Гетеропереходы и гетероструктуры
Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
Подобные документы
Взаимодействие аксиона с электроном. Диаграммы, показывающие возможные методы регистрации аксиона, основанные на взаимодействии аксиона с фотонами и электронами. Аксион-нуклонное и аксион-фотонное взаимодействие. Физические модели адронного аксиона.
контрольная работа, добавлен 24.04.2012Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.
автореферат, добавлен 27.07.2018Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.
лекция, добавлен 29.10.2013Исследование динамики заполнения электронами подзон размерного квантования в гетероструктурах при низких температурах и больших магнитных полях. Изучение механизмов возникновения амплитудно-частотной модуляции осцилляций поперечного магнитосопротивления.
автореферат, добавлен 01.09.2018Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Изучение взаимодействия между заряженными частицами путем обмена фотонами. Частота электромагнитного излучения. Схожесть законов Кулона и всемирного тяготения. Скорость распространения гравитационной энергии. Сопротивление эфира движущемуся телу.
статья, добавлен 22.11.2018Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
реферат, добавлен 30.07.2015Принцип действия ФЭХП (фотоэлектрохимического преобразователя). Роль ко-медиатора на основе железа в ускорении регенерации фотоокисленного сенсибилизатора. Структура органического сенсибилизатора Carbz-PAHTDTT. Медиаторы на основе Cu(I) комплексов.
статья, добавлен 16.11.2018Параметры электронных ключей: быстродействие, форсирующая цепочка. Нелинейная обратная связь. Определение номинального тока цепи. Количество диодов. Ступенчатое регулирование. Регулирование путем подмагничивания сердечника. Магнитно-полупроводниковые.
контрольная работа, добавлен 13.01.2017Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Порядок исследования вольт-амперной характеристики гетероструктуры n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. Экспериментальные данные по определению барического коэффициента дна зоны проводимости арсенида галлия.
статья, добавлен 25.03.2016Возможность формирования гиперкомпактных детерминистических гибридных структур на основе определенного множества взаимопроникающих фрактальных подрешеток на квадратной сетке. Два способа получения генераторов гиперкомпактных фрактальных структур.
статья, добавлен 21.06.2018Анализ современных высокоэффективных солнечных элементов (СЭ) как сложных многослойных гетеросистем. Рост гетероструктур из молекулярных пучков для солнечных элементов. Основные структурные исследования гетерокомпозиций GaAs/Si с различной ориентацией.
статья, добавлен 16.11.2018Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Разработка моделей и методов прогнозирования потребления электроэнергии на основе метода искусственных нейронных сетей. Схемы взаимодействия поставщиков и получателей прогнозов электроэнергии. Взаимодействие - "модель, как услуга", "прогноз, как услуга".
статья, добавлен 03.04.2018Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости. Представления об электропроводности собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси.
курсовая работа, добавлен 29.05.2024Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Разделение полевых транзисторов на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Переход электронов вторичной эмиссии на другой электрод. Принципы действия полупроводникового стабилитрона.
реферат, добавлен 29.03.2021История создания лазера: типы, устройство и принципы действия. применения лазерной техники в медицине, в военном деле, в научных исследованиях. Устройство рубинового лазера. Диагностические возможности голографии. Серийно выпускаемая лазерная аппаратура.
реферат, добавлен 26.07.2010Pозробка фізико-математичних моделей та аналіз термодинаміки процесу нітридизації GaAs. Дослідження морфології, фотолюмінесцентних та структурних властивостей нанопоруватих підкладок. Створення гетероструктур на основі монокристалічних і поруватих сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014