Тонкопленочные наноструктуры на основе оксида магния MgO

Технология получения тонкопленочных наноструктур на основе оксида магния MgO, применяемых для изготовления прототипов спинтронных транзисторов. Результаты рентгеновских исследований наноструктур, их подтверждение методами электронной микроскопии.

Подобные документы

  • Описание архитектуры интегрированной наземной системы мониторинга на основе видеонаблюдения и беспроводных сенсорных сетей для прогнозирования и раннего обнаружения лесных пожаров. Построение беспроводных сенсорных сетей на основе ZigBee и MeshLogic.

    статья, добавлен 28.02.2016

  • Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.

    реферат, добавлен 16.06.2014

  • Анализ технологий и средств рентгеновской диагностики. Создание мобильных рентгеновских интроскопов, предназначенных для оснащения антитеррористических подразделений правоохранительных органов, дефектоскопических лабораторий строительных организаций.

    автореферат, добавлен 03.02.2018

  • Предложена конструктивная и электрическая схема и технология простейшей конструкции транспортерной электронной установки для предпосевной электростимуляции семян. Время обработки семян и его регуляция частотой вращения ленточного транспортера установки.

    контрольная работа, добавлен 10.09.2023

  • Результаты вычислительного эксперимента характеристик методов снижения уровня шумов (трешолдинга) при обработке сигналов на основе вейвлет-анализа. Анализ примеров применения трешолдинга для "очистки" радиосигналов от шума радиолокационных сигналов.

    статья, добавлен 06.11.2018

  • Проблемы биометрического распознавания военнослужащих, метод извлечения признаков на основе внешнего вида. Извлечение признаков на основе доверительного распознавания. Блок-схема иерархической схемы. Извлечение признаков без доверительного распознавания.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Методы нанесения слоя фоторезиста на подложки микросхемы. Схема удаления и проявления фоторезиста. Нанесение слоя оксида кремния SiO2 в качестве межуровнего диэлектрика и низкотемпературного фосфоросиликатного стекла. Контроль блока металлизации.

    контрольная работа, добавлен 25.06.2016

  • Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 28.03.2016

  • Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.

    реферат, добавлен 22.03.2010

  • Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.

    лекция, добавлен 01.09.2013

  • Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.

    курсовая работа, добавлен 21.02.2018

  • Понятие электронной почты, его основные достоинства и недостатки. История возникновения электронной почты, маршрутизация, протоколы получения. Структура письма и почтовые рассылки. Коммерческое использование почты. Спам, почтовый сервис и клиент.

    реферат, добавлен 23.06.2014

  • Анализ схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора элементов схемы: резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов, транзисторов. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Техника безопасности при эксплуатации электронной аппаратуры.

    дипломная работа, добавлен 15.07.2009

  • Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.

    презентация, добавлен 25.03.2024

  • Прием, обработка и хранение информации с помощью электрических зарядов. Изобретение триода. Развитие фотолитографии и диффузионной технологии изготовления транзисторов. Развитие электроники. Появление электронных арифмометров и вычислительных машин.

    лекция, добавлен 13.09.2017

  • Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.

    реферат, добавлен 03.11.2016

  • Основные технические характеристики усилителей. Типы обратных связей, применяемых в радиоэлектронных устройствах. Анализ влияния обратной связи на параметры усилителя: коэффициент усиления, частотную характеристику, входное и выходное сопротивления.

    курсовая работа, добавлен 15.10.2015

  • Характеристика исследования структур, находящихся вне пределов видимости светового микроскопа и имеющих размеры менее одного микрона. Выявление компонентов изучаемых объектов и сохранение их структуры в условиях высокого вакуума под пучком электронов.

    статья, добавлен 27.02.2016

  • Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.

    дипломная работа, добавлен 28.11.2019

  • Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.

    статья, добавлен 29.07.2017

  • Особенности разработки информационной технологии мониторинга температурного поля в процессе выращивания монокристаллов полупроводников. Знакомство с основными методами получения монокристаллов. Способы настройки подсистемы виртуального мониторинга.

    статья, добавлен 19.06.2018

  • Материалы, используемые для формирования элементов МСТ в LIGA-технологии. LIGA-технологии как возможность создания элементов МСТ большой толщины с вертикальными сторонами. Технология поверхностной микрообработки. MUMPs-технология, планарные элементы МСТ.

    курс лекций, добавлен 26.10.2013

  • Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.

    реферат, добавлен 05.04.2011

  • Характеристика источников опорного напряжения статического режима транзисторов. Предназначение генератора стабильного тока. Работа усилителя мощности и дифференциального усилителя в режиме синфазного усиления. Композитное включение транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 04.10.2012

  • Основные физические процессы биполярных транзисторов. Проведение исследования концентрации примеси в эмиттере и коллекторе. Изменение напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах. Эквивалентная схема полупроводникового прибора для постоянного тока.

    лекция, добавлен 23.09.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.