Деградационные явления в гетероструктурах на основе GaN
Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
Подобные документы
Анализ безопасности проводных и Wi-Fi сетей. Использование светодиодных источников освещения как передатчиков системы защищенной связи. Применение интерфейса PLC. Изучение пропускной способности канала и коэффициента битовых ошибок в технологии VLC.
статья, добавлен 30.07.2017Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Изучение вопроса уменьшения пик-фактора OFDM сигнала с помощью методов, основанных на ограничении сигналов. Разработана программа в MatLab для моделирования передачи OFDM сигнала через канал с аддитивным белым Гауссовским шумом. Алгоритм работы программы.
статья, добавлен 30.04.2018Изучено устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов. Применение фоторезисторов. Регистрация оптического излучения. Световое реле для освещения улиц.
реферат, добавлен 17.02.2022Использование метода сравнения показаний при определении погрешности средств измерений в метрологии. Принцип действия полупроводниковых приборов. Применение транзистора в радиоэлектронике. Средства пожаротушения, их назначение и правила эксплуатации.
контрольная работа, добавлен 07.10.2015Понятие, сущность и значение активного оптрона. Характеристика оптоэлектронных преобразователей света и изображений. Логические элементы на основе оптронов, применение и перспективы. Создание твердотельного аналога электронно-оптического преобразователя.
лекция, добавлен 17.08.2014Суть и механизм работы декодера. Использование алгоритмов, основанных на лексикографическом подходе и выделении из множества разрешенных комбинаций. Применение метод подбора вектора локаторов ошибок, что приводит к снижению сложности реализации декодера.
статья, добавлен 02.04.2019Передача мультимедийного трафика реального времени с соблюдением требований по качеству обслуживания как актуальная задача в современных телекоммуникациях. Способы повышения коэффициента использования сети на основе стохастической глобальной оптимизации.
статья, добавлен 28.05.2017Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Основные положения и методы анализа теории телетрафика в телекоммуникациях. Процедуры проектирования телекоммуникационных систем и сетей. Математические модели систем распределения информации. Имитационное моделирование систем массового обслуживания.
учебное пособие, добавлен 24.06.2014Применение в народном хозяйстве электронной цифровой вычислительной техники. Поколение ЭВМ на основе интегральных схем с большой степенью интеграции элементов (БИС). Микропроцессорные вычислительные машины на основе БИС. Структура микропроцессора.
реферат, добавлен 25.01.2016Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Системное влияние эффектов рефракции на результаты измерений, осуществляемых с помощью электромагнитных волн, прошедших тропосферу и ионосферу Земли. Анализ роли эффектов в формировании погрешности измерений для навигационных спутниковых систем.
статья, добавлен 14.07.2016Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Изучение проблем конструирования и оптимизации свойств гибридных разностных схем с применением подхода численно-визуального исследования, позволяющего модифицировать и изучить параметрические свойства разностной схемы с помощью визуального представления.
статья, добавлен 28.10.2018Диаграммы рассеяния плоской акустической волны на вытянутом сфероиде и вытянутых металлических сфероидальных оболочках. Использование параметрических излучающих антенн на основе нелинейных эффектов. Различия между идеальными и реальными условиями работы.
статья, добавлен 21.06.2018- 47. Методика измерения параметров объектов телекоммуникаций на основе технологии виртуальных приборов
Анализ методики измерения параметров объектов телекоммуникаций ОТК на основе технологии виртуальных приборов которая опирается на методику выполнения прямых измерений с многократными независимыми наблюдениями и основные положения обработки результатов.
статья, добавлен 15.08.2020 Описание устройства аналогового цифрового ампервольтомметра Ц4341 и прибора DT-9205A. Изучение порядка проведения измерений электрического сопротивления, величины тока и напряжения в цепях постоянного и переменного тока переносным ампервольтомметром.
лабораторная работа, добавлен 18.06.2015Существующие методы оценки интенсивности транспортного потока. Реализация в пакете MATLAB алгоритма вычисления интенсивности транспортного потока на базе фиксации амплитудной величины акустического сигнала. Апробация на улично-дорожной сети Пензы.
статья, добавлен 29.07.2017На основе численного решения гиперсингулярных интегральных уравнений определение распределения электрического поля в двух главных плоскостях однозеркальной антенны в ближней зоне смоделированого с помощью датчика в виде электрического вибратора.
статья, добавлен 04.11.2018