Определение параметров плевых транзисторов

Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.

Подобные документы

  • Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.

    статья, добавлен 30.05.2017

  • Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.

    доклад, добавлен 29.08.2013

  • Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.

    реферат, добавлен 04.12.2018

  • Разработка и характеристика электрических схем аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов. Исследование принципов работы гибридных интегральных микросхем. Ознакомление с особенностями структурной схемы двухкаскадного усилителя.

    курсовая работа, добавлен 06.02.2017

  • Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.

    контрольная работа, добавлен 19.04.2014

  • Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 16.08.2023

  • Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

    контрольная работа, добавлен 18.08.2010

  • Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.

    контрольная работа, добавлен 30.11.2016

  • Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.

    дипломная работа, добавлен 28.11.2019

  • Исследование основных параметров усилителей мощности звуковой частоты. Фазочастотная характеристика предоконечного и оконечного каскадов. Изучение порядка сборки и особенностей монтажа конструкции. Установка транзисторов. Наладка усилителя мощности.

    контрольная работа, добавлен 08.06.2016

  • Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.

    учебное пособие, добавлен 16.04.2015

  • Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.

    реферат, добавлен 10.03.2016

  • Описание комплекта типового лабораторного оборудования "Теоретические основы электротехники". Исследование параметрического стабилизатора напряжения. Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов. Операционные усилители, их виды.

    учебное пособие, добавлен 10.11.2014

  • Выполнение принципиальной схемы интегрирующего аналого-цифрового преобразователя. Выбор типа тактового генератора, определение биполярных транзисторов. Расчёт мощности, потребляемой от источника питания. Построение передаточной характеристики устройства.

    курсовая работа, добавлен 03.12.2014

  • Общие сведения об аналоговых электронных устройствах. Основные технические параметры и характеристики автоматических электронных устройств. Методы обеспечения режима работы биполярных и полевых транзисторов в каскадах усиления, многокаскадные усилители.

    курс лекций, добавлен 15.10.2010

  • Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2014

  • Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.

    реферат, добавлен 16.10.2017

  • Оценка коэффициента полезного действия компенсационных стабилизаторов и габаритной мощности силового трансформатора. Расчёт выходного сопротивления, элементов схем защиты от перегрузок по току, оптимизация конструкции охладителей для силовых транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2017

  • Параметры межсоединений в различных технологических базисах. Моделирование базисных логических элементов. Функциональная схема мультиплексора. Этап схемотехнического проектирования. Период тактового сигнала. Расчет основных параметров транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 01.12.2011

  • Методы анализа линейных усилительных каскадов в частотной области. Исследование биполярных и полевых транзисторов. Особенность изучения усилителей с обратной связью. Сущность аналоговых перемножителей сигналов. Устройства вторичных источников питания.

    учебное пособие, добавлен 17.11.2015

  • Оценка коэффициента полезного действия компенсационных стабилизаторов и габаритной мощности силового трансформатора. Выбор выпрямительных диодов. Оптимизация конструкции охладителей для транзисторов. Расчет элементов схемы защиты от перегрузок по току.

    курсовая работа, добавлен 22.10.2017

  • Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.

    лекция, добавлен 23.09.2017

  • Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 30.11.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.