Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
Подобные документы
Транспортные и оптические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в условиях воздействия сильных электромагнитных полей. Характер вольт-амперных характеристик исследуемых систем. Радиоэлектрический эффект в полупроводниковой сверхрешетке.
автореферат, добавлен 15.02.2018Использование электромагнитных полей для оперативной диагностики медицинских патологий. Распределение радиальной и осевой компонент электрического поля. Использование резонаторных измерительных преобразователей в ближнеполевой микроволновой микроскопии.
статья, добавлен 19.06.2018Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.
реферат, добавлен 01.06.2014Выбор структурной супергетеродинной схемы приемника, транзисторов и диодов. Расчет контуров преселектора и гетеродина. Распределение частотных искажений между трактами приемника. Эскизный расчет тракта звуковой частоты. Электрический расчет детектора.
курсовая работа, добавлен 10.11.2014- 105. Расчет длин шлейфов
Определение длин шлейфов МПЛ, расстояния между диодами в схеме модулятора, эффективной диэлектрической проницаемости и фазовой скорости. Расчет АЧХ модулятора. Зависимость квадрата коэффициента передачи от частоты. Шунтирующее влияние диодов на линию.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013 Структура эпитаксиально-планарного транзистора. Многоэмиттерные транзисторы n-p-n-типа. Транзистор с диодом шотки. Структура МДП-конденсатора. Транзисторно-транзисторная логика. Базовые высокоомные слои р-типа. Изопланарная структура резисторов.
презентация, добавлен 20.07.2013- 107. Фрактальные антенны
Основные характеристики антенн и их классификация. Излучение антенных решеток. Анализ перспективных антенных структур. Возможные методы синтеза антенных фрактальных структур. Свойства фрактальных антенн. Примеры фрактальных антенн и их применение.
курсовая работа, добавлен 07.05.2012 История возникновения и классификация носителей информации. Накопители на гибких и жестких магнитных дискетах как продолжение развития технологии магнитного хранения информации. Классы применения оптических, магнитооптических и цифровых компакт-дисков.
курсовая работа, добавлен 18.10.2016Коэффициенты прохождения и отражения микрочастицы через барьер по законам квантовой механики. Роль туннельного эффекта в электронике. Энергетическая схема контакта металлов. Прохождение электронов в диэлектрическом слое. Процессы в туннельном диоде.
курсовая работа, добавлен 28.01.2014Определение основных параметров несимметричного мультивибратора. Вычисление максимально допустимого напряжения между коллектором и базой транзистора, его выбор по коэффициенту усиления. Расчет мощности резисторов и номинальной емкости конденсаторов.
контрольная работа, добавлен 08.02.2013Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010Высокое насыщение бытовых распределительных сетей нагрузками с импульсными источниками питания - причина возникновения трудностей в обеспечении электромагнитной совместимости. Общие выражения для напряжений на транзисторе и диоде в частотной области.
статья, добавлен 20.07.2018Собственные и примесные полупроводники, их сравнительное описание и функциональные особенности. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Полимеры: классификация, структура, свойства, применение. Низкокоэрцитивные сплавы для слабых магнитных полей.
контрольная работа, добавлен 09.10.2013Технологические методы создания электронно-дырочного перехода. Определение основных параметров и характеристик, а также физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Внешний фотоэффект и его применение в фотодиодах.
дипломная работа, добавлен 11.01.2011Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.
лекция, добавлен 04.10.2013Исследование явления возникновения электрического поля в результате давления на кристалл. Свойства и характеристики пьезоэлектрических материалов. Этапы производства пьезокерамики. Анализ направлений поляризации доменов в поликристаллической структуре.
курсовая работа, добавлен 07.11.2018Анализ частотных свойств шлейфных структур на основе теоремы о каскадном включении реактивных симметричных четырехполюсников. Каскадные структуры с широкополосными короткозамкнутыми шлейфами. Полосы заграждения математической полосы пропускания.
статья, добавлен 30.10.2018Металлические цилиндры с конечной проводимостью как один из примеров практической реализации импедансных круговых структур. Методика определения выражений для коэффициентов дифракции в виде, зависящем только от продольной компоненты магнитного поля.
статья, добавлен 04.11.2018Общие понятия жидких кристаллов, их классификация и необычные свойства. Явление двупреломления, флексоэлектрический эффект, ионный характер и поляризация. Конструкция и описание принципов работы ЖК мониторов. Матрица MVA/PVA и модуль подсветки.
курсовая работа, добавлен 22.01.2011Понятие о конфиденциальной информации, основные свойства. Демаскирующие признаки объектов защиты. Классификация источников и носителей информации. Источники функциональных сигналов, побочные электромагнитные излучения. Виды угроз безопасности информации.
книга, добавлен 08.03.2013Тензорезисторы как преобразователи, осуществляющие преобразование механических деформаций в изменение электрического сопротивления. Использование тензорезисторов для измерения сил, давлений, вращающих моментов. Характеристика тензоэффекта материала.
статья, добавлен 27.05.2014Строение и принцип действия сканирующего зондового микроскопа. Обнаружение пьезоэлектрического эффекта в кристаллах в 1880 году. Схема возникновения тока туннелирования. Применение метода сканирования при помощи атомно-силового оптического прибора.
реферат, добавлен 09.11.2017Типы носителей аналоговой фонограммы. Характерные особенности устройств механической записи-воспроизведения аналоговых фонограмм. Значения параметров механической записи на грампластинки. Ранг шумов и помех, которые вносят искажения в аудиофрагмент.
статья, добавлен 30.07.2016Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Осуществление электрического сканирования на основе использования многоэлементных антенных решеток, системы слабонаправленных антенн. Реализация фазового способа электрического сканирования в антеннах. Расчет фазирования с максимальным углом сканирования.
курсовая работа, добавлен 07.07.2009