Деградационные явления в гетероструктурах на основе GaN
Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
Подобные документы
Проектирование и реализация светофора на основе микроконтроллера ATtiny25V. Поочередный пропуск участников движения через участок улично-дорожной сети с помощью устройства. Суть значения и чередования сигналов. Разработка программы на языке ассемблер.
курсовая работа, добавлен 18.09.2016Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.08.2023Изучение нового алфавита цифровых знаков на основе 4-сегментного цифрового формата индикатора. Преимущества начертания знаков на основе новых цифровых форматов перед начертанием знаков на основе 7-сегментного формата, их использование при моделировании.
статья, добавлен 14.07.2020- 54. Интегральные сенсоры угловых скоростей и линейных ускорений LR-типа на основе углеродных нанотрубок
Технологии формирования наноструктурированных материалов и гибридных сенсорных систем на основе углеродных нанотрубок. Результаты моделирования наномеханического сенсора LR-типа в зависимости от изменений внешних воздействий с перекрытием по времени.
статья, добавлен 29.05.2017 Применение неинвазивных измерений в кардиологии. Определение артериального давления методом компенсации. Автоматизация обработки биологических данных о пациенте. Принципиальная архитектура компонент активных интеллектуальных датчиков управления пульсом.
статья, добавлен 05.11.2018Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Изучение принципа работы и состава сумматоров, вычитателей, инкременторов, декременторов и схем на их основе. Методы синтеза структур сумматоров и схем на их основе на базе современных ИС малой и средней степени интеграции. Сборка и наладка схем.
лабораторная работа, добавлен 06.10.2014Характеристика последовательного периферийного интерфейса SPI (serial-to-parallel interface) на основе токовой логики. Реализация регулировки тока потребления с помощью резистора источника опорного тока. Подбор необходимой амплитуды выходного сигнала.
статья, добавлен 11.01.2018Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009Принципы действия аналоговых устройств на биполярных и полевых транзисторах. Определение элементов принципиальных схем по требуемому виду частотных, фазовых и переходных характеристик. Построение функциональных устройств на основе операционных усилителей.
учебное пособие, добавлен 26.03.2013Изучение свойств и принципов действия усилителей низкой частоты на биполярных транзисторах, а также методики проектирования и расчета генераторов колебаний прямоугольной формы с управляемой частотой следования импульсов. Обоснование структурной схемы.
контрольная работа, добавлен 06.02.2013Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Описание устройств синхронизации генераторов псевдослучайных последовательностей на основе временного дискриминатора. Анализ свойств псевдослучайных последовательностей Баркера и их использования в устройствах кадровой синхронизации передачи сообщений.
статья, добавлен 13.02.2016Разработка методов увеличения мощности лазерных пучков, уменьшения их угловой расходимости до близкой к дифракционной. Выбор средств точного наведения электроразрядного лазера с помощью внутрирезонаторных пространственно-временных модуляторов света.
автореферат, добавлен 13.02.2018Анализ частотных свойств шлейфных структур на основе теоремы о каскадном включении реактивных симметричных четырехполюсников. Каскадные структуры с широкополосными короткозамкнутыми шлейфами. Полосы заграждения математической полосы пропускания.
статья, добавлен 30.10.2018Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
статья, добавлен 04.11.2018Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Взаимосвязь между энергетическим спектром молекулы и транспортными характеристиками мономолекулярного одноэлектронного транзистора на основе молекулы. Применение метода имитационного моделирования Монте-Карло. Расчет эффективных емкостных параметров.
статья, добавлен 03.11.2018Лазерный интерферометр как оптический интерферометр, в котором источником света используется лазер. Принципы построения приборов для измерения линейных перемещений и их применением в прецизионных металлорежущих станках. Научно-исследовательские работы.
методичка, добавлен 27.04.2015Автоматизация процесса измерений в производстве деталей оборудования. Применение контактного щупа (резистивного прибора), точность проведения измерений. Наладка модульной системы OMM-2. Интерфейс OSI. Принцип действия координатно-измерительных машин.
контрольная работа, добавлен 20.02.2018Рассмотрена проблема приборно-методического обеспечения работ по специальной оценке условий труда. Представлен подход к выбору аппаратуры для проведения измерений вредных производственных факторов, в основе которого положен метод экспертных оценок.
статья, добавлен 29.07.2017Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Сравнение двоичного и троичного аналого-цифрового преобразователя. Описание метода кодировки цветов с помощью троичной логики на основе многоканального объемного органического RGB диода, позволяющего выполнять несколько троичных операций одновременно.
статья, добавлен 02.04.2019Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015