Исследование биполярного транзистора
Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
Подобные документы
Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Принцип действия биполярного транзистора, режимы его работы и статические характеристики. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе при работе в активном режиме. Дифференциальные параметры биполярного транзистора, его частотные свойства.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Параметры биполярного транзистора, определяющие работу линейного усилителя. Принципиальная схема усилителя низкой частоты, амплитудная характеристика работы. Расчет и проверка рабочей точки, значения сопротивлений усилителя и разделительных емкостей.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017Понятие биполярного транзистора, его структура и общие принципы работы. Характеристика главных параметров, их расчеты и изменения. Особенности схем включения с общим эмиттером, коллектором, базой, их ключевых режимов и соотношения данных в них.
реферат, добавлен 01.05.2009Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Параметры биполярного транзистора, определяющие работу линейного усилителя на основе математических моделей и экспериментальных измерений. Амплитудная характеристика работы усилителя низкой частоты. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Характеристика принципа действия биполярного транзистора. Изучение основных параметров усилителей электрического тока. Выбор схемы электронного устройства. Расчет параметров принципиальной схемы усилителя, номинальных значений пассивных элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Расчет и сравнение параметров транзистора для схем включения с общими эмиттером и базой. Определение статических и динамических параметров каскада с общим эмиттером, параметров выходного импульсного сигнала. Значение выходной функции для логической схемы.
контрольная работа, добавлен 10.12.2015История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы и определение параметров усилительного каскада на биполярном и полевом транзисторах.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Изучение особенностей строения схемы транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы. Аналитический расчет параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Сведения о математических моделях радиоэлектронных средств. Расчет физико-топологической модели биполярного транзистора с использованием модели Эберса-Молла. Разработка маршрутной карты технологического процесса изготовления транзистора типа КТ-872.
курсовая работа, добавлен 25.05.2013Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.
реферат, добавлен 01.06.2014Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.
доклад, добавлен 29.08.2013Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.08.2023