Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
Методика формирования барьера Шоттки путем магнетронного нанесения из многокомпонентной мишени пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. Химический состав мишени. Влияние вида контактного металла на электрические характеристики диодов.
Подобные документы
Начальное и пробивное напряжение в промежутке стержень-стержень, в цилиндрической системе электродов. Рассмотрение условий возникновения самостоятельного разряда в цилиндрической системе. Влияние диэлектрического барьера на пробивные напряжения.
реферат, добавлен 18.09.2013Процесс нахождения отношение прямого тока к обратному с использованием упрощенного уравнения вольтамперной характеристики диода. Определение тока в цепи, состоящего из источника напряжения, резистора и диода. Линия максимально допустимой мощности.
курсовая работа, добавлен 07.10.2013Использование кремния в качестве материала для производства солнечных элементов. Изучение механизма формирования элементных и оксидных примесных включений в рафинированном кремнии при его кристаллизации, применение и специфика окислительного способа.
статья, добавлен 28.01.2019Принцип работы свинцово-кислотных, литий-ионных, литий-полимерных, никель-кадмиевых аккумуляторов. Авиационная никель-кадмиевая аккумуляторная батарея 20НКБН-25-У3, ее характеристики, преимущества, история запуска производства и ввода в эксплуатацию.
контрольная работа, добавлен 01.12.2014Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Характеристика проведения высокотемпературных модельных испытаний по разрушению образцов углеродных композитов от различных фирм-производителей. Особенность использования нагрева образцов переменным током и электронным пучком высокой интенсивности.
автореферат, добавлен 17.06.2018Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Электрические характеристики, положение и размер плазменного факела. Обработка изображений, полученных при помощи скоростной съемки. Мониторинг послойного селективного лазерного плавления. Исследование брызг металла и пироэлектрического сенсора.
контрольная работа, добавлен 13.02.2016Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009Разработка топливного цикла и схемы реактора для проведения процесса термоядерного синтеза с использованием потока дейтронов и газообразной мишени из дейтерированного диборана. Использование раствора борной кислоты для поглощения избыточных нейтронов.
статья, добавлен 29.07.2017Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Зависимость прочности граничной пленки от наличия в ней активных молекул, их качества и количества. Анализ механизма трения при граничной смазке. Зависимость эффективности смазочного материала от факторов адсорбции и от химического взаимодействия металла.
статья, добавлен 21.02.2018Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Изучение переходных процессов в полупроводниковых диодах при их работе в импульсном режиме. Влияние процессов на работу диода в импульсных устройствах Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Разработка командного файла для моделирования структуры силового диода в программе DESSIS. Результаты моделирования с помощью программы INSPECT. Схематическая структура диода с алюминиевой металлизацией и медными элементами корпуса и термоэлектродами.
курсовая работа, добавлен 20.11.2016Изучение алмазоподобных углеродных пленок CNx и CNx:Euy. Распыление композитной углеродной мишени магнетроном постоянного тока. Измерение отражательной способности поверхности пленок при нормальном падении зондирующего луча и брюстеровского отражения.
статья, добавлен 25.03.2016Изучение прохождения электрического тока через газовую среду. Закономерности развития разряда в неоднородных полях. Сущность барьерного эффекта. Конструкция и виды высоковольтных изоляторов. Методы измерения высоких напряжений. Схема омического делителя.
контрольная работа, добавлен 01.11.2020Классификация и область применения полупроводниковых диодов. Выпрямления переменного тока частотой от 50 до 100 килогерц. Расчет цепи, состоящей из последовательно соединенных диодов. Проектирование стабилизатора напряжения на интегральной микросхеме.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013- 71. Лазерные диоды
Принцип работы лазерного диода. Определение распределения Больцмана. Особенности конструкции кристалла полупроводника лазерного диода. Алгоритм подключения лазерного диода. Единица измерения длины волны, которую может продуцировать лазерный диод.
реферат, добавлен 22.09.2017 Численное моделирование высокоскоростного удара стальными ударниками трубчатой и кольцевой формы по массивным преградам из стали и сплава АМг-6. Анализ особенностей деформирования и разрушения мишени. Коллективное воздействие группы тел на преграду.
статья, добавлен 29.10.2018Структура поверхностного слоя стали после внедрения порошка ВКб при контактном электронагреве. Основные различия микротвердости в структуре слоя зерен и границ между ними. Особенности процесса упрочнения поверхностных слоев электроконтактной зачеканкой.
статья, добавлен 13.01.2020Описание методов получения тонких пленок нихрома и исследование зависимости параметров от стехиометрии пленки. Расчет диапазон толщин пленки, удовлетворяющих требованиям удельного поверхностного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления.
курсовая работа, добавлен 16.12.2019Сопротивление разрушению модифицированных ионами азота хромистых сталей. Устойчивость процесса усталостного разрушения конструкционных материалов. Обзор поверхностных свойств и предела выносливости металла. Зависимость предела текучести от глубины слоя.
статья, добавлен 27.10.2018