Параметры полупроводников
Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
Подобные документы
Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Сущность электрического тока, магнитное поле. Действие тока, расчет его силы и плотности. Определение природы носителей тока в металлах. Электронная теория проводимости металлов. Зависимость сопротивления полупроводников и диэлектриков от температуры.
презентация, добавлен 21.06.2016Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Операционный усилитель как сложный электронный прибор. Построение операционного усилителя, его основные компоненты. Схемы инвертирующего и неинвертирующего включения. Вычисление входного сопротивления, напряжения и единичного коэффициента усиления.
реферат, добавлен 20.12.2015Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
статья, добавлен 18.09.2018Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
реферат, добавлен 05.11.2017Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Принципиальная электрическая схема и описание ее работы: основные блоки, функциональная и структурная схема САУ. Магнитный усилитель и его передаточная и частотная характеристики. Анализ устойчивости и определение граничного коэффициента усиления.
курсовая работа, добавлен 10.06.2011Принцип работы, основные параметры, вольт-амперная характеристика тиристора. Однофазный однополупериодный выпрямитель на тиристоре: схема электрическая функциональная и временные диаграммы работы при разных величинах угла. Схема управления тиристором.
лекция, добавлен 02.08.2013Влияние оптических эффектов на функционирование волоконно-оптических систем. Методы усиления сигналов, созданных отдельным источником в электрические сигналы. Применение полупроводников и стекловолокон. Способы измерения усиления в ионных лазерах.
презентация, добавлен 28.12.2015- 37. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 21.09.2018Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
статья, добавлен 04.12.2018Расчет параметрического стабилизатора постоянного напряжения на кремневом стабилитроне. Режим работы транзистора и коэффициент усиления по напряжению. Основные сведения, классификация, назначение, интегральные микросхемы регистров, их основные параметры.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Расчет числа компонентов системы. Сущность и содержание диаграммы плавкости. Метод Розебума для определения состава трехкомпонентной системы. Удельная электрическая проводимость. Процессы на границе металл-раствор, формирующие двойной электрический слой.
контрольная работа, добавлен 10.12.2011Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022- 43. Полупроводники
Исторические сведения появления полупроводников. Электрическая и электронная проводимость металлов, движение электронов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. История открытия сверхпроводимости. Сущность понятия "ковалентная связь".
контрольная работа, добавлен 19.04.2013 Знакомство с основными методами определения зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Анализ электрических свойств твердых тел. Особенности экспериментальной установки для измерения сопротивлений проводника и полупроводника.
реферат, добавлен 17.05.2017Определение понятия солнечной батареи (фотоэлектрических преобразователей), принцип его работы и получения электрического тока. Физический принцип работы фотоэлемента, факторы, влияющие на его эффективность. Особенности расположения солнечных коллекторов.
реферат, добавлен 15.06.2014Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.
реферат, добавлен 22.01.2017Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Основные положения теории массообмена. Факторы, влияющие на коэффициент диффузии. Плотность потока массы в процессе конвективного массобмена. Граничные условия на поверхности раздела фаз, коэффициент массоотдачи. Аналогия процессов тепло- и массообмена.
лекция, добавлен 30.11.2016