Тонкопленочные наноструктуры на основе оксида магния MgO
Технология получения тонкопленочных наноструктур на основе оксида магния MgO, применяемых для изготовления прототипов спинтронных транзисторов. Результаты рентгеновских исследований наноструктур, их подтверждение методами электронной микроскопии.
Подобные документы
Методы синтеза, используемые в настоящее время в микроволновой инженерии, обоснование их эффективности. Модели элементов фильтра и функция фильтрации. Сравнение результатов синтеза фильтров предложенным методом и методами на основе фильтров-прототипов.
статья, добавлен 29.07.2016Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Применение в народном хозяйстве электронной цифровой вычислительной техники. Поколение ЭВМ на основе интегральных схем с большой степенью интеграции элементов (БИС). Микропроцессорные вычислительные машины на основе БИС. Структура микропроцессора.
реферат, добавлен 25.01.2016Взаимосвязь между энергетическим спектром молекулы и транспортными характеристиками мономолекулярного одноэлектронного транзистора на основе молекулы. Применение метода имитационного моделирования Монте-Карло. Расчет эффективных емкостных параметров.
статья, добавлен 03.11.2018Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Методы очистки подложек интегральных схем и деталей электровакуумных приборов. Технология получения и изучения свойств тонких пленок. Изготовление оксидного катода и его испытание в разборной лампе. Технология люминофоров и люминесцирующих покрытий.
методичка, добавлен 27.10.2017Пассивные устройства и полосковые линии передачи. Основные способы получения топологии элементов МЭУ СВЧ. Метод вакуумного испарения и ионно-плазменного распыления. Технология изготовления полосковых СВЧ плат. Тонкопленочная и толстопленочная технология.
презентация, добавлен 10.08.2015Технология получения ситалла. Изменение свойств стекла в процессе кристаллизации. Процесс получения подложек. Резка слитков на пластины, шлифовка и полировка. Метод скрайбирования для получения плат, его достоинства и недостатки. Ломка пластин на платы.
реферат, добавлен 27.11.2013Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Определение формы, геометрических размеров, метода изготовления и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке. Определение действительной удельной мощности и погрешности изготовления резистора. Проверка расчетов исследуемых резисторов.
практическая работа, добавлен 18.04.2014Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем и в процессе металлизации полупроводниковых приборов. Основные факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Сущность подложки, основные виды и задачи. Тонкопленочные резисторы, конденсаторы.
реферат, добавлен 17.03.2013Исследование углеродных наноструктур – нанографитов, наноалмазов, фуллеренов, нановолокон, углеродных нанотрубок, графенов, называемых наноаллотропными формами. Особенности изучения и использования карбина - одного их противоречивых аллотропов углерода.
статья, добавлен 19.06.2018Особенности оптико-электронной системы, предназначенной для наблюдения за воздушными объектами. Описание измерительной аппаратуры, предварительных результатов экспериментальных исследований излучения атмосферного фона. Регистрация результатов измерений.
статья, добавлен 27.02.2019Обзор сегодняшнего состояния и перспективы в области наноматериалов и нанотехнологий. Применение квантовых наноструктур в электронике. Исследование направлений развития основных наноинженерных подходов в переходный период от микро – к наноэлектронике.
статья, добавлен 29.07.2018Створення 3D моделі 50-омної мікросмужкової структури за параметрами. Розрахунок ширини мікросмужкової лінії. Налаштування параметрів розв’язувачів. Результати моделювання (за допомогою TS та FS). Різниця між н-імпедансною та в-імпедансною структурами.
лабораторная работа, добавлен 17.09.2020Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018Технология изготовления распределенного широкополосного фильтра низких частот для криогенных наноболометров с полосой заграждения 0,1-20 ГГц. Комбинация тонкопленочного конденсатора с демпфирующей линией передачи на основе витой пары из манганина.
статья, добавлен 30.10.2018Понятие электроники как передачи, приема, обработки и хранения информации с помощью электрических зарядов. Проблема усилительного элемента для электрических устройств на заре развития электроники. Изобретение триода, технология изготовления транзисторов.
лекция, добавлен 30.07.2013Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012