСУ.
контрольная работа, добавлен 28.01.2015Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
учебное пособие, добавлен 31.01.2019Технологии создания приборов с элементами наночастиц. Моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния. Расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы.
статья, добавлен 08.04.2019Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
контрольная работа, добавлен 14.02.2015Горизонтальная модель на базе протоколов, обеспечивающих схему взаимодействия программ и процессов на различных компьютерах. Протоколы автоматической маршрутизации и среды передачи данных. Виды кабельных соединений на неэкранированной витой паре.
контрольная работа, добавлен 16.01.2014Определение параметров случайного процесса. Нахождение математического ожидания и дисперсии случайного процесса. Нахождение корреляционной матрицы. Определение структуры согласованного и квазиоптимального фильтра. Анализ характеристик обнаружения.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Построение структурной схемы приёмника, устанавливаемого на каждой конечной станции. Теоретическое определение кодовой комбинации, построение структурной схемы кодера. Получение передаточной функции фильтра, согласованного с одиночными импульсами.
курсовая работа, добавлен 10.06.2009Базовые технологические операции изготовления интегральных микросхем. Операция наращивания на подложке монокристаллического слоя. Получение эпитаксиальных пленок. Использование светочувствительных материалов. Ионное легирование и термическое окисление.
доклад, добавлен 22.05.2016Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.
методичка, добавлен 13.03.2015Характеристика, отличительные черты и предназначение технологии xDSL, ISDN, ETHERNET. Использование выделенных соединений в сетях WAN, проверка целостности и качества соединений в сетях. Сравнение подключения интернет по выделенной линии и по ADSL.
курсовая работа, добавлен 04.12.2016Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
реферат, добавлен 02.08.2009Исследование основных параметров статистики распределения на выходе последетекторной квазиоптимальной системы межпериодной обработки при заданной корреляционной матрице помехи. Структурная схема и характеристика последетекторной межпериодной обработки.
статья, добавлен 30.10.2018Экспериментальное исследование малошумящих усилителей: первый содержит один каскад на микросхеме HMC374, второй - два каскада на той же микросхеме. Получение амплитудно-частотных характеристик устройств. Сравнение параметров с паспортными данными.
статья, добавлен 03.04.2018Получение и описание передаточных функций системы по задающему и возмущающему воздействиям. Определение коэффициента усиления прямой цепи, обеспечивающий заданный показатель статической точности. Построение области устойчивости в плоскости параметров.
методичка, добавлен 14.03.2015Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Технология клеевых соединений в производстве интегральной радиоэлектроники. Конструкция соединений, классификация клеев. Изготовление печатных плат. Общая характеристика методов. Формирование рисунка методами сеткографии, офсетной и трафаретной печати.
контрольная работа, добавлен 11.08.2014Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011