Аппроксимация температурных зависимостей основных параметров МОП-транзисторов для инженерных приложений
Рассмотрение экспериментальных зависимостей от температуры основных параметров МОП-транзисторов (удельной крутизны и порогового напряжения) в широком диапазоне температур, включая криогенные. Оптимизация выбора хладагента для малошумящих усилителей.
Подобные документы
Основные физические процессы биполярных транзисторов. Проведение исследования концентрации примеси в эмиттере и коллекторе. Изменение напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах. Эквивалентная схема полупроводникового прибора для постоянного тока.
лекция, добавлен 23.09.2016Основные статические параметры транзистора. Показатели динамического режима транзисторного усилителя. Принципиальная схема усилительного каскада. Расчет транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме. Определение параметров схемы мультивибратора.
контрольная работа, добавлен 03.06.2018Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.
шпаргалка, добавлен 01.10.2017Основные параметры усилителя мощности низкой частоты. Процесс разработки функциональной схемы и принцип ее действия. Порядок выбора элементной базы прибора: усилителя и транзисторов. Правила расчета параметров схемы и определение пикового тока нагрузки.
контрольная работа, добавлен 17.04.2013Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Описание распределительных устройств высокого напряжения. Изучение основных характеристик и свойств элегаза и основных технических параметров элегазовых выключателей зарубежного производства. Применение элегазового коммутационного электрооборудования.
учебное пособие, добавлен 07.11.2014Сущность принципа оптического усиления. Классификация и назначение полупроводниковых усилителей. Расчёт усиления и выходной мощности сигнала, ширины и равномерности полосы усиления эрбиевого усилителя. Принцип действия волоконно-оптических усилителей.
курсовая работа, добавлен 18.12.2013Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом, с изолированным затвором, с индуцированным каналом n-типа. Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах, расчет электрических цепей с использованием транзисторов.
реферат, добавлен 21.06.2014Принцип работы ячейки контроля основных параметров микроакселерометра, обоснование выбора элементной базы, материала и строения печатной платы. Конструкторские расчеты надежности, собственной частоты и механической прочности многослойной печатной платы.
курсовая работа, добавлен 05.11.2011Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015- 86. Варикапы
Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.
лекция, добавлен 06.09.2017 Задача оптимальной настройки параметров искусственной нейронной сети произвольной структуры. Аппроксимация или построение моделей нелинейных статических и динамических объектов. Условия оптимальности нейронных сетей со скалярным или векторным выходом.
статья, добавлен 29.01.2016Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
учебное пособие, добавлен 31.01.2019Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 12.11.2013Описание параметров и структуры мультидифференциальных операционных усилителей. Определение значения дифференциального коэффициента усиления, а также реализуемого коэффициента передачи синфазного напряжения усилителя. Определение напряжение дрейфа нуля.
статья, добавлен 30.05.2017Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.
статья, добавлен 24.02.2019Ознакомление с режимами работы транзисторов двух типов проводимости. Усилитель как устройство, предназначенное для повышения мощности входного сигнала. Увеличение мощности за счет энергии источников питания. Теоретический расчёт каскада усиления.
контрольная работа, добавлен 17.05.2014Применение операционных усилителей в качестве активных компонентов при построении устройств обработки аналоговых сигналов. Расчет коэффициента ослабления синфазного сигнала. Определение точностных, динамических и эксплуатационных параметров усилителей.
реферат, добавлен 20.08.2015Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.
доклад, добавлен 29.08.2013Характеристика основных параметров быстродействующих усилителей мощности для синусоидальной коммутации вентильного двигателя. Структура выходного каскада трехфазного усилителя мощности. Изучение качества процесса управления силой линейного двигателя.
статья, добавлен 18.01.2013Проведен анализ зависимости точности оценивания параметров сигналов и пеленгования их источников размещенных на летно-подъемных средствах на основе исследования зависимости отношения сигнал/шум на входе радиоприемника. Приведены графики этих зависимостей.
статья, добавлен 02.04.2019Применение принципа каскадирования звеньев второго порядка с абсолютно высокой чувствительностью амплитудно- и фазочастотных характеристик в полосе пропускания. Влияние малосигнальных параметров биполярных транзисторов на параметры усилительных каскадов.
статья, добавлен 30.05.2017Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.
статья, добавлен 21.10.2016