Исследование характеристик и параметров электронно-дырочных переходов
Понятие и образование электронно-дырочного перехода. Общая характеристика пробоя p-n перехода. Механизм и условия возникновения теплового пробоя. Влияние температуры на характеристики и параметры электронно-дырочных переходов. Полевой (туннельный) пробой.
Подобные документы
Характеристика конечных марковских цепей, которые широко используются при описании циклических процессов. Определение дисперсии числа шагов. Рассмотрение содержания метода фиктивных состояний. Исследование особенностей процесса доведения сообщений.
статья, добавлен 06.05.2018Специфические особенности применения критерия Аббе для обнаружения изменяющихся во времени монотонных смещений средних арифметических результатов измерений. Измерительный преобразователь абсолютного давления как электронно-ионизационный вакуумметр.
курсовая работа, добавлен 17.02.2019- 103. Электронная техника
Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы, движение электронов в электрических и магнитных полях. Электропроводность полупроводников: дрейфовый и диффузионный токи. Представление о полевых транзисторах и специфика электровакуумных приборов.
учебное пособие, добавлен 11.10.2014 - 104. Туннельный диод
Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.
реферат, добавлен 16.11.2013 Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Изучение сущности видеоусилителей — широкополосных усилителей, используемых для усиления видеоинформации. Ознакомление с особенностями их использования в телевизионных приемниках. Рассмотрение электронно-лучевой трубки простой радиолокационной станции.
реферат, добавлен 28.01.2015Характеристика локальных сетей для работы с системами передачи извещений. Описание схемы организации одноранговой локальной вычислительной сети на пункте централизованной охраны. Анализ методов построения кодов Хэмминга. Пример вывода границы Хэмминга.
контрольная работа, добавлен 30.01.2017Общие сведения об измерениях физической величины. Рассмотрение классификации измерительных средств. Преобразование выходной информации в виде цифрового кода. Обеспечение удобств сопряжения микропроцессорных датчиков с электронно-вычислительными машинами.
лекция, добавлен 28.03.2020Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Интерес производителей электронного оборудования к производству преобразователей частоты на основе IGBT-модулей. Причины и условия пробоя транзисторов и диодов в модулях, рекомендации по их монтажу и эксплуатации, позволяющие предотвратить выход из строя.
статья, добавлен 16.01.2017Проведение исследований принципа действия, измерения характеристик и определения основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Крутизна характеристики прямой передачи. Дифференциальное сопротивление стока, коэффициент усиления.
лабораторная работа, добавлен 19.04.2016- 112. Архитектура ЭВМ
Анализ понятия "архитектура электронно-вычислительных машин", в том числе классическая архитектура ЭВМ II. Принципы фон Неймана. Совершенствование и развитие внутренней структуры ЭВМ, их основной цикл работы, система команд и способы обращения к данным.
контрольная работа, добавлен 12.12.2010 Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Сведения о материалах, применяемых в любительской практике изготовления электронно-технических устройств. Технологические приемы обработки материалов, рекомендации по изготовлению и усовершенствованию инструмента и приспособлений, приемы ремонта деталей.
книга, добавлен 09.07.2013Оценка предельной энергии, излучаемой круглой поверхностной антенной. Рассмотрение импульсного критерия пробоя. Расчёт и определение характеристик зависимостей предельной энергии излучения от длительности импульса в различных режимах работы генератора.
статья, добавлен 02.04.2019История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010- 117. Полевой транзистор
Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.
статья, добавлен 24.02.2019 Особенности распространения радиоволн в атмосфере Земли. Понятие стандартной тропосферы, ее электрические параметры. Механизм возникновения рефракции радиоволн в тропосфере. Определение радиуса возникновения радиоволны. Затухание радиоволн в тропосфере.
контрольная работа, добавлен 14.08.2015Структурная схема монитора. Мониторы с электронно-лучевой трубкой. Плазменные и FED-мониторы. Стандарты телевизионного вещания. Стандарты интерфейсов для подключения сигнала к монитору. Отличия дисплеев цифровых машин от остальных видов мониторов.
реферат, добавлен 16.12.2013Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 03.03.2018Определение показателей технологичности конструкции приборов. Основные правила построения технологических схем сборки. Разработка технологического процесса сборки. Особенности проектирования технологического оснащения и специализированного оборудования.
реферат, добавлен 03.06.2015Основные этапы расчета на электронно-вычислительной машине сложной электрической цепи с нелинейным резистивным двухполюсником. Рекомендации и описание программного обеспечения, разработанные для расчета электрических схем с помощью пакета MathCad.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Разработка структурной и принципиальной схемы микропроцессорной системы, алгоритма работы и диагностических тестов для К155ИЕ9, а также программы тестирования на языке Ассемблер. Описание рекомендаций по энерго- и материалосбережению, охране труда.
курсовая работа, добавлен 13.02.2014История ЭЛТ (электронно-лучевая трубка) – телевизоров. Неисправности и настройка видеотракта телевизоров 4-го и 5-го поколения. Методика отыскания и устранение неисправностей. Используемые материалы и КИП. Перспективы развития современного телевидения.
реферат, добавлен 20.06.2010