Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.
Подобные документы
Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.
статья, добавлен 30.05.2017Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016Модификация процессов нанесения на полупроводниковый слой и термической обработки резистивного покрытия коллоидного графита. Влияние условий нанесения контактного слоя коллоидного графита на электрические характеристики секций танталовых конденсаторов.
статья, добавлен 30.07.2017Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2015Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Сверхтонкие YBCO пленки с Тс выше 77К. Контакты сверхпроводника с ферромагнетиком. Использование буферного слоя между подложкой и пленкой. Метод лазерного распыления мишени. Исследования ранних стадий роста пленок с помощью атомно-силового микроскопа.
реферат, добавлен 01.12.2013Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.
контрольная работа, добавлен 27.10.2015Изучение влияния вязкоупругих, термоупругих и анизотропных свойств материала пластинки на динамические характеристики контактного взаимодействия. Исследование влияния предварительных напряжений мишени на процесс распространения волновых поверхностей.
автореферат, добавлен 28.10.2018Изучение влияния вязкоупругих, термоупругих и анизотропных свойств материала пластинки на динамические характеристики контактного взаимодействия. Исследование влияния предварительных напряжений мишени на процесс распространения волновых поверхностей.
автореферат, добавлен 15.02.2018Проведение экспериментов для исследования тепловыделения в мишени при ее облучении пучком высокоэнергетических протонов. Основной расчет внешнего источника энерговыделения. Особенность влияния контактных термических сопротивлений на теплопроводность.
контрольная работа, добавлен 28.10.2018Исследовано влияние концентрации водорода в газовой смеси на электрические и оптические свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных магнетронным методом. Совершенствование магнетронного метода получения кремниевых пленок.
реферат, добавлен 24.10.2010Обоснование и анализ математической модели для расчета активной части гетерогенной газопылевой мишени с учетом динамической и тепловой неравновесности фаз и объемного тепловыделения. Характеристика схемы течения гетерогенной струи и газопылевой мишени.
автореферат, добавлен 15.02.2018Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.
лабораторная работа, добавлен 07.02.2016Расчет констант распространения волноводных мод и полей мод в органических светоизлучающих диодах. Вычисление трех типичных структур диодов. Влияние введения рассеивающего слоя между прозрачным электродом и подложкой на эффективное рассеивание мод.
статья, добавлен 04.11.2018Изучение физики селективного испарения многокомпонентной мишени при лазерной абляции в воздухе с помощью спектроскопии лазерно-индуцированной плазмы при вариации пространственных и временных параметров излучения. Открывание модулятора Поккельса.
автореферат, добавлен 28.10.2018Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Повышение рабочей частоты аналогичного диода на AlGaAs/GaAs наноструктуре. Зависимость отрицательной проводимости и реактанса диода от его диаметра, пролетного угла, частоты и времени туннелирования. Параметры и микроволновые характеристики диодов.
статья, добавлен 14.07.2016Расчет и построение графика сопротивления базы диода от тока через диод. Поиск модели, наиболее хорошо приближающейся к реальной ВАХ диода. График зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, а также проводимости ветви диода.
контрольная работа, добавлен 03.09.2012Изготовление образцов в форме пластинки методом склеивания. Проведение исследования величины магнитоэлектрического коэффициента по напряжению в области электромеханического резонанса. Особенность применения кварца в качестве пьезоэлектрического слоя.
статья, добавлен 07.08.2020Представлена математическая модель прямой ветви вольтамперной характеристики лазерного диода на основе AlGaAs с раздельным ограничением и квантоворазмерной активной областью. Факторы, определяющие напряжение и дифференциальное сопротивление таких диодов.
статья, добавлен 16.07.2018Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов. Вольтамперные характеристики германиевых и кремниевых диодов. Схема однополупериодного выпрямителя с параллельным включением диодов. Классификация выпрямительных диодов по мощности.
лекция, добавлен 19.06.2010Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
методичка, добавлен 05.02.2015Формирование пористых структур с максимально развитой поверхностью. Выбор режима напыления с непрерывным лазерным облучением. Поддержание стационарных условий для более детального изучения процесса самосборки. Особенность изменения формы микротрубки.
статья, добавлен 13.11.2018