Физические основы контактов металл-GaAs (GaP, InP), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками TiB
Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
Подобные документы
Оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури металу-напівпровіднику з проміжним шаром різної фізико-хімічної природи, їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури. Вивчення деградації напівпрозорих металевих плівок.
автореферат, добавлен 21.11.2013- 52. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Выявление закономерностей процесса перестройки доменной структуры в аморфных металлических пленках на основе железа. Выяснение причин возникновения в аморфных металлических пленках и лентах с одноосной наведенной анизотропией отрицательного эффекта.
автореферат, добавлен 15.02.2018Основные физические явления и процессы в электрических аппаратах. Влияние переходного сопротивления контактов на нагрев проводников. Динамическая вольтамперная характеристика электрической дуги постоянного тока. Электрическая дуга в магнитном поле.
дипломная работа, добавлен 28.06.2015Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Место исследований свойств магнитных пленок в современной микроэлектронике. Анализ зависимости гальваномагнитных свойств пленочных сплавов Ni-Cu от концентрации компонент и толщины в температурном интервале 100-700 К, а также их сравнение с пленками Ni.
реферат, добавлен 23.10.2010Построение модели движения вязкой несжимаемой жидкости на основе уравнений Навье-Стокса. Доказательство потери единственности решений при взрывной неустойчивости системы за конечное время. Моделирование турбулентных течений над шероховатой поверхностью.
статья, добавлен 22.05.2017Исследование способов и устройства стабилизации напряжения генераторов. Изучение особенностей работы, достоинств и недостатков генераторов малых гидроэлектростанций. Создание комбинированных систем стабилизации параметров генерируемой электроэнергии.
статья, добавлен 20.05.2017Метод получения термостабильной компоненты инжекционно стимулированного отрицательного заряда в МДП-структурах. Особенности влияния электронного облучения заряда, локальных неоднородностей МДП-структур на процессы. Способ изготовления МДП-приборов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.
статья, добавлен 08.02.2017Исследование усиления флуоресценции родамина 6Ж в матрице поливинилового спирта на серебряных пленках, полученных электроосаждением и химическим восстановлением. Оценка уровня проявления плазмонного резонанса на серебряных пленках на частоте 400 нм.
статья, добавлен 23.06.2018Рассмотрение квантового эффекта Холла. Зонная диаграмма гетероструктуры GaAs-AlGaAs. Зависимость холловского сопротивления и сопротивления от напряжения на затворе. Описание энергетического спектра электронов в постоянном однородном магнитном поле.
реферат, добавлен 12.09.2015Закономірності мікропластичної деформації ковалентних кристалів при індентації і одноосьовому стисканні в температурній області крихкого руйнування. Розробка методики деформування приповерхневих шарів за допомогою імпульсного лазерного опромінення.
автореферат, добавлен 28.12.2015Исследование динамики заполнения электронами подзон размерного квантования в гетероструктурах при низких температурах и больших магнитных полях. Изучение механизмов возникновения амплитудно-частотной модуляции осцилляций поперечного магнитосопротивления.
автореферат, добавлен 01.09.2018Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Вивчення за допомогою електричних вимірювань і структурного аналізу впливу низькотемпературної деформації на електричні властивості кристалів германію. Аналіз комп’ютерної методики для розрахунку напружень у зразках, що виникають при дії деформації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розробка математичної моделі дифузії домішок азоту та їх взаємодії з атомами підґратки миш’яку. Визначення вливу температури нітридизації і величини поруватості підкладок на кристалографічні, морфологічні та оптичні властивості гетероепітаксійних плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2015Характеристики діодів з міждолинним переносом електронів при введенні в матеріал глибоких нейтральних центрів захоплення електронів. Особливості виникнення та існування високочастотних нестійкостей струму при повній, частковій компенсації напівпровідника.
автореферат, добавлен 30.08.2014Механизмы, преобразующие движение и силу. Использование винтовой наклонной плоскости. Правило равновесия рычага. Методические разработки по теме "Простые механизмы". Нахождение выигрыша в силе, даваемого системой блоков. Решение задачи Робинзона Крузо.
методичка, добавлен 27.09.2010Особливості розсіяння Х-променів у багатошарових нанорозмірних системах, що містять квантові ями. Визначення концентрацій азоту у квантових ямах і буферних шарах. Створення програмного забезпечення для розрахунку кривих дифракційного відбивання.
автореферат, добавлен 12.07.2014Исследование вольт-амперной характеристики с помощью промышленного характериографа TR-4805, формирующего синусоидальный сигнал. Значение напряжений отсечки для исследуемых диодных структур. Особенность формирования двух разно полярных импульсов.
статья, добавлен 02.02.2019Разработка схемы замещения электропривода. Расчёт напряжений при коммутациях, а также токов и напряжения в ветвях электрической цепи. Расчёт амплитуды коммутационных перенапряжений. Оценка точности расчётов амплитуд коммутационных перенапряжений.
статья, добавлен 29.04.2017Физические механизмы удержания плазмы. Столкновительный и неоклассический перенос частиц. Волны в плазме и связанные с ними неустойчивости. Потоки частиц и тепла при флуктуациях. Эффект "жестких" профилей. Подавление турбулентного движения широм вращения.
презентация, добавлен 29.08.2015Дослідження (гальванічне та акустичне) процесів електрон-фононної взаємодії в системі з сильно-локалізованими носіями (проміжно-легований n-Ge) та в двовимірному електронному газі, де присутні процеси слабкої локалізації (дельта-легований GaAs:Si).
автореферат, добавлен 20.04.2014Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.
автореферат, добавлен 14.09.2014