Иcследование полупроводниковых диодов
Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
Подобные документы
Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Получение ряда квантованных действительных значений, характеризующих измеряемую величину при регистрации внешних аналоговых сигналов на выходе аналого-цифрового преобразователя. Определение способа перехода от действительного сигнала к комплексному.
статья, добавлен 19.02.2021Электрические характеристики перовскитных диодиов. Использования перовскитов в качестве материалов для фотоприемников. Фотодиоды на основе гибридных материалов. Вольтамперная характеристика и импульсная реакция фотопроводника. Программное обеспечение.
диссертация, добавлен 10.08.2020- 104. Основы техники связи
Прямое и обратное включение p-n-перехода. Виды электронных сигналов и параметры передачи сигналов по каналам связи. Спектральное представление сигналов детерминированными сигналами. Условия самовозбуждения автогенераторов гармонических колебаний.
лабораторная работа, добавлен 13.01.2011 - 105. Виды мониторов
Общая характеристика различных видов мониторов: с электронно-лучевой трубкой, жидкокристаллических, плазменных, пластиковых. Схема устройства цветного кинескопа. Основные преимущества LCD и плазменных дисплеев, принципы передачи изображения в них.
презентация, добавлен 25.11.2012 Описаны характеристики, принцип действия, функциональные особенности, краткая история создания и разработки, конструкция, наиболее распространённые модели и фирмы производители ЭЛТи, LCD и TFT-мониторов. Сравнения моделей и характеристик мониторов.
контрольная работа, добавлен 29.04.2014Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Изучение универсального электронно-лучевого осциллографа (ЭЛО); получение навыков работы с осциллографом; овладение методикой осциллографирования и измерение параметров непрерывных сигналов с помощью ЭЛО. Проверка градуировки генератора по частоте.
лабораторная работа, добавлен 06.03.2021Клистроны как электронно-лучевые приборы сверхвысоких частот с динамическим управлением электронным потоком, классификация и типы, схема действия и функциональные особенности. Лампа бегущей волны, ее формы и преимущества. Понятие и признаки магнетронов.
реферат, добавлен 12.01.2012Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.
лекция, добавлен 04.10.2013Увеличение дальности действия высокочастотных радиосистем. Принцип детектирования сверхвысокочастотного сигнала. Назначение и технические характеристики диодов с барьером Шоттки. Электрическая схема синхронного детектора радиоприёмного устройства.
реферат, добавлен 19.03.2019История развития и принцип действия теории магнитодинамики и основания радиотехнических решений. Характеристика устройства для ввода звуковой информации по патенту № 1751802 РФ, его структурные элементы. Синтезатор речи, структура и принцип его действия.
статья, добавлен 03.02.2014Основные характеристики мониторов. Устройство, разновидности жидкокристаллических дисплеев. Принцип формирования изображения в мониторах на базе электронно-лучевой трубки. Лазерные печатающие устройства. Методы подачи чернил. Аналоговая передача сигналов.
реферат, добавлен 15.01.2016Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Исследование процесса накопления повреждений сверхвысокочастотных диодов при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Статистический анализ вероятности отказа СВЧ диодов от мощности воздействующих радиоимпульсов в полиимпульсном режиме.
статья, добавлен 30.10.2018Сущность широкополосного усилителя сигнала и принципы его работы. Определение коэффициента передачи входного и промежуточного каскадов, их электрическая схема. Выбор транзистора, диодов и стабилитрона, расчет источников питания и силы тока эмиттера.
курсовая работа, добавлен 01.07.2014- 118. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.
лабораторная работа, добавлен 01.06.2022- 120. Светодиодные игрушки
Принцип работы сдвигового регистра, обзор существующих аналогов. Разработка функциональной и электронно-принципиальной схемы устройства. Алгоритм работы программы. Разработка устройства светодиодная игрушка - снежинка. Технические характеристики гирлянды.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017 Движение электронов в ускоряющем электрическом поле. Анализ принципа действия триода. Схематическое устройство кинескопа для черно-белого телевидения. Кристаллическая структура полупроводника на плоскости. Классификация и маркировка транзисторов.
курс лекций, добавлен 09.07.2017Аспекты согласования форматов файлов используемых для регистрации биологических сигналов. Характеристика структуры данных и перехода от собственных параметров к стандартным и при проведении государственных испытаний и сертификации медицинского изделия.
статья, добавлен 12.01.2018Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016- 124. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Расчёт параметров термоэмиссионного катода вакуумного электронно–лучевого прибора и электростатической системы управления потоком электронов. Устройство и принцип работы кинескопа. Ионная ловушка. Проблема ускоренного износа катода. Процесс развёртки.
курсовая работа, добавлен 08.12.2016