Исследование биполярного транзистора
Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
Подобные документы
Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Графическое определение малосигнальных параметров транзистора в окрестностях рабочей точки. Определение предельных частот транзистора. Построение нагрузочной прямой транзистора по переменному току. Выбор резисторов в схеме усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 19.09.2011Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.
статья, добавлен 28.07.2013Исчисление напряжения насыщения и отпирания транзистора, статических уровней выходного напряжения для ненагруженного ключа. Зависимость длительности фронта включения, стадии рассасывания и протяжности фронта выключения от амплитуды входных импульсов.
контрольная работа, добавлен 23.12.2010Определение зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Выходные характеристики полевого транзистора. Зависимость дифференциальных параметров. Особенности процесса построения временной диаграммы переменного тока коллектора.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Разработка схемы автоматической регулировки мощности для генератора сигналов качающейся частоты с рабочим диапазоном частот 20-100 МГЦ. Эмиттерный повторитель с использованием биполярного транзистора. Расчет схемы усилителя с автоподстройкой усиления.
дипломная работа, добавлен 02.12.2013Расчет основных характеристики усилительного каскада на биполярном транзисторе. Паспортные данные и электрические параметры биполярного транзистора с общим эмиттером КТ312А. Определение величин элементов цепи питания и стабилизации рабочего режима.
курсовая работа, добавлен 08.03.2013Преобразование энергии внешних источников постоянных напряжений в энергию преобразуемого сигнала. Характеристики транзистора связанные нелинейными функциональными зависимостями. Связь между системами параметров транзистора в различных схемах включения.
методичка, добавлен 13.08.2013Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Усилитель колебаний низкой частоты – составная часть каждого современного радиоприемника, телевизора или магнитофона. Основа радиовещания по проводам, аппаратуры телеуправления и многих измерительных приборов. Определение параметров транзистора.
курсовая работа, добавлен 23.09.2017Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 19.01.2011Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014АЦП параллельного преобразования и расчет тактового генератора. Выбор и описание микросхем, разработка преобразователя уровней и выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов и специфика расчета мощности, потребляемой ПУ.
курсовая работа, добавлен 03.12.2014Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Допустимое напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда переменной составляющей тока коллектора (тока нагрузки).
лабораторная работа, добавлен 17.10.2017Принцип работы биполярного транзистора. Графоаналитический метод расчета усилительного каскада. Физический смысл h-параметров. Характерная особенность усилителя и его отличие от других преобразующих устройств. Выбор величины ЭДС источника питания.
методичка, добавлен 02.05.2014Виды устойчивых состояний (режимов) для биполярного транзистора: активный, инверсивный, режим отсечки и режим насыщения. Проверка достаточности напряжения питания схемы, выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Расчет каскада по постоянному току.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с изолированным затвором. Зависимость тока от напряжения на подложке при различных значениях напряжения. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014АЦП параллельного преобразования. Расчет тактового генератора для АЦП. Выбор и описание микросхем. Разработка преобразователя уровней. Выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов. Построение передаточной характеристики.
курсовая работа, добавлен 27.08.2012Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Расчет выходного усилительного каскада передатчика, коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Амплитуда тока базы. Элементы эквивалентной схемы. Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора. Усиление транзистора по мощности.
курсовая работа, добавлен 16.12.2012