Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.
Подобные документы
Нанесение композиционных покрытий, в частности никель-фосфорных, на детали машин и механизмов, методом химического осаждения - как один из эффективных способов повышения их триботехнических характеристик, защитных свойств и износостойкости материала.
статья, добавлен 30.05.2017Образование вторичных сигналов при взаимодействии электронов с веществом мишени. Формирование электронного пучка. Устройство детектора Эверхарта-Торнли. Принцип действия детектора излучения катодолюминесценции. Регистрация рентгеновского излучения.
реферат, добавлен 12.09.2020Исследовано влияние внешних когерентных или шумовых возмущений большой амплитуды на поведение вольтамперных характеристик туннельных диодов. Показано, что шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа.
статья, добавлен 07.11.2018Требования, предъявляемые к катодолюминофорам, их свойства и характеристики. Основные группы люминофоров, применяемых в электроннолучевых приборах. Способы нанесения экранов. Электрические характеристики приборов. Контраст изображения, выгорание экранов.
реферат, добавлен 15.04.2016Диод как двухэлектродный электронный прибор, его свойства. История открытия принципов работы термионного диода. Типы диодов, характеристика их параметров. Специальные типы диодов, их применение для защиты устройств от неправильной полярности включения.
реферат, добавлен 22.11.2015Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.
учебное пособие, добавлен 10.04.2015Вопросы контактного взаимодействия гладких и шероховатых тел. Исследование асимптотических оценок для определения влияния податливости слоя на контактное давление. Дискретизация контактного давления и построение граничного интегрального уравнения.
статья, добавлен 14.07.2016Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018Достижение состояния эффективного осуществления термоядерной реакции под действием потока ускоренных частиц. Физические характеристики важнейших бороводородов. Анализ процесса термоядерного синтеза с применением потока дейтронов и газообразной мишени.
статья, добавлен 13.11.2018Пленкообразующие амины (ПОА) и методы ингибирования коррозии путем нанесения пленки на металлические поверхности. Основной фактор, определяющий ККМ: количество атомов углерода алкильной цепочки. Функция подщелачивания воды. Верификация пленкообразования.
статья, добавлен 27.02.2017Рассмотрение устройства растрового электронного микроскопа. Особенности взаимодействия электронного пучка с веществом на поверхности мишени-образца. Изучение основных механизмов формирования и обработки изображения в растровом электронном микроскопе.
лекция, добавлен 21.03.2014Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.
статья, добавлен 30.05.2017Рассмотрение физических принципов термоэлектронной эмиссии. Вычисление максимальной плотности тока по формуле Ричардсона-Дешмана. Оценка влияния анодного напряжения, эффекта Шоттки и контактной разности потенциалов на вольт-амперную характеристику.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Особенности и преимущества светоизлучающих диодов по сравнению с другими электрическими источниками света, их спектральные характеристики и промышленное применение. Типичные структуры и параметры излучателей, используемых в современных оптронах.
реферат, добавлен 11.11.2009Взаимодействие легких слабосвязанных частиц и легких ионов с энергией 100 МэВ/нуклон с атомными ядрами. Кластерная структура ядра-мишени. Дифракционная модель упругого d-12С рассеяния. Наблюдаемые характеристики упругого рассеяния при энергии 700 МэВ.
статья, добавлен 02.09.2013Выходы портов в статическом режиме при низком уровне сигнала, их суммарный ток нагрузки. Обеспечения генерации тактовой частоты. Увеличение линий ввода-вывода микроконтроллера. Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ.
курсовая работа, добавлен 10.06.2014Зависимость ионов от мощности в аномальном тлеющем разряде в магнитном поле. Влияние метода магнетронного распыления на модель строения неоднородных по структуре пленок оксидов металлов. Специфика потока плазмы смеси газов аномального тлеющего разряда.
автореферат, добавлен 28.03.2018Химические источники тока. Потребляемая мощность. Кислотные, никель-железные и никель-кадмиевые аккумуляторы. Широкое применение в резервных источниках питания ЭВМ и электромеханических системах. Аварийное питание электроэнергией жизненно-важных систем.
статья, добавлен 24.02.2019Краткие сведения о тонких пленках и основные процессы, происходящие при их формировании. Методы получения тонких пленок и сравнительные характеристики этих методов. Принципы действия и конструкции установок для магнетронного нанесения тонких пленок.
учебное пособие, добавлен 13.03.2016Модификация поверхности твердых тел плазменной обработкой. Выбор метода плазменного напыления. Принципиальные схемы плазменного нанесения покрытия из проволоки. Химический состав аргоновой плазменной струи. Рентгеновский метод исследования материалов.
курсовая работа, добавлен 26.02.2012Фотопроводимость. Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и диффузии носителей заряда. Эффект Дембера. Фотоэлектромагнитный эффект. Фотоэффект в p-n переходах. Фотоэффект на барьере Шоттки. Явление Кикоина-Носкова.
реферат, добавлен 22.03.2016Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015- 48. Типы диодов
Параметры и характеристики диодов, их классификация и функциональные особенности. Основные статические и динамические параметры данных устройств. Физические закономерности, положенные в основу их работы, схемы выпрямления. Схема двуполярного питания.
реферат, добавлен 27.06.2015 - 49. Динамічна модель фізичних процесів у польових транзисторах із затвором Шоттки субмікронних розмірів
Дослідження фізичних процесів, що відбуваються в напівпровідникових структурах субмікронних розмірів, розроблення математичної моделі, що включає чисельний розв'язок частинок рівняння Больцмана, Пуассона та теплопровідності з граничними умовами.
автореферат, добавлен 06.07.2014 Результаты исследования магнитоэлектрического эффекта в многослойной структуре никель – олово – никель, полученной гальваническим осаждением на подложку из арсенида галлия. Экспериментальные результаты частотной зависимости магнитоэлектрического эффекта.
статья, добавлен 12.05.2018