Исследование характеристик и параметров электронно-дырочных переходов
Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.
Подобные документы
Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2018Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015Особенности появления электрохимического пробоя изоляции, которое происходит по причине протекания химических реакций в изоляционном слое, скорость которых увеличивается при подведении дополнительной тепловой энергии. Объемные плотности тепловыделения.
статья, добавлен 27.09.2012Изучение универсального электронно-лучевого осциллографа (ЭЛО); получение навыков работы с осциллографом; овладение методикой осциллографирования и измерение параметров непрерывных сигналов с помощью ЭЛО. Проверка градуировки генератора по частоте.
лабораторная работа, добавлен 06.03.2021Расчёт параметров термоэмиссионного катода вакуумного электронно–лучевого прибора и электростатической системы управления потоком электронов. Устройство и принцип работы кинескопа. Ионная ловушка. Проблема ускоренного износа катода. Процесс развёртки.
курсовая работа, добавлен 08.12.2016Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016- 57. Виды мониторов
Общая характеристика различных видов мониторов: с электронно-лучевой трубкой, жидкокристаллических, плазменных, пластиковых. Схема устройства цветного кинескопа. Основные преимущества LCD и плазменных дисплеев, принципы передачи изображения в них.
презентация, добавлен 25.11.2012 Особенности дискретного управления. Преобразование последовательности импульсов. Параметры импульсных элементов. Функциональные схемы цифровых систем. Цифровые средства обработки информации в системах. Аналоговые электронно-вычислительные машины.
контрольная работа, добавлен 08.11.2015Влияние технологических параметров приготовления на электрические и структурные свойства эпитаксиальных пленок, полученных из высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x распылением. Параметры химической и термической обработки NdGaO3 подложек.
статья, добавлен 03.11.2018- 60. Телевидение
Область науки, техники и культуры, связанная с передачей зрительной информации на расстояние радиоэлектронными средствами. Применение электронно-лучевой трубки для приема телевизионных изображений. Основные части и механизм работы цветного кинескопа.
презентация, добавлен 13.02.2014 Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Кодирование чисел с помощью электронно-вычислительных машин. Виды преобразователей кодов. Дешифраторы в системах цифровой индикации. Основные параметры серии микросхем на основе ТТЛШ технологий. Расчет электрической принципиальной схемы устройства.
контрольная работа, добавлен 10.12.2013Технические характеристики мониторов. Мониторы с электронно-лучевой трубкой. Формирование изображения в плазменном дисплее. Жидкокристаллические экраны. Стандарты безопасности, функциональные возможности плазменного монитора, его достоинства и недостатки.
реферат, добавлен 30.03.2012Устройство фотоэлементов с внешним фотоэффектом, принцип действия, их характеристики и область применения. Работа электронно-оптического преобразователя (ЭОП), предназначенного для преобразования изображения, а также для усиления яркости изображений.
контрольная работа, добавлен 04.04.2018Структурная схема электронно-счетного осциллографа. Принцип работы матричных осциллографов, их преимущества и недостатки. Устройства ввода-вывода исследуемых сигналов. Характеристики микроконтроллера фирмы Atmel. Измерение сигнала с цифровыми уровнями.
курсовая работа, добавлен 25.09.2016Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014Изучение устройства, характеристик и параметров полевого транзистора с изолированным затвором. Анализ эволюции статических характеристик транзистора, задающихся паспортно, в динамические характеристики при использовании транзистора в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Понятие, сущность и значение активного оптрона. Характеристика оптоэлектронных преобразователей света и изображений. Логические элементы на основе оптронов, применение и перспективы. Создание твердотельного аналога электронно-оптического преобразователя.
лекция, добавлен 17.08.2014Обзор аппаратных средств используемых при построении систем видеонаблюдения, описание их характеристик. Составление сметного расчета для основного производства. Требования к видеодисплейным терминалам и персональным электронно-вычислительным машинам.
дипломная работа, добавлен 18.01.2015Влияние тепловых флуктуаций тока нормальных электронов на переход, резонансные свойства антенны и меняющуюся с частотой часть импеданса, связанную с электродинамическим окружением перехода и дающую вклад на данных частотах. Параметры эквивалентной схемы.
статья, добавлен 03.11.2018Электронные приборы для анализа характеристик сигналов и схем. Электронно-лучевые осциллографы. Структурные схемы анализаторов спектра. Электромеханические, показывающие, регистрирующие, регулирующие и электронные приборы. Электродинамические приборы.
курсовая работа, добавлен 04.09.2011Автоматические средства измерения электрических сигналов. Структура, назначение и принцип действия электронно-лучевой трубки. Устройство отклоняющей системы. Магнитная фокусировка электронного луча. Преимущества цифрового осциллографа над аналоговым.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2018Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Основные параметры и характеристики спутниковой радиолинии (СРЛ): перестройка антенны, энергетические параметры СРЛ, места установки антенны, системные параметры приемного оборудования. Влияние помех мешающих ИСЗ на величину помехозащищенности систем.
практическая работа, добавлен 11.12.2010