Исследование характеристик полупроводникового чувствительного элемента с тензорезисторами из высокоомного кремния
Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
Подобные документы
Рассмотрение статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора. Определение главных параметров подключения рассматриваемого полупроводникового устройства с общим эмиттером, предназначенного для увеличения мощности электрического тока.
лабораторная работа, добавлен 29.06.2014Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Выбор и обоснование выпрямительной схемы. Расчет напряжения, токов и мощности трансформатора. Подбор типа диодов и разработка соединения плеч преобразователя. Исследование внешних характеристик агрегата, коммутации, защиты и аварийных режимов работы.
курсовая работа, добавлен 13.05.2015Обзор современного состояния солнечной энергетики на основе кремния. Металлургический кремний, производимый в руднотермических печах (РТП), с последующей очисткой от примесей и с получением поликремния. Термодинамическая модель выплавки кремния в РТП.
статья, добавлен 28.01.2019Изучение причин температурной нестабильности компаратора. Рассмотрение упрощенной структурной схемы автоопределения электрического предела. Определение нестабильности чувствительности напряжения. Закон распределения мультипликативной погрешности.
реферат, добавлен 28.10.2014Проектирование датчика электромагнитного поля. Зависимость результатов от диэлектрической проницаемости корпуса датчика и измеряемой среды, а также от размеров чувствительного элемента, влияющие на результат измерения параметров электромагнитного поля.
статья, добавлен 02.02.2019Описание системы для обнаружения наркотических веществ во внелабораторных условиях. Использование сенсоров на поверхностно-акустических волнах в качестве чувствительного элемента. Средства для обработки проб воздуха, устройства для передачи информации.
статья, добавлен 06.03.2018Рассмотрение способов измерения кажущегося удельного сопротивления обычными зондами. Знакомство со способами вычисления удельного сопротивления. Общая характеристика высокоомного пласта ограниченной мощности. Анализ теории метода квантового смещения.
презентация, добавлен 28.10.2013Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Расчет токов ДТЛ схемы, статические характеристики. Расчет потребляемой мощности схемы. Определение логических уровней U0вых, U1вых по заданным формулам. Схемы измерения входной, передаточной и выходных характеристик ДТЛ-элемента при использовании ПНСХ.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2011Проблема недостатка запасов кремния с требуемыми параметрами и их получение с минимальными затратами. Результаты анализа и обсуждение данных, посвященных последним тенденциям в области использования компенсированного кремниевого сырья при росте слитков.
статья, добавлен 27.11.2018Описание структурной схемы индуктивно-полупроводникового балласта. Экспериментальные значения отклонений параметров ламп ДРИ-2000 и ДНаТ-400 при питании через индуктивно-полупроводниковый балласт. Синхронизация работы электронного блока с сетью.
реферат, добавлен 18.03.2019Изучение кинетики анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах. Анализ степени влияния связных добавок на состав, строение и свойства пленок анода диоксида силиция. Создание элементов кремниевых приборов и интегральных микросхем.
автореферат, добавлен 15.11.2015Принцип действия частотно-перестраиваемого полупроводникового лазера полосковой конструкции. Частотно-перестраиваемый дисковый полупроводниковый лазер. Рассмотрение примеров модификации частотно-перестраиваемого полупроводникового дискового лазера.
реферат, добавлен 08.02.2016Исследование структурной схемы реализации принципов гальванического элемента в топливном элементе ядерного реактора. Характеристика механизма возникновения электродвижущей силы. Методика расчета количества кинетической энергии одного осколка урана.
статья, добавлен 24.11.2018Основные методы формирования и свойства слоев пористого кремния. Температурные зависимости удельного сопротивления бесцветного кристалла, испещренного порами с высокой пористостью. Главная характеристика отпора среды продуктов электрохимических реакций.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.
реферат, добавлен 23.05.2015Измерение размеров силицидов кобальта, образующихся при диффузионном легировании кремния атомами кобальта методом малоуглового рассеяния излучения лазера. Специфика образования силицидов кобальта размерами 0,8-30 мкм в приповерхностной области кремния.
статья, добавлен 22.06.2015Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.
курсовая работа, добавлен 18.02.2016Методы получения кварцевых емкостей для нагрева, высушивания, сжигания, обжига или плавления монокристаллов кремния. Влияние примесей в материале тигля на качество и анизотропию физических свойств однородных кристаллов. Механические свойства тигля.
статья, добавлен 28.02.2016Принцип действия однополярного и двухтактного потенциометрических датчиков. Их конструкционное устройство и электрические схемы. Функции в системах автоматического регулирования в качестве чувствительных элементов. Недостатки и достоинства измерителя.
лабораторная работа, добавлен 29.10.2013Разработка метода лазерного структурирования монокристаллического кремния, основанного на самоорганизации поверхности и возникновении спонтанно упорядоченных структур. Формирование в расплаве кремния волнообразных, концентрических, пирамидальных структур.
статья, добавлен 30.01.2018Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины плёнки на её электрофизические свойства. Создание структур "кремний на изоляторе", измерение методом эллипсометрии. Исследование электрофизических свойств структур в условиях анодного окисления.
дипломная работа, добавлен 15.10.2013Анализ влияния нейтронного облучения на радиационную стойкость кремния. Изучение изотермического отжига образцов при разных температурах с целью определения основных параметров отжига дефектов. Зависимость эффективной концентрации носителей от флюенса.
статья, добавлен 14.11.2013Обзор важных свойств полупроводниковых приборов. Методы измерения их характеристик. Расчетные соотношения рабочих характеристик и энергетических показателей промышленного электрооборудования. Примеры выполнения расчета полупроводникового выпрямителя.
методичка, добавлен 30.03.2016