Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
Подобные документы
- 76. Полупроводники
Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.
лекция, добавлен 09.12.2013 Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Характеристика электропроводности полупроводников как их способности проводить электрический ток при наличии подвижных заряженных частиц. Взаимодействие электрического поля и полупроводника при направленном движении носителей и протекание электротока.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Расчет энергомощностных характеристик для p–n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Оценка мощности теплового поражения по падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности.
статья, добавлен 03.11.2018Определение коэффициента экранирования волновым методом решения задачи, его учет при компоновке. Устранение наводок, возникающих в соединительных цепях, их разновидности и факторы появления. Конструкция элементов электрического соединения с корпусом.
контрольная работа, добавлен 10.08.2015Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Рассмотрение электрических свойств цилиндрических пьезокерамических излучателей силовой и компенсированной конструкций. Связь между электрическим током, модулем, активной и реактивной составляющими электрического сопротивления акустических приборов.
статья, добавлен 26.06.2016Уравнения структуры неинерциальной системе отсчета. Положение об эквивалентных ситуациях. Поля со сферической и цилиндрической симметриями. Нелинейная электромагнитная теория не свободных зарядов. Методы устранения расходимости полей бегущей волны.
статья, добавлен 04.11.2018Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020- 87. Использование фильтра Калмана в обработке данных хода напряженности электрического поля атмосферы
Применение цифровой обработки для улучшения качества данных, полученных с помощью сети датчиков измерения напряженности поля EFM550. Возможности калмановской фильтрации для уточнения данных приборных измерений напряженности электрического поля атмосферы.
статья, добавлен 30.07.2017 Влияние тепловых флуктуаций тока нормальных электронов на переход, резонансные свойства антенны и меняющуюся с частотой часть импеданса, связанную с электродинамическим окружением перехода и дающую вклад на данных частотах. Параметры эквивалентной схемы.
статья, добавлен 03.11.2018- 89. Варикапы
Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.
лекция, добавлен 06.09.2017 Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
презентация, добавлен 21.03.2022Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019На основе численного решения гиперсингулярных интегральных уравнений определение распределения электрического поля в двух главных плоскостях однозеркальной антенны в ближней зоне смоделированого с помощью датчика в виде электрического вибратора.
статья, добавлен 04.11.2018Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013- 94. Выпрямители
Использование различных типов выпрямителей для питания радиоприемников, телевизоров, усилителей низкой частоты. Выпрямитель с удвоением напряжения, расчет диодов. Расчет конденсаторов и параметров сопротивление трансформатора. Оценка результатов расчета.
реферат, добавлен 12.01.2011 Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017Изучение проблем, связанных с видеоматериалами на магнитной ленте. Ретроспектива профессиональных ручных видеокамер. Понятие твердотельных накопителей; их интеграция в аналоговые камеры. Технико-экономические преимущества новой технологии видеозаписи.
дипломная работа, добавлен 26.05.2018Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схема его включения и выключения с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Температурные и частотные свойства транзистора. Анализ и расчет усилительного каскада по постоянному и переменному току.
курсовая работа, добавлен 04.04.2015Рассмотрение кристаллических структур углерода. Анализ свойств в форме нанотрубок. Изучение зависимости от геометрии. Использование в качестве эмиттеров. Применение в атомно-силовых микроскопах. Разработка нанотранзисторов на базе ветвящихся структур.
статья, добавлен 21.09.2015Известные схемы электрически управляемых СВЧ-устройств (модуляторов, выключателей, аттенюаторов). Использование большого числа диодов в современных цифровых приборах. Рассмотрение принципа работы волноводного электрически управляемого аттенюатора.
научная работа, добавлен 17.03.2014