Определение параметров плевых транзисторов
Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
Подобные документы
Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Выбор функциональной схемы электронного блока. Основание выбора элементарной базы замкнутой САУ с токовым контуром. Выбор транзисторов и диодов. Драйверы силовых транзисторов. Расчет тепловых потерь мощного ключа. Задатчик на базе терморезисторов.
курсовая работа, добавлен 24.12.2018Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Применение принципа каскадирования звеньев второго порядка с абсолютно высокой чувствительностью амплитудно- и фазочастотных характеристик в полосе пропускания. Влияние малосигнальных параметров биполярных транзисторов на параметры усилительных каскадов.
статья, добавлен 30.05.2017Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.
методичка, добавлен 18.05.2010Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.
реферат, добавлен 01.06.2014Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.
презентация, добавлен 05.04.2020Принцип работы транзисторной импульсной и цифровой техники. Ключи на биполярном транзисторе. Применение генератора синусоидальных колебаний: преобразование энергии источника постоянного тока в переменный. Генератор с трансформаторной обратной связью.
лекция, добавлен 09.12.2013Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Исследование активного и ключевого режимов работы усилительного элемента. Цепи подачи смещения. Использование способа автоматического смещения в каскадах на электронных лампах и полевых транзисторах. Стабилизация рабочей точки биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 07.01.2015Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 03.03.2018Требования к монтажу кристаллов MOS-транзисторов. Технологии пайки эвтектическим сплавом золото-кремний и припоями из сплавов металлов. Особенности монтажа на токопроводящую клеевую композицию. Подготовка поверхности для обеспечения процесса пайки.
дипломная работа, добавлен 28.08.2018Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Основные параметры усилителя мощности низкой частоты. Процесс разработки функциональной схемы и принцип ее действия. Порядок выбора элементной базы прибора: усилителя и транзисторов. Правила расчета параметров схемы и определение пикового тока нагрузки.
контрольная работа, добавлен 17.04.2013Разработка и расчет структурной схемы передатчика с усилителем мощности. Расчет параметром транзисторов, выбор вспомогательных элементов выходного усилителя мощности (ВУМ). Пересчет основных энергетических показателей ВУМ, расчет цепи согласования.
курсовая работа, добавлен 14.05.2015Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Транзистор, его функциональные особенности. Возникновение транзисторов, их классификация и применение. Полевые транзисторы, расчёт и построение нагрузочной прямой. Биполярные транзисторы, расчёт усилительного каскада. Общие сведения об электронных ключах.
курсовая работа, добавлен 21.11.2013Строение и назначение усилителей. Расчет составляющих усилителя мощности звуковой частоты (оконечного, входного (дифференциального) каскада, каскада усиления напряжения и элементов защиты выходных транзисторов) по заданным техническим характеристикам.
курсовая работа, добавлен 15.11.2009Схемы цепей питания транзисторов. Основные элементы транзисторного усилителя с трансформаторной связью, специфические черты и принцип действия. Особенности схемы усиления сигнала на полевых транзисторах. Действие резонансного и широкополосного усилителей.
лекция, добавлен 21.10.2014Расчет токов покоя транзисторов при замкнутых выводах. Построение логической схемы устройства в базисе И,ИЛИ,НЕ. Определение средней задержки распространения сигнала от входов к выходу и средней потребляемой мощности в принципиальной электрической схеме.
контрольная работа, добавлен 20.06.2016