Исследование биполярного транзистора
Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
Подобные документы
Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013История создания и классификация полевых транзисторов. Транзисторы с управляющим p-n-переходом, изолированным затвором и индуцированным каналом. Схемы их включения и области применения. Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 25.03.2015Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
статья, добавлен 15.08.2013Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.
реферат, добавлен 27.11.2013Изучение основных терминов цифровой электроники. Понятия о полевых и биполярных транзисторах. Электрические и временные параметры цифровых устройств. Схемы включения биполярного транзистора. Шинная организация связей в резисторах и конденсаторах.
лекция, добавлен 12.01.2015Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Изучение устройства, характеристик и параметров полевого транзистора с изолированным затвором. Анализ эволюции статических характеристик транзистора, задающихся паспортно, в динамические характеристики при использовании транзистора в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора BSX20. Расчет резистивных элементов каскада. Определение суммарного сопротивления, задающего режим покоя. Расчет емкостных элементов каскада. Коэффициент усиления по напряжению.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Выбор режима работы мощного усиления. Расчет способа включения транзистора и точки покоя по семейству выходных характеристик транзистора. Расчет коэффициента трансформации, активных сопротивлений первичной и вторичной обмоток выходного трансформатора.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Расчет усилителя в схеме включения с общим эмиттером. Определение требований к транзистору по предельным параметрам. Проверка амплитуды тока коллектора. Схема замещения биполярного транзистора с эмиттером. Расчет емкости разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 23.07.2014Схема усилительного каскада. Максимально допустимый постоянный ток коллектора. Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой. Напряжение между базой и эмиттером, входное сопротивление каскада.
контрольная работа, добавлен 24.12.2012Биполярный транзистор как весьма сложный полупроводниковый прибор: общая характеристика, знакомство с принципом работы. Рассмотрение основных особенностей определения параметров усилительного каскада. Анализ схемы замещения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 12.05.2013Определение параметров и характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Дифференциальные параметры входного и выходного сопротивлений. Определение величины крутизны транзистора, которая связывает напряжение базы с током коллектора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Обоснование параметров, характеризующих динамический диапазон работы иммитансного логического элемента. Разработка математического аппарата для расчета диапазона ИЛЭ. Его численная оценка для элементов "НЕ" R- и LC-типов на основе биполярного транзистора.
статья, добавлен 29.01.2016Особенности выбора входного транзистора, расчет входных элементов и элементов отрицательной обратной связи. Основы расчета мощности элементов схемы. Определение оконечного каскада. Исследование основных аспектов проектирования электронного устройства.
курсовая работа, добавлен 05.01.2015Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Расчет параметров полупроводникового усилителя с общим эмиттером. Снижение выходного сопротивления источника питания. Определение максимального тока коллектора биполярного транзистора и мощности драйвера. Применение метода эквивалентного четырехполюсника.
курсовая работа, добавлен 17.01.2016Рассмотрение электрической схемы усилителя с общим эмиттером. Изучение и характеристика особенностей структуры составного транзистора Дарлингтона. Исследование и анализ схемы емкостного микрофона. Расчет выходных параметров каскада с общим коллектором.
курсовая работа, добавлен 25.10.2015