Исследование характеристик полупроводникового чувствительного элемента с тензорезисторами из высокоомного кремния
Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
Подобные документы
Исследование электростатического поля. Определение ЭДС элемента методом компенсации. Измерение сопротивления методом моста Уитстона. Последовательное и параллельное соединение проводников. Определение емкости конденсатора при помощи мостиковой схемы.
методичка, добавлен 24.06.2015Особенность определения характеристик трещиностойкости. Построение на основе графовой модели сингулярного элемента, предназначенного для расчета напряженно-деформированного состояния в окрестности особых точек разреза и вблизи остроконечных включений.
статья, добавлен 29.10.2018Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2015Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Задание физических характеристик нелинейных элементов при расчете электрических цепей. Графическая диаграмма вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. Использование нелинейных свойств элементов электрических цепей в радиоэлектронике.
лекция, добавлен 23.07.2013- 57. Диффузное и дрейфовое движение электронов в N-типе кремния, облученного быстрыми нейтронами реактора
Анализ области температур диффузного и дрейфового движения электронов в N-типе кремния после облучения быстрыми нейтронами реактора. Расчет температурных зависимостей концентрации носителей в проводящей матрице и в объеме образцов, дрейфовых барьеров.
статья, добавлен 02.09.2013 Изучение принципа действия и конструкции индукционных датчиков как бесконтактных датчиков, предназначенного для контроля положения объектов из металла. Снятие статических характеристик индукционных датчиков, определение коэффициентов их чувствительности.
лабораторная работа, добавлен 15.12.2019Влияние лазерного вещества на конструкцию фотоэлемента из тонких пленок оксида цинка, аморфного кремния на стекле. Моделирование рекристаллизации в твердофазном состоянии. Взаимодействие поверхности кремния при воздействии импульсного лазерного излучения.
статья, добавлен 30.07.2017Основные характеристики, свойства и энергетические состояния атомного ядра. Радиоактивность как самопроизвольное превращение одного химического элемента в изотоп другого элемента. Понятие об Альфа и Бета-распаде, Гамма излучении ядер и ядерной изомерии.
учебное пособие, добавлен 30.07.2015Исследование электростатического поля и электрического сопротивления металлов. Определение горизонтальной составляющей напряженности магнитного поля земли. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Изучение термоэлектрических явлений.
учебное пособие, добавлен 29.09.2017Система координат и действующие нагрузки. Разработка теоретических методов определения упругих характеристик нанообъектов на основе теории ученого С.П. Тимошенко. Уравнения равновесия малого элемента балки. Частотное уравнение в теории С.П. Тимошенко.
автореферат, добавлен 31.07.2018- 63. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Рассмотрение истории возникновения понятия положительного и отрицательного заряда электричества. Обзор эксперимента по выравниванию электрических потенциалов на двух электроскопах. Анализ демонстрации электрических султанов и структуры ядра атома кремния.
лекция, добавлен 05.02.2019Ознакомление со специфическими особенностями энергетического разрешения полупроводникового детектора. Рассмотрение и характеристика структуры спектрометрических и нейтронных детекторов. Исследование и анализ потерь энергии на фотоядерные взаимодействия.
курсовая работа, добавлен 12.11.2015Установление закономерностей образования электрически активных центров в слоях кремния, имплантированных ионами различных редкоземельных элементов. Изучение возможностей повышения концентрации донорных центров и разработка модели их образования.
автореферат, добавлен 31.07.2018Структура, основные параметры и принципы работы фотоприемника. Изображение принципиальной схемы включения семисегментного полупроводникового индикатора. Входной двоичный код и состояние выходов дешифратора. Расчет длины волны и силы света светодиода.
контрольная работа, добавлен 06.11.2014Суть принципиальной тепловой схемы турбоустановки. Расчет давлений в отборах турбины, вычисление параметров процесса расширения пара в отсеках. Определение расходов пара, конденсата в элементах тепловой схемы. Проверка расчета по материальному балансу.
курсовая работа, добавлен 31.05.2016Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
лекция, добавлен 23.06.2013Рассмотрение возможности создания установки косвенного нагрева. Способ изготовления нагревательного элемента и описание принципа работы установки. Новые отрасли применения СВЧ установок. Характеристика структуры микроволнового нагревательного элемента.
статья, добавлен 23.02.2019- 71. Ресурсосберегающие технологии и их реализация на основе системы неполяризованных ионных радиусов
Исследование физических свойств атомов или ионов при описании характера межатомного взаимодействия различных по природе химической связи веществ. Влияние примесей разных элементов в монокристаллах кремния на термическую стабильность его качеств.
статья, добавлен 21.01.2018 Рассмотрение технических характеристик датчиков, особенностей применения датчиков в зависимости от типа электропривода. Назначение измерительных трансформаторов. Произведение оценки точности измерения скорости привода с дискретным датчиком типа ПДФ-5.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Расчет и построение внешней и регулировочной характеристик преобразователя. Характеристика типов линейных и цифровых интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017- 74. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Разработка систем на основе энергии Солнца. Преимущества и недостатки технологии тонкопленочных солнечных элементов из аморфного гидрогенизированного и микрокристаллического кремния. Методы получения пленок. Повышение конкурентоспособности фотовольтаики.
статья, добавлен 15.06.2018