Иcследование полупроводниковых диодов
Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
Подобные документы
Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Разработка электронно-оптической системы циклотронного преобразователя энергии, которая включает пушку со сферическим катодом и магнитную систему, образованную кольцевыми радиально намагниченными магнитами, с потенциалом пучка 2000 В и током 0.14 А.
статья, добавлен 03.11.2018Устройство фотоэлементов с внешним фотоэффектом, принцип действия, их характеристики и область применения. Работа электронно-оптического преобразователя (ЭОП), предназначенного для преобразования изображения, а также для усиления яркости изображений.
контрольная работа, добавлен 04.04.2018Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.
реферат, добавлен 22.02.2015Описание процессов в электрических элементах и узлах аппаратуры. Характеристика электропроводности и эффектов полупроводников. Функционирование электронно-дырочных и металлополупродниковых переходов. Общее описание устройства полупроводниковых приборов.
книга, добавлен 26.03.2011Классификация изделий электронно-оптической техники по конструктивно-технологическим признакам. Пленочные элементы, конденсаторы и резисторы. Формирование легированных слоев, герметизация кристаллов. Основные методы производства волоконных световодов.
учебное пособие, добавлен 25.06.2013- 61. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Рассмотрение принципа действия прибора, его основных параметров и характеристик. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Характеристика особенностей статического и дифференциального сопротивления перехода при отсутствии напряжения.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Рассмотрение устройства и составляющих обратного тока точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Приведение характеристик, параметров, схем и назначения выпрямительных, импульсных, высокочастотных, туннельных диодов, варикапов и стабилитронов.
реферат, добавлен 24.05.2015Плавные переходы с микрополосковой на однополосковую линию. Рассмотрение планарной и непланарной конструкции перехода. Анализ распределения амплитуды электрического поля на частоте 31 ГГц при возбуждении перехода со стороны микрополосковой линии.
статья, добавлен 04.11.2018Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.
лекция, добавлен 01.09.2013Проведение наблюдений метеорных треков потока Персеид с помощью электронно-оптического преобразователя на микроканальной пластине МПН-8КМ и цифровой камеры. Существенная особенность повышения эффективности регистрации точечных объектов в сотни раз.
статья, добавлен 22.05.2018Типовая структура и параметры сопряжения гибких производственных систем. Этапы перехода машиностроительных предприятий на полную автоматизацию. Анализ внедрения проекта автоматизированного завода "Красный пролетарий", его программное обеспечение.
контрольная работа, добавлен 06.06.2010Изучение уравнений, описывающих электронно-волновое взаимодействие. Проведение исследования метода эквивалентных цепочек. Особенность получения дисперсионных характеристик петляющего волновода и зависимости коэффициента связи от сопротивления связи.
дипломная работа, добавлен 04.12.2019Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
курс лекций, добавлен 02.10.2016Причины потери и современные способы восстановления слуха. Анализ текущего состояния производства слуховых аппаратов, их виды, характеристики и особенности применения. Основные электроакустические параметры программируемых цифровых слуховых устройств.
статья, добавлен 28.01.2022Кодирование чисел с помощью электронно-вычислительных машин. Виды преобразователей кодов. Дешифраторы в системах цифровой индикации. Основные параметры серии микросхем на основе ТТЛШ технологий. Расчет электрической принципиальной схемы устройства.
контрольная работа, добавлен 10.12.2013Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Определение понятия сети и каналов связи. Оборудование, периферийные устройства и информационные ресурсы сетей электронно-вычислительных машин. Анализ архитектуры вычислительных сетей. Описание уровней модели OSI. Понятие протокола и стеков протоколов.
шпаргалка, добавлен 19.04.2016Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015