Исследование характеристик полупроводникового чувствительного элемента с тензорезисторами из высокоомного кремния
Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
Подобные документы
Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
реферат, добавлен 29.03.2021Анализ туннельной плотности поверхностных состояний и проводимости поверхностной реконструкции Si(111)-7x7 образцов с величиной удельного сопротивления 1 Ωсм. Измерения температурной зависимости проводимости поверхности в диапазоне температур от 35-1
статья, добавлен 03.11.2018Анализ значения напряжения холостого хода солнечного элемента при различных уровнях освещенности. Показано, что данная величина может адекватно характеризовать уровень освещенности поверхности солнечного элемента. Оценка уровня освещенности поверхности.
статья, добавлен 30.01.2017Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015Показаны тенденции развития фотоэлектрического преобразователя, который основан на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Описание фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационных эффектов, методы повышения КПД.
статья, добавлен 19.06.2018Принципы работы параметрических стабилизаторов напряжения, описание и специфика их действия. Измерение характеристик компенсационного стабилизатора постоянного напряжения, описание условий его эксплуатации. Понятие, особенности и применение стабилитрона.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015Определение удельного сопротивления раствора электролита. Особенности электрического сопротивления металлов. Процесс фокусировки электронного пучка магнитным полем, кaлибровка термопары. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.
дипломная работа, добавлен 14.09.2017Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.
курс лекций, добавлен 25.02.2014Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Синтез свойств углеродных нанотрубок. Изучение капиллярных явлений. Анализ удельного электрического сопротивления полупроводникового материала. Суть полевой эмиссии и экранирования электронов. Изготовление светодиодов на основе органических материалов.
контрольная работа, добавлен 24.04.2017Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021Основные требования, предъявляемые к релейной защите. Описание ячейки электродвигателя с напряжением 6 кВ. Внедрение фотоуправляемого полупроводникового реле. Испытание силовой части электрооборудования и блока микропроцессорной релейной защиты.
диссертация, добавлен 24.05.2018Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016- 89. Эффекты влияния высоких давлений в наноразмерных порошковых системах на основе диоксида циркония
Исследование влияния высоких гидростатических давлений на дисперсные системы на основе диоксида циркония. Характеристика процесса прессования аморфных нанопорошков. Анализ гидростатического давления на степень тетрагонально-моноклинного превращения.
статья, добавлен 26.03.2016 Характеристика полупроводникового прибора, создающего оптическое излучение при пропускании через него электрического тока. Исследование основных свойств, принципа работы и преимуществ светодиодов. Спектр излучения светодиода и его влияние на зрение.
реферат, добавлен 24.11.2014Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Классификация гидрораспределителей по конструкции запорно-регулирующего элемента. Рассмотрение схемы работы золотникового гидрораспределителя. Гидрораспределитель с ручным и электрогидравлическим управлением. Конструктивные исполнения золотников.
лекция, добавлен 17.05.2015Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014- 94. Исследование надежности оболочек тепловыделяющего элемента водо-водяного энергетического реактора
Анализ усредненного по тепловыделяющей сборке водо-водяного энергетического реактора мощностью 1000 МВт тепловыделяющего элемента. Поиск элементов, для которых вероятность разгерметизации оболочек после 4 лет эксплуатации Хмельницкой АЭС-2 наибольшая.
статья, добавлен 14.07.2016 Выбор силового трансформатора и полупроводниковых приборов. Расчет гармонического состава тока. Выбор элементов пассивной защиты от аварийных токов и перенапряжений. Проектирование принципиальной схемы и электрический расчет функциональных элементов.
курсовая работа, добавлен 05.06.2016Метод для изготовления трехмерного кремниевых наноструктур на основе выборочного формирования пористого кремния. Изобретение 2D/3D кремниевых фотонных кристаллов. Изучение их структуры полосы и сопряжение градиента частного Рейли в основании волны.
статья, добавлен 17.11.2015Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.
контрольная работа, добавлен 08.06.2012Изучение зонных диаграмм полупроводников, диэлектриков и металлов. Определение принципа работы полупроводникового стабилитрона. Рассмотрение каскада усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и режима работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 24.12.2013Рассмотрение особенностей развития микроэлектроники, основные этапы. Полупроводники как наиболее распространенная в природе группа веществ. Характеристика методов получения монокристаллов кремния. Знакомство с биполярными и полевыми транзисторами.
курс лекций, добавлен 27.01.2013Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона. Расчет номинального значения напряжения питания стабилизатора, коэффициента сглаживания пульсаций. Определение мощностей, рассеиваемых резистором. Проверка работоспособности стабилизатора.
лабораторная работа, добавлен 15.05.2014