Полевой транзистор с управляющим электронно-дырочным переходом
Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
Подобные документы
Использование органической электроники для компактного моделирования надпорогового тока стока органического полевого транзистора. Обеспечение корректного учёта выходной проводимости в режиме насыщения с монотонным её убыванием от максимального значения.
статья, добавлен 17.07.2018Расчет дифференциального сопротивления, пороговых напряжений и потери в диоде от прямого тока. Отличия силового диода от обычного. Построение схемы параметрического стабилизатора постоянного напряжения. Понятие и принцип работы транзистора, тиристора.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Измерения силы постоянного и переменного тока, сопротивления, величины постоянного и переменного напряжения, коэффициента усиления биполярных транзисторов. Качество соединения проводников или пайки. Конструкция прибора цифрового мультиметра M838.
лабораторная работа, добавлен 20.11.2013Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.
реферат, добавлен 27.06.2015Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.
учебное пособие, добавлен 06.09.2016- 57. Эффект Миллера
Изучение проблемы ослабления вредного воздействия эффекта Миллера в целью уменьшения входной емкости транзистора. Рассмотрение каскада усиления, где выходной сигнал будет сниматься с резистора в цепи стока. Анализ эквивалентной схемы полевого транзистора.
статья, добавлен 24.05.2017 Описание электровакуумных приборов сверхвысоких частот. Методика выполнения численного анализа движения электронов в электрическом поле аксиально-симметричных электродов произвольной конфигурации, его апробация на геометрии электронно-оптической системы.
реферат, добавлен 23.10.2010Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
контрольная работа, добавлен 23.03.2022Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.
презентация, добавлен 07.07.2015Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Свойства электронных пучков и их применение. Отклонение электронных потоков, идущих от Солнца, в магнитном поле Земли. Сущность и принцип работы электронно-лучеовй трубки - прибора для исследования быстропеременных процессов в электрических цепях.
презентация, добавлен 25.03.2016Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.
учебное пособие, добавлен 27.02.2012Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Состояние и тенденция развития электронно-оптических преобразователей. Транзисторный регулятор сетевого напряжения, назначение и технические параметры. Безтрансформаторный выпрямитель в усилителе мощности. Принцип работы блоков источника питания.
курсовая работа, добавлен 05.11.2009Анализ физических принципов работы транзистора. Характеристики энергетической диаграммы для одномерной модели в состоянии равновесия. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет удельных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв.
дипломная работа, добавлен 24.12.2011Описание конструкции и принципа работы электронно-лучевого осциллографа. Способ и схема измерения сопротивления заземлителя. Конструкция, принцип работы и область применения электрического преобразователя электролитического типа, его главные функции.
контрольная работа, добавлен 13.01.2011Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Назначение, классификация и основные устройства осциллографов. Устройство осциллографической электронно-лучевой трубки, анализ ее эксплуатационных параметров. Динамическая чувствительность на частотах. Структурная схема универсального осциллографа.
реферат, добавлен 01.03.2012Рассмотрение статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора. Определение главных параметров подключения рассматриваемого полупроводникового устройства с общим эмиттером, предназначенного для увеличения мощности электрического тока.
лабораторная работа, добавлен 29.06.2014Области применения датчиков магнитного поля, приёмники излучения на основе эффекта Зеебека. Ионоселективные полевые транзисторы, их достоинства и недостатки. Магниторезистивные датчики магнитного поля. Конструкция ионоселективного полевого транзистора.
реферат, добавлен 15.12.2015Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Условные обозначения и простейшие модели, отражающие структуру транзисторов. Отношение тока коллектора к току базы.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Существующие три типа устройств, которые взаимодействуют со светом, их общая характеристика и сравнительное описание, особенности и сферы практического использования. Понятие и назначение солнечного элемента. Принципы работы фотодиода c p-n переходом.
реферат, добавлен 12.12.2011