Исследование характеристик и параметров электронно-дырочных переходов
Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.
Подобные документы
Определение понятия сети и каналов связи. Оборудование, периферийные устройства и информационные ресурсы сетей электронно-вычислительных машин. Анализ архитектуры вычислительных сетей. Описание уровней модели OSI. Понятие протокола и стеков протоколов.
шпаргалка, добавлен 19.04.2016Приборы непосредственной оценки и приборы сравнения. Принцип действия электронно-счетных частотомеров. Подсчет количества импульсов, сформированных входными цепями из периодического сигнала произвольной формы. Аналоговые стрелочные частотомеры.
курсовая работа, добавлен 02.12.2010Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.
лабораторная работа, добавлен 01.06.2022Классификация изделий электронно-оптической техники по конструктивно-технологическим признакам. Пленочные элементы, конденсаторы и резисторы. Формирование легированных слоев, герметизация кристаллов. Основные методы производства волоконных световодов.
учебное пособие, добавлен 25.06.2013История развития электронно-лучевых трубок, их классификация и распространение. Устройство и принцип работы черно-белых и цветных кинескопов. Угол отклонения луча, ионная ловушка и развертка как процесс создания изображения. Типы масок цветных кинескопов.
реферат, добавлен 28.05.2014Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.
реферат, добавлен 22.02.2015Кристаллическая структура полупроводника, влияние примеси и температуры на его проводимость. Особенности реальных p-n-переходов. Тиратрон, устройство и принцип работы. Приборы тлеющего разряда. Переход, смещенный в обратном направлении и виды пробоев.
контрольная работа, добавлен 29.09.2017Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Проведение наблюдений метеорных треков потока Персеид с помощью электронно-оптического преобразователя на микроканальной пластине МПН-8КМ и цифровой камеры. Существенная особенность повышения эффективности регистрации точечных объектов в сотни раз.
статья, добавлен 22.05.2018История развития, классификация, обозначение, маркировка, устройство и работа черно-белого кинескопа. Способы изменения угла отклонения луча в электронно-лучевой трубке. Применение принципа "ионной ловушки". Другие виды электронно-лучевых приборов.
реферат, добавлен 04.06.2019Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Измерение частоты и интервалов времени с помощью электронно-счетного частотомера. Исследование метрологических характеристик вольтметра, осциллографа. Описание схем и приборов для измерения параметров элементов цепей с сосредоточенными постоянными.
методичка, добавлен 20.05.2015Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Рассмотрение принципа действия прибора, его основных параметров и характеристик. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Характеристика особенностей статического и дифференциального сопротивления перехода при отсутствии напряжения.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Исследование экспериментальных данных об информационных критериях оценки методов и систем растрирования репродукций при моделировании процессов электронно-цифрового репродуцирования изображений. Анализ расчетов критериев оценки погрешности изображений.
статья, добавлен 29.01.2019Разработка электронно-оптической системы циклотронного преобразователя энергии, которая включает пушку со сферическим катодом и магнитную систему, образованную кольцевыми радиально намагниченными магнитами, с потенциалом пучка 2000 В и током 0.14 А.
статья, добавлен 03.11.2018Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.
статья, добавлен 20.08.2013Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Температурные характеристики структурных переходов в полимерных материалах, нагреваемых линейным источником тепла постоянной мощности. Разработка методов неразрушающего контроля полимеров. Программное обеспечение измерительной системы, их реализующей.
автореферат, добавлен 27.08.2018Причины потери и современные способы восстановления слуха. Анализ текущего состояния производства слуховых аппаратов, их виды, характеристики и особенности применения. Основные электроакустические параметры программируемых цифровых слуховых устройств.
статья, добавлен 28.01.2022Изучение структуры p-n перехода. Особенность возникновения потенциального барьера. Анализ прямого и обратного включений. Суть уменьшения дифференциального сопротивления. Осмотр туннельного, лавинного и теплового пробоев. Диффузионная и барьерная емкость.
лекция, добавлен 23.09.2016Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013Выбор трассы прокладки кабельной линии связи и устройство ее переходов через преграды. Расчёт опасных и мешающих влияний на КЛС. Организация перехода КЛС через водную преграду. Определение параметров волоконных световодов и длины регенерационного участка.
курсовая работа, добавлен 06.10.2015Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.
книга, добавлен 19.10.2013Включение p-n-перехода в обратном направлении. Обратный ток неосновных носителей. Обратное смещение p-n-перехода. Однонаправленная проводимость перехода. Процесс втягивания неосновных носителей заряда при обратном включении. Понятие теплового тока.
презентация, добавлен 20.07.2013