Аппроксимация температурных зависимостей основных параметров МОП-транзисторов для инженерных приложений
Рассмотрение экспериментальных зависимостей от температуры основных параметров МОП-транзисторов (удельной крутизны и порогового напряжения) в широком диапазоне температур, включая криогенные. Оптимизация выбора хладагента для малошумящих усилителей.
Подобные документы
Описание экспериментальной установки объемного резонатора. Расчет основных параметров резонатора для различных типов колебаний, возбуждаемых в нем. Методы измерения параметров и проведение экспериментальных измерений для цилиндрического резонатора.
лабораторная работа, добавлен 25.12.2014Процесс разработки антенны радиоприемного устройства. Расчет полосы пропускания и допустимого коэффициента шума приёмника. Выбор промежуточных частот и средств обеспечения избирательности. Правила выбора и расчет параметров транзисторов радиотракта.
курсовая работа, добавлен 30.10.2013Особенность калькуляции усилителя мощности. Определение амплитудного значения коллекторного напряжения одного плеча. Расчет теплоотвода для транзисторов выходного каскада. Вычисление коэффициента нелинейных искажений и параметров цепи обратной связи.
курсовая работа, добавлен 23.06.2015История изобретения радиотелефона, его процесс распространения в мире. Выбор блок-схемы приемника и расчет его основных параметров. Основные правила определения промежуточной частоты. Выбор транзисторов и их режима, синтезатора частот и типа детектора.
курсовая работа, добавлен 30.10.2013Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Применение метода векторной аппроксимации для оценки параметров полюсной модели передаточной функции, описывающей микроволновые устройства в широком диапазоне частот. Численное моделирование двухпортового микрополоскового фильтра в заданной полосе.
статья, добавлен 06.11.2018Осуществление выбора типов интегральных схем и транзисторов. Определение потерь площади усиления при эммитерной коррекции по сравнению с простой коррекцией. Определение соответствия параметров спроектированного усилителя требованиям технического задания.
курсовая работа, добавлен 02.01.2021Характеристика формирования спектров АМ- и ЧМ-радиосигналов. Методы расчета основных параметров для радиосигналов с амплитудной и частотной модуляцией. Способы получения и характеристиками радиоимпульсов. Расчет сигналов с линейной частотной модуляцией.
контрольная работа, добавлен 29.06.2010Представление результатов экспериментального восстановления температурных распределений в модельных объектах и в теле человека методом акустотермометрии. Оценка точности определения геометрических и температурных параметров для медицинских приложений.
статья, добавлен 05.11.2018- 60. Транзисторы
Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.
реферат, добавлен 27.06.2015 Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.
методичка, добавлен 18.05.2010Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Строение и назначение усилителей. Расчет составляющих усилителя мощности звуковой частоты (оконечного, входного (дифференциального) каскада, каскада усиления напряжения и элементов защиты выходных транзисторов) по заданным техническим характеристикам.
курсовая работа, добавлен 15.11.2009Схемы цепей питания транзисторов. Основные элементы транзисторного усилителя с трансформаторной связью, специфические черты и принцип действия. Особенности схемы усиления сигнала на полевых транзисторах. Действие резонансного и широкополосного усилителей.
лекция, добавлен 21.10.2014Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Конструкция, максимальная рабочая частота варикапа, сферы применения. Коэффициент перекрытия по ёмкости. Построение вольт-фарадной характеристики. Расчет основных геометрических параметров. Дифференциальное сопротивление в рабочем диапазоне напряжений.
курсовая работа, добавлен 28.12.2019Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Анализ назначения и принципа работы операционных усилителей. Исследование характеристик и основных параметров устройств, созданных на основе операционных усилителей: инвертирующего усилителя, интегратора, дифференциатора и избирательного усилителя.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Виды усилителей - устройств, применяемых для усиления входных сигналов. Характеристика параметров усилителей. Преимущества магнитных усилителей. Особенности пневматических и гидравлических усилителей. Гидравлический усилитель со встроенной трубкой.
реферат, добавлен 22.01.2016Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.
реферат, добавлен 03.11.2016Характеристика принципа действия биполярного транзистора. Изучение основных параметров усилителей электрического тока. Выбор схемы электронного устройства. Расчет параметров принципиальной схемы усилителя, номинальных значений пассивных элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016- 73. Оптимизация параметров миниатюрного многолучевого клистрода с двухчастотным двухзазорным резонатором
Анализ основных результатов численного моделирования выходных характеристик миниатюрного четырехлучевого клистрода, предназначенного для работы в диапазоне частот 200-700 МГц с выходной непрерывной мощностью около 300 Вт в полосе усиления 8 МГц.
статья, добавлен 03.11.2018 Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011