Деградационные явления в гетероструктурах на основе GaN
Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
Подобные документы
Обзор различных типов датчиков, их классификация, описание принципов работы и области их применения. Фундаментальные явления, лежащие в основе работы оптических химических сенсоров. Применение интегральных оптических датчиков в микроэлектронике.
статья, добавлен 07.11.2018Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Селенид цинка как один из типичных представителей соединения А2В6, его использование в качестве активной среды лазеров, экранов цветного телевизора, оптических модуляторов света и других оптоэлектронных приборов. Свойства исследуемых гетероструктур.
статья, добавлен 30.12.2016Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Классификация электронных ключей по способу подачи сигналов. Электронные ключи на полупроводниковых диодах. Схемы ключей на биполярных транзисторах. Логические элементы и логические интегральные схемы. Переход ключа из разомкнутого состояния в замкнутое.
реферат, добавлен 28.06.2015Проект усилителя электрических сигналов первичных измерительных преобразователей систем автоматического регулирования. Входные и выходные характеристики транзисторов. Особенности современных усилителей. Эксплуатационно-технические характеристики системы.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Анализ метода передачи дискретных сообщений на основе интеллектуального модема с многочастотной модуляцией. Оценка параметров модема с целью выравнивания характеристик частотно-ограниченного канала связи на основе оптимальной рекуррентной фильтрации.
статья, добавлен 30.10.2018Навыки работы в автоматизированной среде Multisim 10. Разработка и исследование мультивибратора на биполярных транзисторах одной проводимости. Исследование компаратора на основе операционного усилителя. Разработка одновибратора в интегральном исполнении.
курсовая работа, добавлен 22.06.2012Технология Radio Frequency Identification - бесконтактная идентификация с помощью радиочастоты. Техника автоматической идентификации на основе сохранения и приема сигналов от удаленного предмета с использованием смарт-карт. Система распознавания лиц.
статья, добавлен 06.05.2018Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Точность измерения минимальной скорости потока в абсолютных единиц. Структурная схема измерителя скорости потока жидкости. Расчёт и выбор элементов электрической принципиальной схемы устройства. Выбор входов и коэффициента деления счётчика ИС К564ИЕ15.
курсовая работа, добавлен 13.05.2016Вивчення впливу низькотемпературного відпалу на спектри ядерного квадрупольного резонансу і характеристики гетерофотодіодів на основі моноселенідів індію та галію. Встановлення оптимального режиму термообробки вихідних матеріалів та їх гетероструктур.
автореферат, добавлен 20.07.2015Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Разработка физико-технологического базиса создания планарных квазиодномерных структур наноэлектроники и способов формирования функциональных устройств. Применение методов микроэлектроники интегральных сенсорных устройств на основе углеродных нанотрубок.
автореферат, добавлен 30.01.2018Характерные особенности сетей на основе мобильных устройств. Применение механизма watchdog для обнаружения эгоистичного поведения. Принцип работы watchdog. Рассмотрение примера, иллюстрирующего идею, лежащую в основе контроля эгоистичных узлов.
статья, добавлен 02.11.2018Изучение обработки изображений на основе матриц фоточувствительных приборов с зарядовой связью. Анализ особенностей выделения неподвижных и движущихся слабоконтрастных объектов при пониженной неоднородности чувствительности ячеек матрицы прибора.
статья, добавлен 23.01.2019Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Последовательная схема, предназначенная для выполнения микрооперации счета и хранения слов. Построение счетчиков на основе счетных триггеров со специальными межразрядными связями, на основе сдвигающих регистров счетчиков и многоустойчивых элементов.
лабораторная работа, добавлен 08.09.2013Перспективы внедрения разнообразных технологий и протоколов передачи данных, в том числе и в сетях связи силовых структур. Применение интегрированных решений на основе универсальных телекоммуникационных платформ. Анализ рынка коммутационного оборудования.
статья, добавлен 15.08.2020Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Исследование гальваномагнитных явлений в полупроводниках. Параметры устройств на основе гальваномагнитных явлений и обоснование выбора материалов для их изготовления. Анализ приборов и устройств, использующих гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Причины выбора принципиальной схемы на транзисторах. Методика определения амплитудных значений тока на нагрузке в усилителе мощности. Расчет величины резисторов защиты и эмиттерного повторителя на транзисторах. Технология изготовления печатной платы.
курсовая работа, добавлен 14.01.2015