Физические основы контактов металл-GaAs (GaP, InP), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками TiB
Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
Подобные документы
Анализ значения метода туннельной спектроскопии для изучения особенностей не только заполненных, но и пустых энергетических уровней. Исследование многочастичных особенностей в туннельных спектрах, связанных с неупругими процессами при туннелировании.
автореферат, добавлен 02.03.2018Розгляд високочастотних ефектів, що виникають при поширенні поверхневих поляритонів у поодиноких двовимірних електронних системах, які сформовані на основі гетеропереходів GaAs/Alx, Gax, As і знаходяться в умовах цілочисельного квантового ефекту Холла.
автореферат, добавлен 27.04.2014Механизмы взаимосвязи магнитных и электрических свойств исследуемых материалов при изменении температуры, магнитного поля и концентрации носителей заряда. Анализ свойств на основе конфигурационной многоэлектронной модели энергетической структуры.
автореферат, добавлен 02.03.2018Аналіз умов збудження й поширення поверхневих плазмових поляритонів в багатошарових твердотільних системах. Визначення геометричних, статистичних параметрів мікрорельєфу профільованих поверхонь з різною морфологією, їх вплив на умови плазмового резонансу.
автореферат, добавлен 25.04.2014Исследование эффектов гибридизации электромагнитных, магнитостатических и упругих волн в слоистых феррит-диэлектрических структурах. Изучение принципов распространения магнитостатических волн в насыщенных и ненасыщенных пленках марганцевой феррошпинели.
автореферат, добавлен 15.02.2018Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.
статья, добавлен 14.07.2016Функциональная схема устройства стабилизации напряжения и частоты тока ветроэлектрических установок на бесконтактных генераторах с постоянными магнитами. Принцип работы блока стабилизации. Эффективность использования двухслойных статорных обмоток.
статья, добавлен 15.05.2017Анализ современных высокоэффективных солнечных элементов (СЭ) как сложных многослойных гетеросистем. Рост гетероструктур из молекулярных пучков для солнечных элементов. Основные структурные исследования гетерокомпозиций GaAs/Si с различной ориентацией.
статья, добавлен 16.11.2018Проверка сопротивления цепи контактов реле, обмотки и изоляции. Проверка параметров чувствительности срабатывания и отпускания реле. Проверка устойчивости к механическим воздействиям, испытания на устойчивость к вибрации, линейным ускорениям и удару.
лекция, добавлен 02.04.2019Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Использование гетеропары GaAs/AlGaAs, создаваемой эпитаксиальным ростом. Эффект автомодуляции состава твердых растворов. Электронно-лучевая пушка с термоэмиссионным катодом. Зависимость давления пучков галлия и мышьяка от угла ориентации подложки.
курсовая работа, добавлен 14.01.2014Выбор схемы и расчёт контуров генератора импульсных напряжений. Расчет напряжения для испытания объекта грозовым коммутационным импульсом. Построение кривых импульсных напряжений на шинах подстанции. Расчет параметров молниеотводов при токе молнии.
контрольная работа, добавлен 30.04.2018Оценка прочности конструкции на основе рассчитанных полей напряжений и деформаций. Распределение напряжений на гранях элементарного тетраэдра. Пространственное расположение плоскостей действия главных касательных напряжений. Наибольшая осевая деформация.
контрольная работа, добавлен 23.11.2014Дослідження перебудови локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних та циліндричних квантових точках різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації. Аналіз матеріалу квантової точки, оточуючої матриці та зовнішнього тиску.
автореферат, добавлен 30.08.2014- 91. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Електронна та домішково-дефектна структура монокристалічних сполук ZnSe і CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів. Розробка моделі неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe-GaAs, механізми рентгенолюмінесценції і рентгеночутливості.
автореферат, добавлен 22.04.2014Pозробка фізико-математичних моделей та аналіз термодинаміки процесу нітридизації GaAs. Дослідження морфології, фотолюмінесцентних та структурних властивостей нанопоруватих підкладок. Створення гетероструктур на основі монокристалічних і поруватих сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Рассмотрены способы определения термических остаточных напряжений. Оценка необходимости расчетного метода определения остаточных напряжений, опирающегося на математическую модель формирования остаточных напряжений и деформаций, возникающих при обработке.
статья, добавлен 27.07.2017Исследование ядра атома, которое имеет кристаллическую структуру со строго ориентированными магнитными моментами всех протон-электрон пар. Определение причин периодических изменений количества возможных дискретных значений магнитных моментов атомов.
статья, добавлен 06.03.2018Солнечные батареи с полупроводниковыми фотоэлектрическими преобразователями как вид бортовых энергоустановок на существующих и разрабатываемых космических аппаратах. Особенности солнечных элементов GaInP/GaAs/Ge с повышенной радиационной стойкостью.
статья, добавлен 16.11.2018Порядок исследования вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. Экспериментальные данные по определению барического коэффициента дна зоны проводимости арсенида галлия.
статья, добавлен 25.03.2016Изучение понятий и законов электромагнитного поля. Характеристика теории магнитных цепей и основные принципы их потока. Анализ энергии и механических проявлений рассматриваемых цепей. Обзор синусоидальных и несинусоидальных ЭДС, напряжений и токов.
учебное пособие, добавлен 02.08.2013Снижение себестоимости газовых датчиков на основе пленок диоксида олова за счет использования в качестве токопроводящих покрытий алюминия. Исследования влияния режимов работы на морфологию поверхности и кристаллическую структуру пленочных гетеросистем.
статья, добавлен 13.10.2016