Исследование характеристик и параметров электронно-дырочных переходов
Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.
Подобные документы
Классификация мультимедийных проекторов. Рассмотрение основных технологий проецирования цветного изображения на внешний экран. Применение мультимедийных проекторов на базе электронно-лучевых трубок. Технические характеристики мультимедийных проекторов.
презентация, добавлен 31.10.2016- 77. Туннельные диоды
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Описания варикапа, в котором используется емкость p-n-перехода. Исследование режимов работы фотодиода. Светоизлучающие диоды - преобразователи энергии электрического тока в энергию оптического излучения.
презентация, добавлен 20.07.2013 Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Основные характеристики мониторов. Устройство, разновидности жидкокристаллических дисплеев. Принцип формирования изображения в мониторах на базе электронно-лучевой трубки. Лазерные печатающие устройства. Методы подачи чернил. Аналоговая передача сигналов.
реферат, добавлен 15.01.2016Применение электрорадиотехнических измерений во всех отраслях промышленности. Особенности производства и классификация радиоизмерительных приборов. Характеристика электронно-лучевого осциллографа. Его структурная схема и вспомогательные устройства.
реферат, добавлен 29.11.2015Общие сведения о биполярном транзисторе, их конструкция. Пробой, режимы и принцип работы, вольт-амперные характеристики. Цоколевка транзистора KT375A. Обозначение на схемах. Модули проводимости прямой и входной передачи. Расчет характеристик KT375A.
курсовая работа, добавлен 14.04.2017Анализ электрической функциональной схемы. Выбор элементной базы схемотехнического решения, построение принципиальной схемы, разработка временных диаграмм. Расчёт временных параметров схемы и потребляемой мощности. Устранение помех в цепях питания.
курсовая работа, добавлен 23.02.2016Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
контрольная работа, добавлен 14.02.2015Экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик электронной пушки, выполненной в трехэлектродном варианте. Применение электронной пушки в электронно-лучевых приборах общего назначения. Выбор режимов напряжений на фокусирующих электродах.
статья, добавлен 29.09.2016Принцип работы сдвигового регистра, обзор существующих аналогов. Разработка функциональной и электронно-принципиальной схемы устройства. Алгоритм работы программы. Разработка устройства светодиодная игрушка - снежинка. Технические характеристики гирлянды.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Понятие об измерениях, терминология и определения. Классификация методов измерений. Электронно-лучевые осциллографы. Общие свойства электромеханических приборов. Статистический метод измерения нелинейных искажений. Преобразователи электронных вольтметров.
учебное пособие, добавлен 06.04.2012Сущность туннельного эффекта. Проявление эффекта в неоднородных структурах. Использование в различных устройствах микроэлектроники: контакт металл-металл, структура металл-диэлектрик-металл, токоперенос в тонких плёнках, туннельный пробой в p-n-переходе.
курсовая работа, добавлен 19.07.2010Клистроны как электронно-лучевые приборы сверхвысоких частот с динамическим управлением электронным потоком, классификация и типы, схема действия и функциональные особенности. Лампа бегущей волны, ее формы и преимущества. Понятие и признаки магнетронов.
реферат, добавлен 12.01.2012Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Рассмотрение источников погрешностей навигационных измерений спутниковых навигационных систем. Характеристика особенностей системы глонасс. Исследование и анализ сущности спутниковой системы навигации, как комплексной электронно-технической системы.
реферат, добавлен 20.06.2015Органы индикации и управления блока. Режим индикации данных, просмотра и изменения настроек. Связь блока с электронно-вычислительными машинами верхнего уровня. Методы проверки ошибок и условия тайм-аута. Регистры данных и настроек, описание программ.
методичка, добавлен 02.05.2015Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода. Тиристор в роли электронного ключа. Характеристики и параметры оптронов. Параметры, характеризующие транзисторную оптопару.
контрольная работа, добавлен 09.02.2014Предложена конструкция соосных ступенчатых коаксиально-волноводных переходов для волноводных каналов нестандартного сечения. Охарактеризованы основные результаты использования отрезков П-волновода, длина которых значительно меньше четверти длины волны.
статья, добавлен 02.04.2019Основная характеристика назначения осциллографа. Особенность наблюдения на экране процессов, изменяющихся во времени. Использование звукового генератора в качестве источника переменного напряжения. Определение чувствительности электронно-лучевой трубки.
контрольная работа, добавлен 13.09.2015Проработка общих требований к измерителю температуры, разработка структурной и принципиальной схемы. Моделирование функционирования аналоговой части измерителя температуры, особенности перехода на бесcвинцовую пайку. Расчет себестоимости устройства.
дипломная работа, добавлен 06.05.2015Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Междуэлектродные емкости, их общие характеристики и назначение. Особенности и частотные характеристики коммутатора на ИМС МАХ312. Причины возникновения динамических помех, их негативное влияние на ключи и способы устранения. Эксплуатационные параметры.
курсовая работа, добавлен 14.02.2009Сведения об измерениях и измерительных приборах. Генераторы стандартных сигналов и электронно-лучевые осциллографы. Измерение частоты термоэлектрического преобразователя. Спектроанализатор с перестраиваемым фильтром, воздействие на колебательные контуры.
учебное пособие, добавлен 06.12.2011Назначение и состав комплексов диагностики, классификация неисправностей по признакам. Характеристика, состав и значение тестово-диагностического комплекса, область его применения и функционирования. Варианты создания устройств сопряжения, адаптер.
контрольная работа, добавлен 31.10.2014