Физические основы контактов металл-GaAs (GaP, InP), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками TiB
Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
Подобные документы
Квантовые поправки к проводимости двумерных структур на основе GaAs. Определение области проводимостей, в которой теория квантовых поправок количественно согласуется с экспериментальными данными. Неомическая проводимость двумерного электронного газа.
автореферат, добавлен 08.02.2013Свойства гетерофазных границ раздела и механизмов их влияния на электрофизические и фотоэлектрические свойства тонких поликристаллических пленок селенида свинца и цирконата-титаната свинца. Технологические режимов формирования фоторезисторных структур.
автореферат, добавлен 02.03.2018Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
статья, добавлен 23.06.2013Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Розробка методики для контролю геометричного стану слабкорельєфної поверхні підкладинок методом багатокутової еліпсометрії. Дослідження чутливості еліпсометричного методу до визначення геометричних і оптичних параметрів квантово-розмірних структур.
автореферат, добавлен 23.02.2014Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Особенности электронного туннелирования через неупорядоченные наноразмерные слои диэлектрика. Аналитические выражения для транспортных характеристик контактов металл–изолятор–металл с неоднородной диэлектрической прослойкой и универсальные соотношения.
статья, добавлен 25.03.2016Связь внешней формы кристаллов с формой элементарных структурных элементов. Типы кристаллических решеток. История открытия квазикристаллов, имеющих промежуточное положение между кристаллами и аморфными телами. Способы объединения триаконтаэдров.
курсовая работа, добавлен 27.08.2017Измерение сопротивлений металлических низкоомных проводников. Определение сопротивлений контактов и мягких подводящих проводов. Расчет абсолютных и относительных погрешностей минимального тока. Среднее значение сопротивления контактов подключения.
лабораторная работа, добавлен 08.03.2014Изменение магнитных свойств, приобретаемых аморфными и нанокристаллическими ферромагнетиками, в результате применения различных внешних воздействий на стадии появления структурных и микрокристаллических неоднородностей и при изменении состава сплавов.
автореферат, добавлен 02.03.2018Оптимизация плоских контактов с учетом размеров цепи токопровода и условий стабильности контактов. Особенность применимости правил равенства относительных приростов составляющих целевой функции. Изучение оптимальной длины нахлеста как функция тока.
статья, добавлен 31.08.2018Рассмотрение влияния температуры нагрева контактной системы на внутренние напряжения в сильфоне вакуумного выключателя методом конечных элементов. Анализ зависимости механических напряжений в материале в функции температуры при заданном ходе контактов.
статья, добавлен 26.07.2016- 39. Геометрия контактов и ее влияние на чувствительность термоэлектрических детекторов СВЧ–излучения
Вольт-ваттная чувствительность как одна из основных характеристик детекторов электромагнитного излучения на основе контакта металл-полуметалл BiSb (сплав висмута с сурьмой). Исследование потоков распределения поля в объеме полуметаллического кристалла.
статья, добавлен 23.10.2010 Понятие, исторический аспект и этапы развития криогенной электроники. Анализ основных направлений криоэлектроники. Проблема создания и перспективы применения структур на основе контактов сверхпроводников с полупроводниками в криогенной микроэлектронике.
дипломная работа, добавлен 15.07.2009Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
статья, добавлен 18.09.2018Приближенные выражения для нестационарных волновых функций, описывающих движение частиц под прямоугольным потенциальным барьером, и их основных параметров. Приближенное представление подбарьерных компонент. Решения нестационарного уравнения Шредингера.
статья, добавлен 03.10.2013Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Характеристика кинематических параметров движения, наблюдение и регистрация процесса перемещения. Определение временных параметров движения. Определение параметров удара, вибрации, деформаций и напряжений в частях аппаратов и усилий их взаимодействия.
лекция, добавлен 02.04.2019Електронна польова емісія у вакуумі з кремнієвих і вуглецевих нанокомпозитних напівпровідникових структур на Si і GaAs. Локальна передпробійна формовка напівпровідникових і діелектричних плівок електричним полем. Покращення емісійних параметрів катодів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Влияние механических напряжений в тонких сверхпроводящих YBCO пленках на их вольтамперные характеристики. Исследования вольтамперных характеристик монокристаллических, гранулярных и напряженных пленок. Повышение внутреннего давления в материале пленки.
статья, добавлен 02.02.2019Влияние изотопного состава на энергетическое время жизни плазмы, воздействие борсодержащих материалов для покрытия стенок и лимиторов токамаков на ее изотопный состав. Физические механизмы формирования радиальных профилей ионной температуры дейтерия.
автореферат, добавлен 02.03.2018Исследование морфологии пленок Al и ХСП на пористых, кристаллических подложках. Изучение особенностей релаксации напряжений в исследуемых структурах и происходящих процессов модификации поверхности пленок теллурида свинца при обработке в аргоновой плазме.
автореферат, добавлен 02.08.2018Получение углеродных нанотрубок и нановолокон на основе процесса самораспространяющегося высокотемпературного синтеза из разнообразных твердотельных носителей углерода. Сборка фуллеренов из многокольцевых углеродных кластеров. Расчет дугового разряда.
автореферат, добавлен 16.02.2018Анализ металл-диэлектрических структур при углах падения света больше критического. Расчет зависимостей коэффициента отражения многослойных структур, объединяющих схемы Отто и Кречмана, с различным расположением металлических и диэлектрических пленок.
статья, добавлен 30.11.2018