Параметры полупроводников
Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
Подобные документы
Исследование эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного воздействия. Анализ их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Спектр носителей заряда в полупроводниковых системах.
автореферат, добавлен 29.03.2013Общие понятия: принцип Д'Аламбера. Расчет на удар без учета массы ударяемого бруса. Учет массы ударяемого тела (бруса). Факторы, влияющие на величину предела выносливости: концентрация напряжений, качество поверхности детали, абсолютные размеры детали.
лекция, добавлен 23.09.2017Взаимодействие дрейфующих носителей заряда с бегущей волной электрического поля методом последовательных приближений. Создание волн электрического поля при помощи систем, сопряженных с полупроводниковой средой и упругими волнами в пьезополупроводнике.
статья, добавлен 08.12.2018Понятие электрического тока как переноса электрических зарядов. Характеристика основных структурных элементов атома. Особенности и порядок использования принципа Паули. Сущность туннельного эффекта и принцип действия функции распределения Ферми-Дирака.
лекция, добавлен 29.10.2013Явление намагниченности, его сущность и физическое обоснование. Теорема о циркуляции при наличии магнетиков, граничные условия для них. Энергия магнитного поля и основные факторы, на нее влияющие, критерии и параметры, принципы и этапы измерения.
реферат, добавлен 21.10.2013Область применения радиоэлектронного компонента из полупроводникового материала, позволяющего входным сигналом управлять током в электрической цепи. История сознания полупроводников и открытия транзисторного эффекта. Классификация токовых триодов.
реферат, добавлен 03.11.2014Изучение основных отличий схемотехники компараторов от ОУ. Разработка структурной схемы устройства и описание его работы. Анализ погрешностей устройств и способов их уменьшения. Временные диаграммы сигналов на входе и выходе усилителя-ограничителя.
курсовая работа, добавлен 26.11.2012Диэлектрик как вещество, практически не проводящее электрический ток. Концентрация свободных носителей заряда в диэлектрике. Способность диэлектрика поляризоваться во внешнем электрическом поле. Тепловое старение внутренней изоляции, снижение прочности.
реферат, добавлен 03.10.2013Предельно допустимые коэффициенты усиления по отклонению напряжения, условия устойчивости, пропорциональное регулирование. Влияние параметров стабилизации на предельный коэффициент усиления по напряжению. Колебательная устойчивость турбогенератора.
контрольная работа, добавлен 04.02.2020Сущность стабилитронов, принцип их действия и основные параметры. Вольтамперная характеристика стабилитрона. Принцип действия однотактного выпрямителя с помощью временных графиков напряжения. Схема реле времени. Расчет напряжения на коллекторе, его ток.
контрольная работа, добавлен 25.09.2011Кремний как стандартный материал современной микро- и наноэлектроники, особенности и условия его эффективного применения. Разработка и использование микроэлектронных и микроэлектромеханических компонентов, их внутренняя структура и принцип работы.
статья, добавлен 13.11.2018Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Расчет "Методом узловых потенциалов". Применение законов Кирхгофа. Проводимость между узлами. Метод эквивалентного генератора. Расчет замены звезды треугольником. Собственная проводимость узлов. Составление баланса исходной и преобразованной схем.
контрольная работа, добавлен 13.06.2013Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Нелинейные эффекты в волоконных световодах. Принцип работы волоконно-оптического ВКР (вынужденное комбинационное рассеяние)-усилителя. Предназначение рамановского усилителя, его характеристики. Особенности параметрического усиления, его недостатки.
реферат, добавлен 29.08.2015Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
курсовая работа, добавлен 24.12.2015Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
шпаргалка, добавлен 10.02.2017Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Электрические свойства кристаллов. Классическая электронная теория электропроводности металлов. Классификация проводниковых материалов. Электропроводность полупроводников, сверхпроводимость и ее природа. Специфика применения квантовой электроники.
реферат, добавлен 16.10.2013Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Выбор принципиальной электрической схемы инвертирующего усилителя с отрицательной обратной связью. Расчет номиналов, выбор типов навесных резисторов и типа операционного усилителя. Принципиальная схема блока питания с выбором стабилизатора напряжения.
курсовая работа, добавлен 15.02.2012Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Анализ современных проблем теплоснабжения малых объектов и поселений. Факторы, влияющие на эффективность трансформации теплоты тепловым насосом. Составляющие системы теплоснабжения на базе солнечного соляного пруда и котлована с водой в Омской области.
реферат, добавлен 20.11.2018Устройство и принцип действия, статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом. Основные параметры МДП – транзисторов и область их применения. Главные преимущества и недостатки полевых транзисторов. Усилители с общим истоком.
курсовая работа, добавлен 16.06.2022Использование фотоэлектрических преобразователей энергии для питания магистральных систем электроснабжения и различного оборудования на космических летательных аппаратах. Принципы работы ФЭП, характеристика полупроводников, преимущества и недостатки.
реферат, добавлен 05.06.2010