Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-ge та n-si
З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
Подобные документы
- 76. Дефектоперетворення в твердих розчинах CdHgTe, стимульоване ультразвуком допорогової інтенсивності
Вивчення впливу акустичних хвиль ультразвукового діапазону частот та допорогової інтенсивності на систему дефектів і властивості вузькозонних твердих розчинів CdхHg1-хTe. Вивільнення зв'язаних в дислокаційні атмосфери дефектів під впливом ультразвуку.
автореферат, добавлен 22.04.2014 Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014Встановлення основних закономірностей впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники та границі розділу на їх основі. Вивчення можливості управління дефектною структурою та цілеспрямованої модифікації властивостей цих напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.06.2014Моделі переносу енергії в мембранних системах. Фізичні механізми і особливості індуктивно-резонансного переносу енергії в модельних білково-ліпідних мембранах. Структурні характеристики комплексів цитохрому і гемоглобіну з фосфоліпідними мембранами.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вплив дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу. Виявлення фазових переходів, зумовлених взаємодією дефектів собою, встановлення специфіки прояву переходів в тонких шарах SnTe і НГ SnTe/PbTe.
автореферат, добавлен 23.11.2013Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Вплив модифікації монокристалів Li6Gd(BO3)3:Ce натрієм і магнієм на процеси дефектоутворення під впливом іонізуючого випромінювання. Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах твердих розчинів Li6Gd1-xEux(BO3)3, Li6Y1-xEux(BO3)3.
автореферат, добавлен 23.08.2014Розробка двовимірної математичної моделі переносу консервативних забруднюючих речовин у природних водотоках з урахуванням анізотропних властивостей турбулентних течій. Метод чисельної реалізації моделі з обґрунтуванням початкових і граничних умов.
автореферат, добавлен 22.07.2014Методи визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках, їх природа. Електропровідність металів. Надпровідність, магнітні властивості надпровідників. Суть явища ефекту Холла, його використання в вимірювальних пристроїв і схем автоматики.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017- 85. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 З’ясування впливу попереднього опромінення на преципітацію кисню в кремнії. Підвищення стійкості кремнію для твердотільних детекторів ядерних випромінювань. Структурні, оптичні та електрофізичні властивості кремнію після нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження нелінійної провідності квантових контактів різної геометрії в присутності одиничних дефектів. Залежність нелінійної провідності від прикладеної напруги, потенціалу розсіювання й параметрів, що характеризують форму квантового контакту.
автореферат, добавлен 28.10.2015Вплив виду, концентрації легуючої домішки на фазовий склад і параметри кристалічної структури, оптичні й електричні властивості плівок оксиду цинку. Оптимізація технологічних параметрів різних видів магнетронного розпилення для одержання легованих плівок.
автореферат, добавлен 30.07.2014Вивчення квантових ефектів в плівках телуриду свинцю і вісмуту, гетероструктурах PbTe/Bi, електрофізичних, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей в залежності від товщини шарів методом термічного випаровування в вакуумі на підкладки з слюди.
автореферат, добавлен 27.09.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Дослідження електронної і магнітної структури вихідних і імплантованих іонами монокристалічних ферит-гранатових плівок. Вплив концентрації радіаційних дефектів на електронну структуру магнітного розупорядкування в імплантованих приповерхневих шарах.
автореферат, добавлен 12.02.2014Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Визначення за допомогою електронного парамагнітного резонансу локальної структури та зарядового стану домішок і власних дефектів в сегнетоелектричних матеріалах. Встановлення моделей парамагнітних центрів. Розрахунок параметрів кристалічного поля.
автореферат, добавлен 22.04.2014Визначення закономірностей впливу концентрації дефектів, електричного поля та механічних напружень на температурну та часову динаміку модульованої структури оптичними та діелектричними методами. Кристалічні ґратки і послідовність фаз у кристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Механізм депінінгу вихорів Абрикосова з протяжних лінійних та пласких дефектів. Модель для розрахунків критичного струму та властивостей неоднорідного резистивного стану. Концепція колективних коливань вихрової решітки в анізотропних надпровідниках.
автореферат, добавлен 14.07.2015Розробка модифікованої динамічної дифракційної моделі для аналізу високороздільних спостережень складних дефектних структур в реальних монокристалах. Встановлення природи чутливості кривих дифракційного відбиття до характеристик декількох типів дефектів.
автореферат, добавлен 14.09.2015