Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-ge та n-si
З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
Подобные документы
Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Морфологія, структура та хімічний склад одержаних зразків залежно від фізико-технологічних умов конденсації для з’ясування впливу цих особливостей плівок на їх електрофізичні характеристики. Порівняння експериментальних даних з результатами моделювання.
автореферат, добавлен 28.09.2015- 28. Просторовий розподіл та місце локалізації в гратці радіаційних дефектів та домішок інертних газів
Типи радіаційних дефектів і їх просторовий розподіл. Захоплення і утримання дейтерію в сталі при підвищених температурах опромінення. Місце локалізації в гратці монокристала нікелю атомів ксенону і криптону, їх взаємодія з радіаційними дефектами.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Експерименти по вивченню впливу фізичних параметрів (концентрації легуючої домішки, напрямку одноосьового тиску відносно кристалографічних осів кристалу та ін.) на умови виникнення генерації і стрибка струму при збіжних напрямках електричного поля і тиску
автореферат, добавлен 10.01.2014Теорія збудження і переносу нерівноважних носіїв струму в неідеальних гетеропереходах. Створення ефективних сенсорів оптичного і рентгенівського зображення нового типу. Виготовлення перетворювача сигналів оптичного зображення із внутрішнім посиленням.
автореферат, добавлен 29.07.2015Чисельні дослідження динаміки важких газів в атмосферному примежовому шарі. Тривимірна модель гідротермодинаміки важкого газу. Рівняння руху, рівняння переносу внутрішньої енергії. Рівняння нерозривності та рівняння переносу концентрації домішки.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження формування домінуючих станів кисню, що утворюються в кремнії при одночасній дії радіації та високої температури. З’ясування впливу важких ізовалентних домішок олова і свинцю на ефективність формування індукованих станів кисню в кремнії.
автореферат, добавлен 29.09.2014Побудова рекомбінаційної моделі явища екзоелектронної емісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів. Ефективність кристалів як матеріалів для екзоемісійної скін-дозиметрії. Термоактивовані та тунельні електронно-діркові рекомбінації.
автореферат, добавлен 02.08.2014Механізми утворення дефектів і їх впливу на електричні, фотоелектричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію опромінених частинками підпорогової енергії. Дослідження лазерного відпалу центрів рекомбінації в опромінених монокристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2015Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості та преципітації кисню у монокристалічному і ниткоподібному кремнію, попередньо опроміненому нейтронами та легованому ізовалентними домішками. Рентгеноструктурні дослідження кристалів після термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2014Характеристика рівнів ідентифікації та деталізації фізико-хімічних процесів кавітації, динаміка та аналіз технологічних об’єктів, їх структура. Автоматизація та оптимізація режимів допоміжного технологічного комплексу на енергопродуктуючому підприємстві.
автореферат, добавлен 30.08.2014Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка одновимірної стаціонарної моделі гідродинамічних і фізико-хімічних процесів у висхідному висококонцентрованому двофазовому потоці в надшаровому просторі реактора. Визначення рівняння переносу кінетичної енергії пульсаційного руху частинок.
автореферат, добавлен 15.07.2014Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
автореферат, добавлен 30.08.2014Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості монокристалічного і ниткоподібного кремнію, зумовлених термічними дефектами та інтерпретація виявлених ефектів. Дослідження магнітних властивостей рентгеноструктурні кристалів після їх термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2015Експериментальний та теоретичний аналіз спектрів оптичного пропускання в епітаксійних плівках Hg1-xCdxTe з різним характером та величиною градієнта складу. Дослідження механізмів темнового струму і спектрів шуму в довгохвильових фотодіодах n+-p-типу.
автореферат, добавлен 12.02.2014Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015Визначення положень кристалохімічної і термодинамічної моделі парофазної епітаксії плівок халькогенідів свинцю. Аналіз експериментальних досліджень для з'ясування механізмів впливу атмосфери кисню на концентрації носіїв струму і дефектів у плівці.
автореферат, добавлен 15.07.2014Вивчення особливостей переносу заряду в квантових гетероструктурах на основі сполук А3В5 під дією освітлення, додаткового електричного потенціалу та наявності носіїв заряду обох знаків. Особливості побудови моделі електрично-індукованої надгратки.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз і наукове обґрунтування методологічних і теоретичних засад математичного моделювання розподілу домішок при вирощуванні монокристала кремнію в умовах протікання фізичних процесів. Розробка алгоритмів розв’язання розроблених математичних моделей.
автореферат, добавлен 26.08.2015Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014Дослідження області існування та умов синтезу скла на основі окислів СaO, Ga2O3 і GeO2. Аналіз оптичних та фізико-хімічних характеристик синтезованих зразків скла. Встановлення впливу іонізуючого опромінення на оптико-спектроскопічні властивості скла.
автореферат, добавлен 28.08.2014- 49. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015