Параметры полупроводников
Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
Подобные документы
Конструкция, характеристики и принцип работы термопарных преобразователей. Методы измерений и аппаратура, применяемые в калориметрии. Классификация и устройство калориметров. Факторы, влияющие на результат измерений. Выбор эффективного калориметра.
контрольная работа, добавлен 06.04.2017Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Полупроводники с собственной, электронной и дырочной проводимостью. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Контакт между полупроводниками одинакового типа проводимости. Концентрация примесей, воздействия светового и ионизирующего излучений.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Исторические аспекты развития ветряных установок, основные этапы их эволюции и современные достижения, сферы применения, перспективы в энергетике России. Принципы и схема работы данных устройств, фиксирование скорости турбины и влияющие факторы.
реферат, добавлен 31.01.2016Усилитель напряжения на биполярном транзисторе. Назначение элементов и принцип работы. Факторизация минимизированной функции. Схема в универсальном базисе. Внутреннее сопротивление источника входного сигнала. Максимальная амплитуда напряжения нагрузки.
курсовая работа, добавлен 12.05.2014Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.
контрольная работа, добавлен 21.10.2018Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Факторы, оказывающие влияние на условия работы контактной подвески. Эксплуатационные факторы воздействия и виды испытаний токоприемников. Анализ устройств их диагностики, выбор параметров и разработка структуры алгоритма диагностирования токоприемников.
контрольная работа, добавлен 24.09.2014Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 14.09.2018Классическая схема операционного усилителя. Принципиальная схема усилителя мощности на 50 Вт. Схема усилителя мощности с истоковым повторителем. Симметричная схема усиления на биполярных транзисторах. Схема Энтони Холтона и Эдвина Пайя и другие.
лекция, добавлен 14.11.2014Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2015Принцип действия, характеристики, параметры фотоприемников, их классификация и разновидности. Спектральная чувствительность данных устройств и факторы, влияющие на нее. Преимущества и недостатки фоторезисторов, способы изготовления, характерные свойства.
лекция, добавлен 17.08.2014Энергетические уровни парамагнитных веществ. Получение инверсии населенностей методом вспомогательного излучения в системе трех или четырех уровней. Разновидности квантовых парамагнитных усилителей, их параметры, особенности устройства и применения.
реферат, добавлен 02.08.2013Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.
дипломная работа, добавлен 28.12.2016Описание и принцип работы схемы обратноходового преобразователя. Структурная схема системы управления: датчик тока, суммирующий усилитель, устройство коррекции и пр. Расчет силовой части схемы, системы управления, источника опорного напряжения и пр.
курсовая работа, добавлен 09.11.2017Электрическая схема генератора постоянного тока, управление. Параметры регуляторов для реализации на операционном усилителе. Принципиальная схема инвертирующего регулятора. Согласующие, задающие элементы и датчики цифро-аналогового преобразователя.
контрольная работа, добавлен 30.03.2020- 72. Внутренние шумы
Минимальное значение усиливаемого сигнала и нормирование его ограничений. Обоснование флуктуации напряжений и токов в электрических цепях. Основные характеристики внутренних шумов, их источники. Параметры шумов электрических цепей, ламп, полупроводников.
реферат, добавлен 27.06.2015 Анализ генерации, рекомбинации и захвати носителей заряда в ионных соединениях при импульсном рентгеновском возбуждении по данным радиационно-индуцированной проводимости. Модель образования основного канала разряда в щелочно-галоидных кристаллах.
автореферат, добавлен 02.03.2018Исследования в области полупроводников и их значение для радиотехники, электротехники, автоматики, приборостроения, энергетики. Вопрос о характере движения электронов в полупроводнике. Свойства периодически повторяющейся элементарной ячейки кристалла.
статья, добавлен 20.09.2009Исследование эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного воздействия. Анализ их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Спектр носителей заряда в полупроводниковых системах.
автореферат, добавлен 29.03.2013