Гетеропереходы и гетероструктуры

Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.

Подобные документы

  • Рассмотрение касательной и нормальной составляющих ускорения. Теорема о распределении скоростей в твердом теле. Выражение текущих координат вектора движущегося тела через его начальные координаты в системе x, y, z. Получение ортогональных матриц.

    лекция, добавлен 15.03.2015

  • Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.

    автореферат, добавлен 25.08.2014

  • Понятие лазеров или оптических квантовых генераторов, их виды: газовые, твердотельные, полупроводники, жидкостные, эксимерные и на парах металла. Свойства вынужденного излучения. Устройство лазера: источник энергии, рабочее тело, оптический резонатор.

    презентация, добавлен 23.02.2017

  • Ознакомление с конструкцией полевого транзистора, который управляется напряжением, или полем. Исследование биполярных транзисторов, где носители заряда диффундируют к коллектору. Расчет коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора.

    лекция, добавлен 23.09.2017

  • Изучение новых современных преобразователей частот на основе структур с компенсацией угла сноса. Построение схемы синтеза, измерения и создания генератора разностной частоты на основе нелинейного оптического кристалла. Вторичные опорные стандарты частоты.

    автореферат, добавлен 03.02.2018

  • Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.

    статья, добавлен 04.12.2018

  • Изучение зонных диаграмм полупроводников, диэлектриков и металлов. Определение принципа работы полупроводникового стабилитрона. Рассмотрение каскада усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и режима работы биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 24.12.2013

  • Теория твердого эфира и физическое мировоззрение. Природа света и электромагнитных волн. Квантование энергии волновых процессов в твердом теле. Основные современные космогонические представления. Прохождение волны в эфире. Скорость разбегания галактик.

    статья, добавлен 27.08.2013

  • Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.

    курсовая работа, добавлен 23.05.2015

  • Принцип работы лазера. Некоторые уникальные свойства лазерного излучения. Применение лазеров в различных технологических процессах, их влияние на области науки, техники. Применение лазеров в строительстве в качестве измерительных и геодезических приборов.

    реферат, добавлен 18.05.2010

  • Законы молекулярной теплопроводности и диффузии. Кинематика и гидродинамика жидкости. Гидродинамический пограничный слой и стационарные процессы переноса тепла и растворенного вещества. Нестационарные процессы теплопроводности и диффузии в твердом теле.

    учебное пособие, добавлен 08.05.2014

  • Особенность установления концентрационного порога заполнения, при котором начинается заселение возбужденной подзоны размерного квантования. Анализ идентификации доминирующих механизмов рассеяния в сильнолегированных гетероструктурах типа InAs/AlSb.

    автореферат, добавлен 01.09.2018

  • Создание оптических квантовых генераторов, характеристика их излучения. Физические основы работы лазера, возникновение индуцированного излучения атома. Принцип работы, классификация и применение лазеров. Техника безопасности при работе с прибором.

    контрольная работа, добавлен 15.04.2015

  • Сущность и понятие лазера, история его создания. Классификация, принцип действия и основные части лазера. Особенности применения устройств в промышленности, голографии, спектроскопии, лазерной химии, медицине, в военных целях и учебном процессе.

    презентация, добавлен 26.01.2012

  • Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.

    реферат, добавлен 15.11.2009

  • Свободная поверхностная энергия и причины адсорбции. Силы, обеспечивающие адсорбцию на твердой поверхности. Адсорбционное равновесие и специфичность адсорбции на твердом теле. Анализ количественных закономерностей адсорбции на поверхности жидкости.

    презентация, добавлен 10.12.2020

  • Разработка физической модели формирования замкнутых частиц углерода, присутствующих в саже. Изучение явления физической адсорбции в дисперсных поликристаллических фуллеренах. Принципы создания и синтеза неупорядоченных макроструктур на основе фуллеренов.

    автореферат, добавлен 15.02.2018

  • Аналитическое описание процесса лазеро-индуцированной генерации акустических волн в твердом теле. Методика экспериментального исследования лазеро-индуцированной ПАВ бесконтактным оптическим методом. Физические механизмы возбуждения акустических волн.

    контрольная работа, добавлен 10.12.2016

  • Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.

    реферат, добавлен 16.10.2011

  • Области применения датчиков магнитного поля, приёмники излучения на основе эффекта Зеебека. Ионоселективные полевые транзисторы, их достоинства и недостатки. Магниторезистивные датчики магнитного поля. Конструкция ионоселективного полевого транзистора.

    реферат, добавлен 15.12.2015

  • Определение затухания, дисперсии, полосы пропускания и максимальной скорости передачи двоичных импульсов в волоконно-оптической системе. Характеристики многомодового лазера с резонатором Фабри–Перо и одномодового лазера с распределенной обратной связью.

    практическая работа, добавлен 30.04.2015

  • Синтез свойств углеродных нанотрубок. Изучение капиллярных явлений. Анализ удельного электрического сопротивления полупроводникового материала. Суть полевой эмиссии и экранирования электронов. Изготовление светодиодов на основе органических материалов.

    контрольная работа, добавлен 24.04.2017

  • Изучение оптических свойств монокристаллов. Преимущества применения халькогенидов редкоземельных элементов в квантовой электронике. Исследование коэффициента теплопроводности материалов на основе полуторных сульфидов и теллуридов лантана, празеодима.

    статья, добавлен 07.12.2018

  • Анализ методов оценки процессов теплообмена в твердом теле при облучении его лазерным лучом. Изучение законов распределения плотности тепловыделения. Расчет температурного поля и количества импульсов необходимых для достижения температуры плавления.

    курсовая работа, добавлен 03.03.2015

  • Изучение зависимости электрического сопротивления различных металлов, полупроводников и приборов на их основе от температуры. Перенос электрических зарядов в веществе под действием внешнего электрического поля. Понятие твердотельных проводников.

    лабораторная работа, добавлен 08.03.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.