Иcследование полупроводниковых диодов
Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
Подобные документы
Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Принцип работы схемы генератора синусоидальных колебаний. Получение сигналов треугольной (а также пилообразной) и синусоидальной форм последовательным преобразованием исходных прямоугольных импульсов. Вольтамперная характеристика полевого транзистора.
контрольная работа, добавлен 18.10.2010Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.
реферат, добавлен 16.06.2014Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Изучение структуры p-n перехода. Особенность возникновения потенциального барьера. Анализ прямого и обратного включений. Суть уменьшения дифференциального сопротивления. Осмотр туннельного, лавинного и теплового пробоев. Диффузионная и барьерная емкость.
лекция, добавлен 23.09.2016Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Методы изготовления интегральных микросхем. Пентоды и их конструкции. Принцип работы МДП транзистора со встроенным каналом. Получение в кристалле многослойной структуры, воспроизводящей заданную электрическую схему, основные технологические процессы.
реферат, добавлен 29.03.2021Исследование экспериментальных данных об информационных критериях оценки методов и систем растрирования репродукций при моделировании процессов электронно-цифрового репродуцирования изображений. Анализ расчетов критериев оценки погрешности изображений.
статья, добавлен 29.01.2019Структурная схема электронно-счетного осциллографа. Принцип работы матричных осциллографов, их преимущества и недостатки. Устройства ввода-вывода исследуемых сигналов. Характеристики микроконтроллера фирмы Atmel. Измерение сигнала с цифровыми уровнями.
курсовая работа, добавлен 25.09.2016- 95. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Понятие и функциональная структура PIN диода, его вольт-амперная характеристика. Особенности применения PIN-диодов в качестве радиочастотных и СВЧ переключателей, аттенюаторов, ограничителей и фотодетекторов. Схема девятидиапазонного полосового фильтра.
реферат, добавлен 08.09.2010Принцип действия защитного устройства для приборов. Закон полноты частей системы, энергетической и информационной проводимости, согласования-рассогласования, увеличения степени идеальности, повышения динамичности и управляемости, перехода на микроуровень.
курсовая работа, добавлен 18.01.2013- 98. Телефонная связь
Порядок перехода на телефонные средства связи и восстановления действия автоблокировки при перерыве действия поездной диспетчерской связи. Характеристика основных форм поездных телефонограмм при движении поездов на однопутных и двухпутных участков.
контрольная работа, добавлен 14.03.2017 Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода. Тиристор в роли электронного ключа. Характеристики и параметры оптронов. Параметры, характеризующие транзисторную оптопару.
контрольная работа, добавлен 09.02.2014Особенности дискретного управления. Преобразование последовательности импульсов. Параметры импульсных элементов. Функциональные схемы цифровых систем. Цифровые средства обработки информации в системах. Аналоговые электронно-вычислительные машины.
контрольная работа, добавлен 08.11.2015