Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-ge та n-si
З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
Подобные документы
Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015Дослідження впливу на електромагнітне поле модуляції у часі діелектричної проникності та провідності середовища пакунком кінцевої тривалості прямокутних імпульсів. Характеристика впливу плоскої межі нестаціонарного середовища на залишкові явища.
автореферат, добавлен 18.11.2013Запропонування математичної гомогенної моделі гідродинаміки двофазного ламінарного струменя, яка включає повну тривимірну систему рівнянь Нав’є-Стокса, та враховує вплив сил поверхневого натягу. Проведення чисельних досліджень впливу вимушених коливань.
автореферат, добавлен 25.09.2015Розгляд результатів експериментальних та теоретичних досліджень з проблеми фазоутворення. Дослідження параметрів термічного крипу у високотемпературному надпровіднику. Закономірності формування та змін сили пінінгу та параметрів магнітного потоку.
автореферат, добавлен 28.06.2014Вибір оптимального набору нейтронно-активаційних детекторів. Адаптація транспортної програми пакета програм MCPV для розрахунків переносу нейтронів в білякорпусному просторі реактора ВВЕР-440. Умови опромінення корпусу ядерного енергетичного реактора.
автореферат, добавлен 12.07.2015Критичні параметри надпровідності, пінінг вихрової решітки, характер руйнування надпровідного стану струмом. Вивчення струмопровідної здатності композитів різного типу і геометрії на основі інтерметаліду Nb3Sn в умовах навантаження, що розтягує.
автореферат, добавлен 25.09.2015Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Аналіз ролі технологічних факторів у формуванні підсистеми власних точкових дефектів і електрофізичних властивостей плівок PbTe, PbS і PbSe. Процеси дефектоутворення і зміни дефектної підсистеми і електрофізичних властивостей плівок халькогенідів свинцю.
автореферат, добавлен 22.07.2014Вирощування великих монокристалів тетрарних сполук AgCd2GaS4, AgGaGeS4, AgGaGe3Se8. Проведення кількісного та якісного аналізу і розподілу технологічних дефектів в напрямку росту для монокристалів AgCd2GaS4. Аналіз діаграм стану квазіпотрійних систем.
автореферат, добавлен 26.07.2014Історія відкриття явища гігантського магнетоопору та основні етапи розвитку нового науково-технологічного напряму - спінтроніки. Характеристика конфігурації GMR-систем. Впровадження спінових клапанів в медицину та розвиток спінтроніки в сфері діагностики.
статья, добавлен 22.03.2016- 112. Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках
Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Характеристика особливостей поширення світла в деформованих та дефектних рідкокристалічних структурах. Дослідження оптичної характеризації нових рідкокристалічних матеріалів, фаз і дефектів. Вивчення структурних перетворень дефектів в рідких кристалах.
автореферат, добавлен 28.08.2014З’ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологості, водними розчинами з різними рівнями кислотності. Чутливість інтенсивності фотолюмінесценції до спіральних структур полінуклеотидів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Експериментальне дослідження температурної залежності електроопору монокристалів. Рентгенодифрактометричні дослідження структури NbSe2 після нагрівання до високих температур: з’ясування природи дефектів і вивчення релаксації ґратки при утворенні вакансій.
автореферат, добавлен 25.02.2015Дослідження оптичних спектрів поглинання скла в області власного поглинання та визначення характерних параметрів правила Урбаха. Аналіз впливу на величину електропровідності одночасної модифікації диселеніду германію селенідом меркурію і купруму.
автореферат, добавлен 06.07.2014Розгляд історії відкриття капілярного явища. Вивчення основних ідей теорії Юнга і Лапласа (принцип поверхневого натягу). Застосування універсального апарата термодинаміки Гіббсом для пояснення властивостей рідини. Ознайомлення із явищами змочування.
реферат, добавлен 09.04.2010Розробка дифрактометричної методики реєстрації розподілу інтенсивності рентгенівського випромінювання, розсіяного кристалами з багатошаровими структурами. Дослідження впливу швидкості охолодження на структуру сплавів кобальту з елементами заміщення.
автореферат, добавлен 27.12.2015Розробка методу дистанційної нейтринної діагностики внутрішньнореакторних процесів. Дослідження методом математичного моделювання кінетики швидкого уран-плутонієвого реактору типу Феоктистова. Розрахунок теплопереносу та радіаційних реакторних дефектів.
автореферат, добавлен 25.09.2015Аналіз розробки пристрою для діагностування дефектів кліток короткозамкнених роторів асинхронних двигунів потужністю до 100 кВт. Аналіз та порівняння ефективності відомих методів та засобів неруйнівного контролю. Створено математичні моделі індуктора.
автореферат, добавлен 12.02.2014Розробка пристроїв для реалізації схеми двокристального спектрометру. Оцінка структурних змін і параметрів можливих дефектів в імплантованих фосфором приповерхневих шарах пористого кремнію. Дослідження будови поверхні методом атомно-силової мікроскопії.
автореферат, добавлен 28.07.2014- 123. Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями
Встановлення природи, локальної структури та загальних закономірностей утворення різних дефектних станів в ряді кристалічних оксидних матеріалах зі структурою шеєліта та перовскіта. Вплив цих дефектів на електро-фізичні властивості даних матеріалів.
автореферат, добавлен 01.08.2014 Дослідження оптичних та люмінесцентних властивостей поруватого кремнію і структур на його основі. Розробка лабораторної технології та вивчення фізико-хімічних особливостей формування і морфології шарів поруватого кремнію, визначення їх оптичних констант.
автореферат, добавлен 20.07.2015Методика аналізу порошкових дифрактограм для визначення кількісних характеристик структури одномірно розвпорядкованих полікристалів. Визначення типу і густини ансамблю планарних дефектів, густини дислокацій та розміру областей когерентного розсіяння.
автореферат, добавлен 28.06.2014