Полевой транзистор с управляющим электронно-дырочным переходом
Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
Подобные документы
Частота как важнейшая характеристика периодических процессов. Знакомство с основными этапами проектирования частотомера, особенности разработки структурной и принципиальной схемы. Общая характеристика полевого транзистора VT1 с изолированным затвором.
дипломная работа, добавлен 27.11.2014Определение сопротивления диода постоянному току. Вычисление напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах. Расчет крутизны полевого транзистора. Характеристика второго закона Кирхгофа. Главный анализ схем с использованием операционных усилителей.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Создание и сбор регулируемого AC-DC преобразователя напряжения на основе биполярного транзистора. Регулирование выходного напряжения преобразователя. Поступление напряжения с R2 на вход базы транзистора VT1, включенного по схеме эмиттерного повторителя.
лабораторная работа, добавлен 06.06.2023Характеристика и анализ работы биполярного транзистора, его отличие от полевого. Схематическое устройство транзистора. Особенности расчета контактной разности потенциалов и барьерной ёмкости резкого p-n перехода с определенной площадью и параметрами.
контрольная работа, добавлен 19.09.2017Основные физические периодические процессы, лежащие в основе систем измерения времени. Сущность дифференциального закона механического движения Ньютона. Способы измерения светового года. Характеристика временных явлений, происходящих в черных дырах.
реферат, добавлен 05.04.2015Принцип работы принимающей электронно-лучевой трубки. Угол отклонения луча трубки. Ионная ловушка, задержка подачи напряжения на анод либо модулятор. Достоинства и недостатки электронно-лучевых трубок. Цветные кинескопы, маски современных кинескопов.
курсовая работа, добавлен 09.02.2017Изучение основных характеристик операционных усилителей. Разработка усилителя с хорошим коэффициентом усиления. Способы борьбы с температурным дрейфом в биполярных транзисторах. Анализ метода дифференциального каскада. Полная схема основных транзисторов.
лекция, добавлен 20.09.2017Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Сборка усилителя на основе биполярных транзисторов. Подбор элементной базы, которая соответствует нагрузке, и при которой обеспечивается стабильная работа. Тестирование данного силового модуля под управлением МК Atmega16. Расчет транзисторного каскада.
статья, добавлен 26.06.2018- 35. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
статья, добавлен 19.08.2013Основные разновидности современных транзисторов, критерии и показатели их классификации. Внутреннее устройство и главные компоненты биполярного транзистора, режимы работы и схемы включения. Факторы, влияющие на усиление сигнала, его основные классы.
реферат, добавлен 09.04.2015Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
лекция, добавлен 10.03.2016Понятие и назначение электронно-лучевой трубки, ее структура и основные элементы, принцип работы, история развития и функциональные особенности, сферы практического применения. Задержка подачи напряжения на анод либо модулятор, ее причины и устранение.
реферат, добавлен 23.05.2012Расчет выходной ВАХ с учетом эффекта модуляции длины канала. Определение сопротивления канала в начале координат и граничной частоты усиления. Эффект влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение. Выходные характеристики МОП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 03.10.2017Изменение напряжения на стоке для обеспечения управления сопротивлением канала в тех же пределах, что и в случае подачи управляющего напряжения на затвор. Статические характеристики полевого транзистора. Характеристика и работа пентодного режима.
реферат, добавлен 19.02.2011Характеристика биполярных и МДП-транзисторов. Разработка функциональной схемы универсальной автоматизированной установки. Создание программного обеспечения для управления измерительной установкой; особенности применения технологии "клиент-сервер".
дипломная работа, добавлен 30.11.2018Описание прибора ориентации по Полярной звезде. Характеристика электронно-лучевой обработки оптических деталей, статистические параметры поверхности боролантанового стекла. Распределение температурных полей в образце при электронно-лучевой обработке.
статья, добавлен 29.05.2017Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017Классификация пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы; система условных обозначений. Вольтамперная характеристика электронно-дырочных переходов. Полупроводниковые диоды, устройство и принцип действия биполярного транзистора.
курс лекций, добавлен 02.08.2013Устройство и принцип действия транзисторов, сферы использования, физический смысл, принципы действия и внутренняя структура. Классификация и маркировка транзисторов, схема и правила их включения. Общая характеристика, типы, отличительные особенности.
реферат, добавлен 08.03.2014Методы расчета усилителя мощности низкой частоты. Амплитуда тока выходных транзисторов. Минимальная величина среднего тока, потребляемого от источника питания в каждом плече в режиме заданной выходной мощности. Мощность рассеяния транзисторов VT2 (VT6).
реферат, добавлен 21.10.2017Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
презентация, добавлен 20.07.2013Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Расчет предварительного каскада усиления мощности и гармонических составляющих выходного тока. Расчет стабилизированного источника питания. Выбор транзисторов, стабилитрона напряжения, выпрямителя и трансформаторного каскада предварительного усиления.
курсовая работа, добавлен 20.12.2016