Полевой транзистор с управляющим электронно-дырочным переходом
Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.
Подобные документы
Обобщение инерционных свойств транзисторов, которые начинают проявляться при быстром изменении сигнала. Причины ограничения частотных свойств транзисторов и возникновения их шумов или хаотическое изменение тока коллектора под действием различных факторов.
презентация, добавлен 20.07.2013Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.
статья, добавлен 29.05.2017Расчет параметров асинхронного двигателя для моделирования в Matlab. Особенность определения номинального скольжения. Анализ вычисления тока намагничивания. Суть приведенного активного сопротивления ротора. Характеристика выбора транзисторов и диодов.
контрольная работа, добавлен 03.01.2018- 104. Мостовые схемы
Мостовая схема оконечного каскада, распределение токов. Схемы последовательного возбуждения и параллельного способа подключения сигнала. Проектирование усилителя низкой частоты из полевых транзисторов и электронных ламп, а также их основное применение.
реферат, добавлен 14.11.2014 Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 14.09.2017Регулирование и улучшения качества выходного напряжения инверторов. Коммутационные процессы тиристора в инверторах, биполярного транзистора. Современные элементная база системы управления энергосберегающего инверторов. Разработка системы управления.
диссертация, добавлен 24.05.2018Изучение связи мощности в нагрузке с напряжениями питания. Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Максимальная амплитуда переменного напряжения на нагрузке у полумостового каскада. Смещение входных характеристик транзисторов.
презентация, добавлен 23.09.2016Использование транзисторов силового контура, описание питания электродвигателей напряжением прямоугольной формы. Определение коэффициента передачи фильтра по напряжению первой гармоники. Классификация видов импульсной модуляции одноуровневого напряжения.
реферат, добавлен 15.01.2016Ознакомление с результатами анализа малосигнальных режимов, который проводится с помощью эквивалентных схем и электрических параметров биполярного транзистора. Рассмотрение и характеристика зависимости параметров биполярного транзистора от частоты.
методичка, добавлен 11.12.2015Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Телевидение как одно из наиболее массовых средств распространения информации. Важнейшие физические процессы, лежащие в основе телевизионной передачи. Принцип передачи изображения. Конструкция передающей трубки – иконоскопа. История цветного телевидения.
доклад, добавлен 26.10.2016Полупроводниковые приборы с большим числом слоёв разного типа электропроводности, расположенных в разном сочетании. Особенности принципа действия биполярного транзистора. Приложение внешнего приложения к слоям. Схема транзистора с общим эмиттером.
лекция, добавлен 30.07.2013Изучение основных характеристик и особенностей работы биполярного транзистора в режиме импульсного ключа. Построение схемы измерительной цепи. Определение предельно допустимых значений токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Определение понятия и анализ особенностей составления характеристического уравнения путем использования выражения для входного сопротивления цепи на синусоидальном токе, на основе выражения главного определителя и на основе дифференциального уравнения.
лекция, добавлен 30.03.2017Воздействие быстрых электронов на поверхность стекла, содержащего подвижные ионы металлов. Увеличение показателя преломления в приповерхностном слое с изменением его химического состава. Электронно-лучевая обработка записи оптических волноводов в стеклах.
статья, добавлен 30.11.2018Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.
реферат, добавлен 23.05.2015Описание свойства схемы с общим коллектором и составного эмиттерного повторителя, её входное и выходное сопротивления. Порядок измерения сквозного коэффициента усилителя. Эквивалентная схема транзистора. Повторители как усилители с ООС, его задачи.
лабораторная работа, добавлен 21.09.2013Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018- 119. Электрификация машин
Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.
методичка, добавлен 25.12.2012 Загальна характеристика схеми для побудови вхідної характеристики біполярного транзистора. Розгляд способів визначення частотної залежності струму колектора. Знайомство зі способами побудови статичної прохідної характеристики біполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 19.11.2015Зависимость схемотехники каскадов от коэффициента усиления, входного и выходного сопротивлений. Каскад общий эмиттер на биполярном транзисторе. Коллекторная нагрузка как причина увеличения сопротивления без уменьшения величины протекающего тока.
реферат, добавлен 14.11.2014Анализ погрешностей измерения электрического поля методом электронно-лучевого зонда, возникающих в результате аберрационных искажений зондирующего электронного луча. Степень возмущения траектории электронов зондирующего луча под действием электричества.
статья, добавлен 28.07.2013Изучение зонных диаграмм полупроводников, диэлектриков и металлов. Определение принципа работы полупроводникового стабилитрона. Рассмотрение каскада усиления на транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и режима работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 24.12.2013Формирование физико-математических принципов аксиоматического построения уравнений реального электромагнитного поля в концепции корпускулярно-полевого дуализма электромагнитных характеристик материи. Основы полевой теории классического электромагнетизма.
статья, добавлен 24.11.2018Оценка воздействия электромагнитных полей различных диапазонов частот. Электробезопасность и предельно допустимые значения напряжений прикосновения и токов. Расчет допустимого уровня напряженности электростатического поля при воздействии на персонал.
контрольная работа, добавлен 28.10.2015