Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
Подобные документы
Метод построения малогабаритных датчиков мощности, входящих в состав широкополосного четырехщелевого преобразователя. Современные СВЧ диоды с барьером Шотки в SMD исполнении. Разработка и анализ датчиков мощности для ВЩП трехсантиметрового диапазона.
статья, добавлен 04.09.2013Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.
реферат, добавлен 21.07.2013Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
курсовая работа, добавлен 11.03.2020Оптоэлектронные приборы, их определение, устройство и принцип работы. Выпрямительные диоды, их определение и устройство. Работа транзистора в режиме насыщения. Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств. Распространение световых лучей.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
статья, добавлен 23.01.2018Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Увеличение дальности действия высокочастотных радиосистем. Принцип детектирования сверхвысокочастотного сигнала. Назначение и технические характеристики диодов с барьером Шоттки. Электрическая схема синхронного детектора радиоприёмного устройства.
реферат, добавлен 19.03.2019Использование автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и сред. Исследования эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна. Компьютерное моделирование работы автодина.
дипломная работа, добавлен 18.10.2011Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
статья, добавлен 03.11.2018Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Длина экранирования Дебая. Распределение концентрации носителей, заряда и поля в частично освещенном полупроводнике. Распределение носителей в однородном образце при генерации их светом. Спектральное распределение фототока. Появление диффузионного тока.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Свойства электронно-дырочного или p-n-перехода. Диод как электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля, свойства и применение транзистора и тиристора. Однокаскадные и двухкаскадные усилители.
курсовая работа, добавлен 18.05.2014Рассмотрение использования и конструкции диода Ганна. Анализ подходов выполнения низкоомных омических контактов, необходимых для подвода тока для работы диодов Ганна. Режимы использования генераторов на диоде Ганна в зависимости от питающего напряжения.
статья, добавлен 19.02.2019Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых туннельных и обращенных диодов. Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора. Определение дифференциального сопротивления туннельного диода.
лабораторная работа, добавлен 28.06.2015Серийные сверхвысокочастотные детекторы отечественных и зарубежных производителей. Электрические параметры широкополосных и узкополосных детекторов. Технические характеристики волноводных детекторов для волноводов, детекторы на основе диодов Шоттки.
статья, добавлен 29.07.2017Дифференциальные каскады с повышенным коэффициентом усиления. Усилители Гильберта с параллельным каналом преобразования сигнала. Кремниевые СВЧ смесители на основе диодов Шоттки в монолитном и гибридном исполнении. Аналоговые интерфейсы в КМОП базисе.
монография, добавлен 29.03.2012Исследование процесса накопления повреждений сверхвысокочастотных диодов при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Статистический анализ вероятности отказа СВЧ диодов от мощности воздействующих радиоимпульсов в полиимпульсном режиме.
статья, добавлен 30.10.2018История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
курсовая работа, добавлен 23.03.2016Схемные решения мощных высоковольтных генераторов с полупроводниковыми коммутаторами в виде IGBT-транзисторов и SOS-диодов. использование в разрядном контуре генератора с SOS-диодами высоковольтной и низковольтной цепи импульсного трансформатора.
статья, добавлен 29.07.2016