Полевой транзистор с управляющим электронно-дырочным переходом
Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
Подобные документы
Рассмотрение систем фокусировки электронного луча в электронно-лучевой трубке. Принципы физических эффектов, а также их конструктивные особенности, способы и материалы. Приборы измерения, их характеристики и параметры при использовании в различных случаях
реферат, добавлен 15.11.2008Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Выбор и расчет элементов, входящих в состав компенсационного стабилизатора. Принцип действия биполярного транзистора. Параметры маломощных стабилитронов. Расчет стабилизатора. Основные элементы сглаживающих фильтров. Выбор диодов и расчет выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 10.12.2012Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. В активном режиме работы, транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении, а коллекторный переход смещён в обратном направлении.
доклад, добавлен 15.01.2009- 80. Транзистор
Определение содержания закона потенциальной градации материи. Расчет величины контактной разности потенциалов для пары Bi-Cu. Принципы работы контактного перехода. Работа германиевого транзистора, согласно закону потенциальной градации материи.
статья, добавлен 23.11.2018 Расчет параметрического стабилизатора постоянного напряжения на кремневом стабилитроне. Режим работы транзистора и коэффициент усиления по напряжению. Основные сведения, классификация, назначение, интегральные микросхемы регистров, их основные параметры.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Амплитудные максимальные значения тока и напряжения транзисторов и приёмного устройства. Корректировка линии нагрузки. Расчет входного сопротивления каскада. Выбор операционного усилителя. Исчисление коэффициентов усиления тока, напряжения, мощности.
курсовая работа, добавлен 13.02.2012Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Динамика работы выпрямительного агрегата. Расчет схемы замещения, цепи нагрузки подстанции. Измерение, учет и контроль энергии. Защита от перенапряжений. Разработка преобразователя на основе полностью управляемых силовых ключах транзисторов IGBT.
дипломная работа, добавлен 11.01.2015Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.01.2014Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Расчет резонансных частот и резонансных сопротивлений. Определение полосы пропускания цепи. Исследование особенностей транзистора с избирательной нагрузкой. Ознакомление с процессом получения нормированных выражений входной и передаточной функции.
курсовая работа, добавлен 23.02.2018Характеристика принципа действия электронно-счетных частотомеров. Сущность двух методов измерения частот с помощью электронных приборов: метод заряда и разряда конденсатора. Исследование работы схемы аналогового частотомера в среде Electronics Workbench.
курсовая работа, добавлен 28.12.2014Влияние напряжённости поперечного электрического поля затворов полевого датчика Холла. Ступенчатые скачки тока на вольт-амперной характеристике в режиме лавинного умножения носителя. Физические принципы схемотехнических способов измерения магнитных полей.
автореферат, добавлен 29.10.2018Порядок выбора транзистора и напряжения источника питания UП для усилительного транзисторного каскада. Расчет амплитуды напряжения источника сигнала UGm. Характеристика емкости конденсаторов, их номинал. Входное и выходное сопротивления RВХ и RВЫХ.
контрольная работа, добавлен 03.04.2017Анализ принципиальной электрической схемы. Расчет и выбор элементов выходного выпрямителя и сглаживающего фильтра. Схема выходного выпрямителя с фильтром. Расчет и выбор элементов мостового преобразователя напряжения. Анализ параметров транзистора.
курсовая работа, добавлен 23.01.2017Исследование возможности повышения выходного сопротивления генератора тока, построенного на интегральных структурах горизонтальных p-n-p-транзисторах. Необходимость модификации генератора. Сравнение параметров исходного, модифицированного генератора тока.
статья, добавлен 29.01.2017Квантовохимические расчеты электронной структуры и геометрии электронно-возбужденных молекул. Силы осциллятора электронно-колебательных переходов в молекуле бензола. Установление связи спектров поглощения со структурой молекулы и ее конформацией.
реферат, добавлен 06.03.2011Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
учебное пособие, добавлен 13.04.2015Построение графика временной зависимости выходного напряжения как реакции на входной скачок напряжения. Проведение компенсации ослабления высоких частот с помощью фильтра верхних частот. Выбор схемы и расчет элементов резистивных цепей усилителя.
курсовая работа, добавлен 26.01.2015Расчет усилителя мощности с токовым бустером, емкостей разделительных конденсаторов, фильтров в цепях питания. Оценка усилительных свойств выходного каскада. Логарифмическая амплитудно-частотная характеристика промежуточного каскада. Электрическая схема.
курсовая работа, добавлен 23.11.2013Разработка методики выбора лучшего материала с фазовым переходом в накопителях тепловой энергии солнечной водонагревательной системы с использованием метода анализа иерархий. Теплофизические свойства выбранных фазовых теплоаккумулирующих материалов.
статья, добавлен 31.08.2020Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.
контрольная работа, добавлен 15.01.2012