Аппроксимация температурных зависимостей основных параметров МОП-транзисторов для инженерных приложений
Рассмотрение экспериментальных зависимостей от температуры основных параметров МОП-транзисторов (удельной крутизны и порогового напряжения) в широком диапазоне температур, включая криогенные. Оптимизация выбора хладагента для малошумящих усилителей.
Подобные документы
Расчет дискретного силового тиристора. Расчет параметров конструкции тиристора. Расчет диаметра тиристорного элемента и выбор конструкции корпуса. Расчет основных параметров тиристоров. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии.
курсовая работа, добавлен 29.09.2017Выбор типа приемника и его обоснование. Расчет полосы пропускания, промежуточной частоты, параметров транзисторов, реальной чувствительности, коэффициента усиления высокочастотной части и полосы отдельных каскадов, а также проверка их устойчивости.
контрольная работа, добавлен 09.04.2014Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016- 104. Электронная техника
Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014 Практическое исследование направленных свойств рупорных антенн с использованием программы SABOR. Расчет и оптимизация их основных параметров. Характер, анализ и оценка влияния геометрических параметров рупора на параметры излучения рупорных антенн.
лабораторная работа, добавлен 27.04.2016Расчёт числа каскадов, выбор типов интегральных схем и транзисторов. Определение параметров выходного и входного каскадов. Установление промежуточных каскадов на ИС К265УВ7. Характеристика АЧХ усилителя. Оценка качества спроектированного устройства.
реферат, добавлен 10.07.2016Изучение модернизации внутрискважинного измерителя давления и температуры, разработанного на кафедре ВТ и АСУ КубГТУ для увеличения продолжительности записи параметров давления и температуры, а также для изменения периодичности записи параметров.
статья, добавлен 25.04.2017Входные и выходные характеристики биполярных транзисторов. Расчет делителя в цепи базы. Особенность приращения тока коллектора и базы. Определение параметров элементов схемы замещения полупроводникового прибора. Оценка нелинейных искажений каскада.
курсовая работа, добавлен 27.09.2017Проектирование приемника для приема АМ-радиосигналов. Выбор транзисторов высокочастотной части. Расчет параметров транзистора на максимальной частоте сигнала. Выбор числа поддиапазонов. Распределение частотных искажений по частям и трактам приёмника.
курсовая работа, добавлен 13.08.2012Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Исследование полупроводникового диода, биполярных транзисторов и транзисторных усилителей, неуправляемых однофазных выпрямителей, управляемых однофазных выпрямителей. Расчет динамического сопротивления стабилитрона, коэффициента нестабильности.
лабораторная работа, добавлен 16.12.2015Расчет в заданном диапазоне частот первичных и вторичных параметров коаксиального кабеля; определение вторичных параметров взаимного влияния на его строительной длине; построение графиков частотной зависимости. Расчет параметров оптического кабеля связи.
контрольная работа, добавлен 30.03.2013Исследование квазиоптимального алгоритма фазового дискриминирования шумоподобного MSK-сигнала. Обоснование выбора крутизны аппроксимации решающей функции. Результаты статистического моделирования с использованием программного обеспечения MatLab-Simulink.
статья, добавлен 30.10.2018Особенности проектирования усилителей с высокой верхней граничной частотой. Расчет числа каскадов усиления, выбор типов интегральных микросхем, транзисторов. Построение амплитудно-частотных характеристик промежуточного каскада, выполненного на ИС К265УВ6.
курсовая работа, добавлен 10.11.2016Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Требования к монтажу кристаллов MOS-транзисторов. Технологии пайки эвтектическим сплавом золото-кремний и припоями из сплавов металлов. Особенности монтажа на токопроводящую клеевую композицию. Подготовка поверхности для обеспечения процесса пайки.
дипломная работа, добавлен 28.08.2018Характеристика способа увеличения плотности полевых транзисторов в составе усилителя мощности, а так же уменьшения их размеров. Формирование гетероструктуры специальной конфигурации. Особенность оптимизированного отжига примеси и радиационных дефектов.
статья, добавлен 07.11.2018Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Транзистор, его функциональные особенности. Возникновение транзисторов, их классификация и применение. Полевые транзисторы, расчёт и построение нагрузочной прямой. Биполярные транзисторы, расчёт усилительного каскада. Общие сведения об электронных ключах.
курсовая работа, добавлен 21.11.2013Рассмотрен опыт разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов.
курсовая работа, добавлен 23.04.2014Каскады на биполярных и полевых транзисторах. Рассмотрение параметров операционных усилителей. Основные преобразования аналоговых сигналов. Методы коррекции частотной характеристики операционных усилителей. Сложная схема "токового зеркала" Уилсона.
презентация, добавлен 18.04.2021Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Исследование отличительных особенностей выходных каскадов транзисторов. Анализ работы предварительного каскада в области средних частот. Расчет коэффициентов усиления базового тока композитного транзистора. Изучение схемы двухтактного выходного каскада.
лекция, добавлен 04.10.2013Методы анализа линейных усилительных каскадов в частотной области. Исследование биполярных и полевых транзисторов. Особенность изучения усилителей с обратной связью. Сущность аналоговых перемножителей сигналов. Устройства вторичных источников питания.
учебное пособие, добавлен 17.11.2015