Гетеропереходы и гетероструктуры
Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
Подобные документы
Принцип действия частотно-перестраиваемого полупроводникового лазера полосковой конструкции. Частотно-перестраиваемый дисковый полупроводниковый лазер. Рассмотрение примеров модификации частотно-перестраиваемого полупроводникового дискового лазера.
реферат, добавлен 08.02.2016Разработка технологии изготовления гибридных гетероструктур с прослойкой магнитоактивного материала из манганитов на основе эпитаксиальных сверхпроводящих металлоксидных пленок. Исследование многоэлементных джозефсононовских структур на постоянном токе.
автореферат, добавлен 29.10.2018Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
реферат, добавлен 26.10.2015Основные характеристики сегнетоэлектриков с точки зрения динамики решетки. Факторы, влияющие на динамику в гетероструктурах на основе наноразмерных пленок. Оценка влияния толщины пленок на параметры элементарной ячейки. Принципы переключения поляризации.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018Морфология поверхности исследуемых композитных пленок, а также зависимость модификации их рельефа от вида и концентрации вводимого наполнителя. Обоснование структурирования поверхности с максимальной степенью кристалличности при значениях х=2–6 масс%.
статья, добавлен 21.06.2018Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.
курс лекций, добавлен 25.02.2014Анализ выражения для постоянной тонкой структуры (ПТС) как искусственно созданной безразмерной комбинацией фундаментальных констант. Значение константы взаимодействия, характеризующей силу взаимодействия между электрическими зарядами и фотонами.
статья, добавлен 22.11.2018Область применения радиоэлектронного компонента из полупроводникового материала, позволяющего входным сигналом управлять током в электрической цепи. История сознания полупроводников и открытия транзисторного эффекта. Классификация токовых триодов.
реферат, добавлен 03.11.2014Циклотронный резонанс - резонансное поглощение электромагнитной энергии электронными проводниками, помещёнными в постоянном магнитном поле, на частотах, равных или кратных циклотронной частоте носителей заряда. Носители заряда в постоянном магнитном поле.
контрольная работа, добавлен 18.11.2015История изобретения лазера, физические основы его работы. Спонтанные и вынужденные переходы. Теория взаимодействия излучения с веществом. Методы создания инверсии населённости. Свойства лазерного излучения. Применение лазеров в медицине, науке и технике.
реферат, добавлен 27.09.2013- 38. Виды лазеров
Анализ истории создания квантовых генераторов. Описание принципа работы лазера. Характеристика условий когерентного излучения. Схема работы рубинового лазера. Описание газового, газодинамического, полупроводникового лазеров, а также сфер их применения.
презентация, добавлен 14.11.2016 Строение, принцип работы, классификация и основное применение лазера. Краткие исторические данные об источнике электромагнитного излучения видимого, инфракрасного и ультрафиолетового диапазонов, основанного на вынужденном излучении атомов и молекул.
реферат, добавлен 28.02.2014Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Простейшие модели тепловых колебаний, их анализ и основные параметры. Тепловые колебания атомов решетки, потенциальная энергия их взаимодействия. Групповая скорость распространения данных колебаний и порядок их определения, а также влияющие факторы.
презентация, добавлен 07.12.2020Квантовые поправки к проводимости двумерных структур на основе GaAs. Определение области проводимостей, в которой теория квантовых поправок количественно согласуется с экспериментальными данными. Неомическая проводимость двумерного электронного газа.
автореферат, добавлен 08.02.2013Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2015Исследование спектрально-селективных характеристик прозрачных металлодиэлектрических структур с энергосберегающими свойствами на основе наноразмерных слоев алюминия. Рекомендации по практической реализации структур с энергосберегающими свойствами.
статья, добавлен 30.10.2016Рассмотрение квантового эффекта Холла. Зонная диаграмма гетероструктуры GaAs-AlGaAs. Зависимость холловского сопротивления и сопротивления от напряжения на затворе. Описание энергетического спектра электронов в постоянном однородном магнитном поле.
реферат, добавлен 12.09.2015Оценка основных условий образования бозе-конденсата из триплетных экситонов высокой плотности. Исследование особенностей спиновой поляризации на поверхности ферромагнитных металлов и диэлектрических прослойках мультислойных ферромагнитных структур.
автореферат, добавлен 02.03.2018Элементы нанопроводной электроники. Создание квантово-размерных наноконтактов на основе локального окисления, индуцированного током. Свойства и структура нанотрубок. Получение углеродных наноструктур. Термическое разложение графита в дуговом разряде.
реферат, добавлен 10.10.2016Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
курс лекций, добавлен 20.08.2017Анализ микромира классической физики как колебательной системы из множества колебательных элементов. Представление о твердом теле. Структура физических твердых тел. Изучение принципов устройства упругих. Характеристика понятия и сущности гравитации.
эссе, добавлен 17.11.2020