Определение параметров плевых транзисторов

Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.

Подобные документы

  • Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.

    презентация, добавлен 20.01.2022

  • Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.

    реферат, добавлен 23.08.2009

  • Исследование влияния электромагнитного поля на интенсивность шума биполярных транзисторов. Характеристика особенностей работы отечественных высокочастотных транзисторов в сильных электромагнитных полях с сохранением в поле хороших шумовых показателей.

    статья, добавлен 22.03.2018

  • Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.

    контрольная работа, добавлен 28.12.2014

  • Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.

    реферат, добавлен 12.11.2013

  • Ознакомление с режимами работы транзисторов двух типов проводимости. Усилитель как устройство, предназначенное для повышения мощности входного сигнала. Увеличение мощности за счет энергии источников питания. Теоретический расчёт каскада усиления.

    контрольная работа, добавлен 17.05.2014

  • Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.

    реферат, добавлен 22.02.2009

  • Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.

    лабораторная работа, добавлен 20.12.2021

  • Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.

    статья, добавлен 24.02.2019

  • Наблюдение небольших нелинейных искажений. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада (четырехполюсника). Влияние температуры. Зависимость от соотношения входного сопротивления транзистора. Синусоидальная ЭДС.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Характеристика источников опорного напряжения статического режима транзисторов. Предназначение генератора стабильного тока. Работа усилителя мощности и дифференциального усилителя в режиме синфазного усиления. Композитное включение транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 04.10.2012

  • Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом, с изолированным затвором, с индуцированным каналом n-типа. Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах, расчет электрических цепей с использованием транзисторов.

    реферат, добавлен 21.06.2014

  • Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 16.09.2017

  • Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.

    реферат, добавлен 03.11.2016

  • Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.

    учебное пособие, добавлен 27.06.2014

  • Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.

    контрольная работа, добавлен 22.01.2015

  • Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.

    реферат, добавлен 22.02.2009

  • Рассмотрение экспериментальных зависимостей от температуры основных параметров МОП-транзисторов (удельной крутизны и порогового напряжения) в широком диапазоне температур, включая криогенные. Оптимизация выбора хладагента для малошумящих усилителей.

    статья, добавлен 29.06.2017

  • Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.

    презентация, добавлен 13.02.2015

  • Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2012

  • Классификация, схемы включения и характеристики транзисторов. Рассмотрение показателей, характеризирующих схемы включения транзистора. Физические принципы работы биполярного транзистора. Оценка энергетической эффективности ключевого режима транзисторов.

    реферат, добавлен 27.06.2015

  • Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.

    курсовая работа, добавлен 25.08.2021

  • Входные и выходные характеристики биполярных транзисторов. Расчет делителя в цепи базы. Особенность приращения тока коллектора и базы. Определение параметров элементов схемы замещения полупроводникового прибора. Оценка нелинейных искажений каскада.

    курсовая работа, добавлен 27.09.2017

  • Выбор функциональной схемы измерительного усилителя переменного напряжения. Расчет сопротивления обратной связи. Снижение коэффициента нелинейных искажений. Выбор транзисторов по току для бестрансформаторных схем. Частотные свойства выходных транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 06.06.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.